福建芯片封裝定制

植入錫球的BGA封裝：① 植球，焊錫球用于高可靠性產(chǎn)品（汽車電子）等的倒裝芯片連接，使用的錫球大多為普通的共晶錫料。植入錫球的BGA封裝，工藝流程：使用焊錫球吸附夾具對焊錫球進(jìn)行真空吸附，該夾具將封裝引腳的位置與裝有焊錫球的槽對齊，通過在預(yù)先涂有助焊劑的封裝基板的引腳位置植入錫球來實(shí)現(xiàn)。SIP：1、定義，SIP（System In Package）是將具有各種特定功能的LSI封裝到一個封裝中。而系統(tǒng)LSI是將單一的SoC（System on Chip）集成到一個芯片中。2、Sip封裝類型：① 通過引線縫合的芯片疊層封裝，② 充分利用倒裝焊技術(shù)的3D封裝。隨著SiP模塊成本的降低，且制造工藝效率和成熟度的提高。福建芯片封裝定制

SiP芯片成品的制造過程，系統(tǒng)級封裝（SiP）技術(shù)種類繁多，本文以雙面塑封SiP產(chǎn)品為例，簡要介紹SiP芯片成品的制造過程。SiP封裝通常在一塊大的基板上進(jìn)行，每塊基板可以制造幾十到幾百顆SiP成品。無源器件貼片，倒裝芯片封裝（Flip Chip）貼片——裸片（Die）通過凸點(diǎn)（Bump）與基板互連，回流焊接（正面）——通過控制加溫熔化封裝錫膏達(dá)到器件與基板間的鍵合焊線，鍵合（Wire Bond）——通過細(xì)金屬線將裸片與基板焊盤連接塑封（Molding）——注入塑封材料包裹和保護(hù)裸片及元器件。福建芯片封裝定制SiP 封裝所有元件在一個封裝殼體內(nèi)，縮短了電路連接，見笑了阻抗、射頻、熱等損耗影響。

2.5D SIP，2.5D本身是一種在客觀世界并不存在的維度，因?yàn)槠浼擅芏瘸搅?D，但又達(dá)不到3D集成密度，取其折中，因此被稱為2.5D。其中的表示技術(shù)包括英特爾的EMIB、臺積電的CoWos、三星的I-Cube。在先進(jìn)封裝領(lǐng)域，2.5D是特指采用了中介層（interposer）的集成方式，中介層目前多采用硅材料，利用其成熟的工藝和高密度互連的特性。物理結(jié)構(gòu)：所有芯片和無源器件均在XY平面上方，至少有部分芯片和無源器件安裝在中介層上，在XY平面的上方有中介層的布線和過孔，在XY平面的下方有基板的布線和過孔。電氣連接：中介層可提供位于中介層上芯片的電氣連接。雖然理論上講，中介層可以有TSV也可以沒有TSV，但在進(jìn)行高密度互連時，TSV幾乎是不可或缺的，中介層中的TSV通常被稱為2.5D TSV。

電鍍鎳金：電鍍是指借助外界直流電的作用，在溶液中進(jìn)行電解反應(yīng)，是導(dǎo)電體（例如金屬）的表面趁機(jī)金屬或合金層。電鍍分為電鍍硬金和軟金工藝，鍍硬金與軟金的工藝基本相同，槽液組成也基本相同，區(qū)別是硬金槽內(nèi)添加了一些微量金屬鎳或鈷或鐵等元素，由于電鍍工藝中鍍層金屬的厚度和成分容易控制，并且平整度優(yōu)良，所以在采用鍵合工藝的封裝基板進(jìn)行表面處理時，一般采用電鍍鎳金工藝，鋁線的鍵合一般采用硬金，金線的鍵合一般都用軟金。SiP 在應(yīng)用終端產(chǎn)品領(lǐng)域（智能手表、TWS、手機(jī)、穿戴式產(chǎn)品、智能汽車）的爆發(fā)點(diǎn)也將愈來愈近。

幾種類型的先進(jìn)封裝技術(shù)：首先就是 SiP，隨著 5G 的部署加快，這類封裝技術(shù)的應(yīng)用范圍將越來越普遍。其次是應(yīng)用于 Chiplet SiP 的 2.5D/3D 封裝，以及晶圓級封裝，并且利用晶圓級技術(shù)在射頻特性上的優(yōu)勢推進(jìn)扇出型（Fan-Out）封裝。很多半導(dǎo)體廠商都有自己的 SiP 技術(shù)，命名方式各有不同。比如，英特爾叫 EMIB、臺積電叫 SoIC。這些都是 SiP 技術(shù)，差別就在于制程工藝。在智能手機(jī)領(lǐng)域，除射頻模塊外，通用單元電路小型化需求正推升 SiP 技術(shù)的采用率；可穿戴領(lǐng)域，已經(jīng)有在耳機(jī)和智能手表上應(yīng)用 SiP 技術(shù)。SiP封裝為芯片提供支撐，散熱和保護(hù)，同時提供芯片與基板之間的供電和機(jī)械鏈接。福建陶瓷封裝技術(shù)

系統(tǒng)級封裝（SiP）技術(shù)是通過將多個裸片（Die）及無源器件整合在單個封裝體內(nèi)的集成電路封裝技術(shù)。福建芯片封裝定制

3D SIP。3D封裝和2.5D封裝的主要區(qū)別在于：2.5D封裝是在Interposer上進(jìn)行布線和打孔，而3D封裝是直接在芯片上打孔和布線，電氣連接上下層芯片。3D集成目前在很大程度上特指通過3D TSV的集成。物理結(jié)構(gòu)：所有芯片及無源器件都位于XY平面之上且芯片相互疊合，XY平面之上設(shè)有貫穿芯片的TSV，XY平面之下設(shè)有基板布線及過孔。電氣連接：芯片采用TSV與RDL直接電連接。3D集成多適用于同類型芯片堆疊，將若干同類型芯片豎直疊放，并由貫穿芯片疊放的TSV相互連接而成，見下圖。類似的芯片集成多用于存儲器集成，如DRAM Stack和FLASH Stack。福建芯片封裝定制