無錫安全四氟化碳推薦企業(yè)

來源: 發(fā)布時間:2020-02-27
經(jīng)過現(xiàn)場測試和**評審,**組認為,黎明院生產(chǎn)的高純四氟化碳和六氟化硫產(chǎn)品滿足國家重大專項/課題任務書研究內(nèi)容和考核指標規(guī)定的技術(shù)要求。項目的驗收完成,標志著黎明院開發(fā)的高純度含氟電子氣體四氟化碳和六氟化硫產(chǎn)品,能夠滿足極大規(guī)模集成電路行業(yè)所需的高純度氣體需求,也標志著極大規(guī)模集成電路行業(yè)用高純度四氟化碳和六氟化硫電子氣體實現(xiàn)了國產(chǎn)化?!呒兯姆己土蜓邪l(fā)與中試’子項目,通過了國家重大專項項目組的現(xiàn)場測試與評審。相關產(chǎn)品已提交客戶使用,市場應用效果良好?!?

四氟化碳不燃燒,有低毒性和窒息性。無錫安全四氟化碳推薦企業(yè)

四氟化碳,又稱為四氟甲烷。它既可以被視為一種鹵代烴、鹵代甲烷、全氟化碳,也可以被視為一種無機化合物。所以在電子行業(yè)中制作線路板蝕刻過程中,需要使用四氟化碳。在蝕刻過程中,用四氟化碳將多余的銅皮腐蝕掉,附有油墨的電路上銅皮得以保留,之后再用四氟化碳進行清洗電路上的油墨再烘干.高純度四氟化碳和六氟化硫電子氣體是極大規(guī)模集成電路行業(yè)必須的清洗、蝕刻氣體。隨著極大規(guī)模集成電路技術(shù)的提升,芯片制程向14納米甚至7納米的邁進,其對電子氣體的純度要求越來越高。為此,黎明院借助國家科技重大專項平臺,突破產(chǎn)物合成、精制提純、雜物分析、潔凈充裝等關鍵技術(shù),攻克了高純度四氟化碳和六氟化硫制備過程中微量雜質(zhì)的純化、分析等技術(shù)難題, 四氟化碳銷售價格然而與可燃性氣體燃燒時,會分解產(chǎn)生氟化物。

特性 在常溫下,四氟化碳是無色、無臭、不燃的可壓縮性氣體,揮發(fā)性較高,是穩(wěn)定的有機化合物之一,在900℃時,不與銅、鎳、鎢、鉬反應,*在碳弧溫度下緩慢分解,微溶于水,在25℃及0.1Mpa下其溶解度為0.0015%(重量比),然而與可燃性氣體燃燒時,會分解產(chǎn)生氟化物。 應用 四氟化碳是目前微電子工業(yè)中用量的等離子燭刻氣體,其高純氣及四氟化碳高純氣配高純陽氧氣的混合體,可 廣泛應用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及鎢薄膜材料的燭刻。 在電子器件表面清洗、太陽能電池的生產(chǎn)、激光技術(shù)、氣相絕緣、低溫制冷、泄漏檢驗劑、控制宇宙火箭姿態(tài)、印刷電路生產(chǎn)中的去污劑等方面也大量使用。

隨著我國經(jīng)濟結(jié)構(gòu)調(diào)整,新興產(chǎn)業(yè),特別是計算機、消費電子、通信等產(chǎn)業(yè)規(guī)模持續(xù)增長,拉動了對上游集成電路需求。近幾年我國從國家信息安全戰(zhàn)略層面不斷加大對集成電路產(chǎn)業(yè)的政策支持力度,同時,伴隨國內(nèi)集成電路技術(shù)的積累,國內(nèi)近幾年集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模持續(xù)增長,2014年至2019年期間復合增長率達到13.45%,2019年的產(chǎn)值已達到1494.8億。另一方面,隨著半導體制程節(jié)點的進一步縮小,每片晶圓的成本越來越高,特種氣體的消耗量也逐漸增多。邏輯芯片隨著制程節(jié)點的縮小,特種氣體消耗量增長率達20%,存儲芯片特種氣體消耗量增長率為1%。


之后再用四氟化碳進行清洗電路上的油墨再烘干,等工藝。

四氟化碳的化學性質(zhì)穩(wěn)定,在通常情況下,它與硅直接接觸,也不會發(fā)生化學反應。溫度較低時,四氟化碳與二氧化碳不發(fā)生作用,只有在1000℃以上,才能和二氧化碳進行反應,生成羰基氟。 只有適當?shù)臈l件下,四氟化碳才能與氧化劑和還原劑進行反應。 四氟化碳不燃燒,有低毒性和窒息性。四氟化碳對肝臟、腦神經(jīng)系統(tǒng)有損害。與可燃性氣體一起燃燒時,發(fā)生分解,產(chǎn)生的氧化物。

   四氟化碳沒有腐蝕性??墒褂娩X、銅、青銅、鋼、不銹鋼等大部分金屬和合金材料。聚四氟乙烯和環(huán)氧樹脂具有良好的耐腐蝕性能。聚三氟氯乙烯聚合體接觸四氟化碳有輕微溶脹現(xiàn)象,但傻仍可耐無能蝕。尼龍在高溫和有空或有水分存在情況下,它全變脆。


所以在電子行業(yè)中制作線路板蝕刻過程中,需要使用四氟化碳。鎮(zhèn)江節(jié)能四氟化碳高性價比的選擇

四氟化碳是不燃氣體,如果遇到高熱后會造成容器內(nèi)壓增大,有開裂、危險。無錫安全四氟化碳推薦企業(yè)

四氟化碳和氧氣瓶在高溫下不反映,四氟化碳是現(xiàn)階段電子光學制造業(yè)中使用量較大的低溫等離子蝕刻工藝汽體,其高純度氣及四氟化碳高純度氣配高純氧氣的混合體,可市場應用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及鎢塑料薄膜原材料的蝕刻工藝。針對硅和二氧化硅管理體系,選用CF4-H2反映正離子刻蝕時,根據(jù)調(diào)整二種汽體的占比,能夠得到45:1的可選擇性,這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅塑料薄膜時很有效。不良影響簡述危險因素類型:GB2.2類不燃氣體入侵方式:吸進身心健康傷害:吸進高濃的四氟化碳出現(xiàn)呼吸不暢、嘔吐等室息病癥。無錫安全四氟化碳推薦企業(yè)