南通片式多層陶瓷電容器

MLCC已成為應(yīng)用較普遍的電容器，對(duì)一個(gè)國(guó)家電子信息產(chǎn)業(yè)的制造水平有著重大影響。MLCC的結(jié)構(gòu)主要包括三部分：陶瓷介質(zhì)、內(nèi)電極和外電極。因此，在制造MLCC的過(guò)程中，我們可以選擇不同材料的電介質(zhì)和極板，以及連接極板的引線。即內(nèi)部電極、外部電極、端子和介電材料。由于其內(nèi)部結(jié)構(gòu)，MLCC在英語(yǔ)聽(tīng)力和英語(yǔ)聽(tīng)力方面具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。因此，陶瓷電容器具有更好的高頻特性。MLCC電容特性：機(jī)械強(qiáng)度：硬而脆，這是陶瓷材料的機(jī)械強(qiáng)度特性。熱脆性：MLCC的內(nèi)應(yīng)力非常復(fù)雜，因此它對(duì)溫度沖擊的抵抗力非常有限。鋁電解電容，常見(jiàn)的電性能測(cè)試包括：電容量，損耗角正切，漏電流，額定工作電壓，阻抗等等。南通片式多層陶瓷電容器

電容承受溫度與壽命 ，在開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)過(guò)程中，不可避免地要挑選適用的電容。就100μF以上的中、大容量產(chǎn)品來(lái)說(shuō)，因?yàn)殇X電解電容的價(jià)格便宜，所以，迄今使用的較為普遍。但是,較近幾年卻發(fā)生了明顯變化，避免使用鋁電解電容的情況正在增加。出現(xiàn)這種變化的一個(gè)原因是，鋁電解電容的壽命往往會(huì)成為整個(gè)設(shè)備的薄弱環(huán)節(jié)。電源模塊制造廠家的工程師表示：“對(duì)于鋁電解電容這種壽命有限的元件，如果可以不用,就盡量不要采用?！币?yàn)殇X電解電容內(nèi)部的電解液會(huì)蒸發(fā)或產(chǎn)生化學(xué)變化，導(dǎo)致靜電容量減少或等效串聯(lián)電阻(ESR)增大,隨著時(shí)間的推移，電容性能肯定會(huì)劣化。貼片電阻品牌MLCC即多層陶瓷電容器，也可簡(jiǎn)稱為片式電容器、積層電容、疊層電容等，屬于陶瓷電容器的一種。

內(nèi)部電極通過(guò)逐層堆疊，增加電容兩極板的面積，從而增加電容容量。陶瓷介質(zhì)是內(nèi)部填充介質(zhì)，不同介質(zhì)制成的電容器具有不同的特性，如容量大、溫度特性好、頻率特性好等等，這也是陶瓷電容器種類繁多的原因。陶瓷電容器基本參數(shù)：電容的單位:電容的基本單位是F(法)，此外還有F(微法)、nF、pF(微微法)。因?yàn)殡娙軫的容量很大，所以我們通?？吹降氖荈、nF、pF的單位，而不是F。它們之間的具體轉(zhuǎn)換如下：1F＝1000000μF1μF=1000nF=1000000pF

在較低頻率下，較大的電容可以提供低電阻接地路徑。一旦這些電容達(dá)到自諧振頻率，它們的電容特性就消失了，它們變成了具有電感特性的元件。這就是并聯(lián)使用多個(gè)電容的主要原因，可以在很寬的頻率范圍內(nèi)保持較低的交流阻抗。芯片電源要求電源穩(wěn)定，但實(shí)際電源不穩(wěn)定，高頻低頻干擾混雜。實(shí)際電容與理想電容大相徑庭，具有RLC三重性質(zhì)。10uf的電容對(duì)低頻干擾的過(guò)濾效果很好，但對(duì)于高頻干擾，電容是感性的，阻抗太大無(wú)法有效濾除，所以組合一個(gè)0.1uf的電容濾除高頻成分。如果你的設(shè)計(jì)要求不高，沒(méi)必要完全遵守這個(gè)規(guī)則。MLCC成為使用數(shù)量較多的電容。

當(dāng)負(fù)載頻率上升到電容器中流動(dòng)的交流電流的額定電流值時(shí)，即使負(fù)載電壓沒(méi)有達(dá)到額定交流電壓，也需要降低電容器的負(fù)載交流電壓，以保證流經(jīng)電容器的電流不超過(guò)額定電流值，即左圖曲線開(kāi)始下降；但是，負(fù)載頻率不斷上升，電容器損耗因數(shù)引起的發(fā)熱成為電容器負(fù)載電壓的主要限制因素，即負(fù)載電壓會(huì)隨著頻率的增加而急劇下降，即左中圖中曲線的急劇下降部分與負(fù)載交流電壓相反。當(dāng)電容器加載的交流電流頻率較低時(shí)，即使電流沒(méi)有達(dá)到額定電流，電容器上的交流電壓也已經(jīng)達(dá)到其額定值，即加載交流電流受到電容器額定電壓的限制，加載交流電流隨著頻率的增加而增加。常用陶瓷電容容量范圍：0.5pF~100uF。連云港高頻濾波電容規(guī)格

想使電容容量大，有三種方法： ①使用介電常數(shù)高的介質(zhì) ②增大極板間的面積 ③減小極板間的距離。南通片式多層陶瓷電容器

疊層印刷技術(shù)(多層介質(zhì)薄膜疊層印刷)，如何在0805、0603、0402等小尺寸基礎(chǔ)上制造更高電容值的MLCC一直是MLCC業(yè)界的重要課題之一，近幾年隨著材料、工藝和設(shè)備水平的不斷改進(jìn)提高，日本公司已在2μm的薄膜介質(zhì)上疊1000層工藝實(shí)踐，生產(chǎn)出單層介質(zhì)厚度為1μm的100μFMLCC，它具有比片式鉭電容器更低的ESR值，工作溫度更寬(-55℃-125℃)。表示國(guó)內(nèi)MLCC制作較高水平的風(fēng)華高科公司能夠完成流延成3μm厚的薄膜介質(zhì)，燒結(jié)成瓷后2μm厚介質(zhì)的MLCC，與國(guó)外先進(jìn)的疊層印刷技術(shù)還有一定差距。當(dāng)然除了具備可以用于多層介質(zhì)薄膜疊層印刷的粉料之外，設(shè)備的自動(dòng)化程度、精度還有待提高。南通片式多層陶瓷電容器

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