山西芯片封裝工藝

sip封裝的優(yōu)缺點，SIP封裝的優(yōu)缺點如下：優(yōu)點：結構簡單：SIP封裝的結構相對簡單，制造和組裝過程相對容易。成本低：SIP封裝的制造成本較低，適合大規(guī)模生產?？煽啃愿撸篠IP封裝具有較好的密封性能，可以免受環(huán)境影響，提高產品的可靠性。適應性強：SIP封裝適用于對性能要求不高且需要大批量生產的低成本電子產品。缺點：引腳間距限制：SIP封裝的引腳中心距通常為2.54mm，引腳數(shù)從2至23不等，這限制了其在一些高密度、高性能應用中的使用。不適用于高速傳輸：由于SIP封裝的引腳間距較大，不適合用于高速數(shù)據(jù)傳輸。散熱性能差：SIP封裝的散熱性能較差，可能不適用于高功耗的芯片。SiP是使用成熟的組裝和互連技術，把各種集成電路器件集成到一個封裝體內，實現(xiàn)整機系統(tǒng)的功能。山西芯片封裝工藝

SiP封裝工藝介紹，SiP封裝技術采取多種裸芯片或模塊進行排列組裝，若就排列方式進行區(qū)分可大體分為平面式2D封裝和3D封裝的結構。相對于2D封裝，采用堆疊的3D封裝技術又可以增加使用晶圓或模塊的數(shù)量，從而在垂直方向上增加了可放置晶圓的層數(shù)，進一步增強SiP技術的功能整合能力。而內部接合技術可以是單純的線鍵合（Wire Bonding），也可使用覆晶接合（Flip Chip），也可二者混用。目前世界上先進的3D SiP 采用 Interposer（硅基中介層）將裸晶通過TSV（硅穿孔工藝）與基板結合。江西MEMS封裝方案SiP 封裝技術采取多種裸芯片或模塊進行排列組裝。

系統(tǒng)級封裝（SiP）是將多個集成電路（IC）和無源元件捆綁到單個封裝中，在單個封裝下它們協(xié)同工作的方法。這與片上系統(tǒng)（SoC）形成鮮明對比，功能則集成到同一個芯片中。將基于各種工藝節(jié)點（CMOS，SiGe，BiCMOS）的不同電路的硅芯片可以垂直或并排堆疊在襯底上。該封裝由內部接線進行連接，將所有芯片連接在一起形成一個功能系統(tǒng)。系統(tǒng)級封裝類似于片上系統(tǒng)(SOC)，但它的集成度較低，并且使用的不是單一半導體制造工藝。常見的SiP解決方案可以利用多種封裝技術，例如倒裝芯片、引線鍵合、晶圓級封裝等。封裝在系統(tǒng)中的集成電路和其他組件的數(shù)量可變，理論上是無限的，因此，工程師基本上可以將整個系統(tǒng)集成到單個封裝中。

幾種類型的先進封裝技術：首先就是 SiP，隨著 5G 的部署加快，這類封裝技術的應用范圍將越來越普遍。其次是應用于 Chiplet SiP 的 2.5D/3D 封裝，以及晶圓級封裝，并且利用晶圓級技術在射頻特性上的優(yōu)勢推進扇出型（Fan-Out）封裝。很多半導體廠商都有自己的 SiP 技術，命名方式各有不同。比如，英特爾叫 EMIB、臺積電叫 SoIC。這些都是 SiP 技術，差別就在于制程工藝。在智能手機領域，除射頻模塊外，通用單元電路小型化需求正推升 SiP 技術的采用率；可穿戴領域，已經有在耳機和智能手表上應用 SiP 技術。不同的芯片排列方式，與不同的內部接合技術搭配，使 SiP 的封裝形態(tài)產生多樣化的組合。

SiP 封裝優(yōu)勢：1）封裝面積增大，SiP在同一個封裝種疊加兩個或者多個芯片。把垂直方向的空間利用起來，同時不必增加引出管腳，芯片疊裝在同一個殼體內，整體封裝面積較大程度上減少。2）采用超薄的芯片堆疊與TSV技術使得多層芯片的堆疊封裝體積減小，先進的封裝技術可以實現(xiàn)多層芯片堆疊厚度。3）所有元件在一個封裝殼體內，縮短了電路連接，見笑了阻抗、射頻、熱等損耗影響。提高了光，電等信號的性能。4）SiP 可將不同的材料，兼容不同的GaAs，Si，InP，SiC，陶瓷，PCB等多種材料進行組合進行一體化封裝。封裝基板的分類有很多種，目前業(yè)界比較認可的是從增強材料和結構兩方面進行分類。江西MEMS封裝方案

SIP發(fā)展趨勢，多樣化，復雜化，密集化。山西芯片封裝工藝

SiP還具有以下更多優(yōu)勢：降低成本 – 通常伴隨著小型化，降低成本是一個受歡迎的副作用，盡管在某些情況下SiP是有限的。當對大批量組件應用規(guī)模經濟時，成本節(jié)約開始顯現(xiàn)，但只限于此。其他可能影響成本的因素包括裝配成本、PCB設計成本和離散 BOM（物料清單）開銷，這些因素都會受到很大影響，具體取決于系統(tǒng)。良率和可制造性 – 作為一個不斷發(fā)展的概念，如果有效地利用SiP專業(yè)知識，從模塑料選擇，基板選擇和熱機械建模，可制造性和產量可以較大程度上提高。山西芯片封裝工藝