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    圖10d示出導線1020的一維模型與基準矩形跡線1022在距跡線中心1mm的距離處的差異。單個矩形跡線1022的表示可以通過單導線配置和多導線配置兩者來實現(xiàn)。可以看出，該場與一維模型略有偏離。從圖10d可以看出，誤差不可忽略，但在兩種情況下，即使在1mm處，誤差也只有很小的分數(shù)1％。由于接收線圈的大多數(shù)點相對于發(fā)射線圈的距離遠大于1mm，因此1維導線模型在大多數(shù)應用中可能就足夠了。也可以用三維塊狀元素來表示發(fā)射線圈，其中假定電流密度是均勻的。圖10e示出這種近似。如圖10e所示，這以適度的附加計算為代價將由發(fā)射線圈產(chǎn)生的磁場的建模誤差減小了一個數(shù)量級。因此，在步驟1006和步驟1010中，可以將跡線建模為一維跡線。因此，通過使用1維導線模型可以預先計算由發(fā)射線圈產(chǎn)生的源磁場。在一些實施例中，可以使用基于3d塊狀件元素的更高級的模型，如上所述，該模型可以產(chǎn)生大致相同的結(jié)果。這些模型可以使用有限元矩陣形式的計算，然而，此類模型可能需要許多元素，并且需要增加計算。如上文所討論的，類似于fem的模型可能使用太多的元素(1億多個網(wǎng)格元素)來達到所提出的一維模型的準確性。傳感器線圈哪家服務好，無錫東英電子有限公司為您服務！還等什么，快來call我司吧！新能源傳感器線圈廠家供應

    對于16比特寄存器，fs為2e16-1＝65535。圖6示出通過上式確定的用fnl％fs表示的誤差。目標是以盡可能佳的準確性(例如，％fs或更小)產(chǎn)生位置感測。如果使用試錯法設計pcb上的線圈設計，則可獲得的佳準確性為％fs-3％fs。在pcb上形成的傳感器中，有兩個接收器線圈和一個發(fā)射器線圈。測量位置的準確性與線圈設計極為相關(guān)。pcb上的試錯線圈設計已經(jīng)經(jīng)驗性地嘗試解決這些問題。然而，這種簡化但不準確的方法只能考慮有限的問題。所有這些過程都無法得到成功的設計，這是因為整個系統(tǒng)(線圈-目標-跡線)要比容易解決的更復雜，并且，如果所得到的線圈設計將滿足期望的準確性規(guī)范，則佳解決方案必須考慮更大量的參數(shù)。圖7a示出根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的用于提供準確的位置定位系統(tǒng)的印刷電路板上的線圈設計的算法700?？梢栽诰哂凶銐虻挠嬎隳芰韴?zhí)行適當?shù)姆抡娴挠嬎阆到y(tǒng)上執(zhí)行算法700。這樣的系統(tǒng)通常包括被耦合到存儲器的處理器。存儲器可以包括用于存儲數(shù)據(jù)和編程的易失性存儲器或非易失性存儲器二者。在一些情況下，可以使用固定存儲，例如硬盤驅(qū)動器。該系統(tǒng)將包括用戶接口，例如鍵盤、觸摸屏、視頻顯示器、指示設備或其他常見組件。該系統(tǒng)將能夠執(zhí)行這里描述的算法。陜西傳感器線圈報價江蘇制作傳感器線圈的地方；

    部分314、部分316、部分318和部分320允許余弦定向線圈112覆蓋在pcb上。然而，通孔306和pcb322的相對的兩側(cè)上的跡線302和跡線304的存在降低了由線圈104檢測到的信號的有效幅度。有效地，通孔306在發(fā)射線圈106和信號線圈104之間形成間隙距離，這本身對位置定位系統(tǒng)的準確性有很大的影響。這還與以下相結(jié)合：由于在pcb322的頂側(cè)和底側(cè)上都形成了信號線圈104的跡線，而導致的金屬目標124和pcb322上的信號線圈104之間的有效氣隙的增加。圖3b示出另一個關(guān)于對稱性的問題，其中，發(fā)射線圈106與接收線圈104是不對稱的。在圖3b所示的情況下，接收線圈104不以發(fā)射線圈106為中心，并且形成與接收線圈104和發(fā)射線圈106的連接的跡線也不對稱。圖3c示出由發(fā)射線圈106生成的磁場強度的不均勻性。如圖3c所示，發(fā)射線圈106的兩條跡線位于圖上的位置0和位置5處，而接收線圈104被定位在位置0和位置5之間。圖3c示出這些跡線之間的磁場在兩條跡線之間具有小值。圖3c沒有示出由于連接圖3c中所示的兩條跡線并且垂直于圖3c中所示的跡線的兩條跡線而引起的另外的變形(distortion)。圖3d和圖3e還示出可能由發(fā)射線圈106中的位移引起的不準確性。如圖3d和圖3e所示，發(fā)射線圈106包括位移330。

    這些步進電機提供目標的4軸運動，即x、v、z以及繞z軸的旋轉(zhuǎn)。這樣，如圖4b所示的系統(tǒng)400能夠沿包括z方向在內(nèi)的所有可能方向掃描位置定位器系統(tǒng)410中的接收二器線圈上方的金屬目標408，以產(chǎn)生不同的氣隙。如前所述，氣隙是金屬目標408與放置位置定位系統(tǒng)410的發(fā)射線圈和接收線圈的pcb之間的距離。這樣的系統(tǒng)可以用于位置定位器系統(tǒng)410的校準、線性化和分析。圖4c示出在具有發(fā)射線圈106和接收線圈104的旋轉(zhuǎn)位置定位器系統(tǒng)410上方的金屬目標408的掃描。如圖4c所示，金屬目標408在接收器線圈104上方從0°掃描到θ°。圖4d示出當如圖4c所示地掃描金屬目標408時從接收器線圈104測量的電壓vsin和電壓vcos與仿真的結(jié)果的比較的示例。在圖4d的特定示例中，金屬目標408在50個位置被掃描。十字表示樣本電壓，實線表示由電磁場求解程序cdice-bim所仿真的值。位置定位器系統(tǒng)410的準確度可以被定義為在金屬目標408從初始位置掃描到結(jié)束位置期間的位置的測量與該掃描的預期理想曲線之間的差。該結(jié)果以相對于全標度的百分比表示，如圖5所示。在圖5中，pos0是來自位置定位系統(tǒng)410的測量值，并且輸出擬合是理想曲線。pos0是從控制器402的寄存器測量的值，而fs是全標度的值。例如。傳感器線圈哪家專業(yè)，無錫東英電子有限公司值得信賴，歡迎各位新老朋友垂詢！

vc＝1/2、vd＝0、以及ve＝1/2，因此vsin＝vc+vd+ve＝1。類似地，在余弦定向線圈110中，環(huán)路120的一半被覆蓋，導致va＝-1/2，并且環(huán)路122的一半被覆蓋，導致vb＝1/2。因此，由va+vb給出的vcos為0。類似地，圖2c示出金屬目標124相對于正弦定向線圈112和余弦定向線圈110處于180°位置。因此，正弦定向線圈112中的環(huán)路116和環(huán)路118的一半被金屬目標124覆蓋，而余弦定向環(huán)路110中的環(huán)路122被金屬目標124覆蓋。因此va＝-1、vb＝0、vc＝1/2、vd＝-1/2、以及ve＝0。結(jié)果，vsin＝0且vcos＝-1。圖2d示出vcos和vsin相對于具有圖2a、圖2b和圖2c中提供的線圈拓撲的金屬目標124的角位置的曲線圖。如圖2d所示，可以通過處理vcos和vsin的值來確定角位置。如圖所示，通過從定義的初始位置到定義的結(jié)束位置對目標進行掃描，將在的輸出中生成圖2d中所示的正弦(vsin)和余弦(vcos)電壓。金屬目標124相對于接收線圈104的角位置可以根據(jù)來自正弦定向線圈112的vsin和余弦定向線圈110的vcos的值來確定，如圖2e所示。傳感器線圈哪家好，無錫東英電子有限公司值得信賴，期待您的光臨！新能源傳感器線圈廠家供應

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    步驟730可以針對其準確性驗證在步驟724中執(zhí)行的仿真。在步驟732中，如果仿真與測量結(jié)果匹配，則算法720進行到步驟734，在此線圈設計已經(jīng)被驗證。在步驟732中，如果仿真結(jié)果與物理測量結(jié)果不匹配，則算法720進行到步驟736。在步驟736中，如果所執(zhí)行的算法720為對由算法700所產(chǎn)生的線圈設計的驗證，則修改算法700的輸入設計，并返回算法700。在一些實施例中，在步驟736中產(chǎn)生錯誤，指示仿真未正確地運行，因此仿真自身需要進行調(diào)整以便更好地仿真特定位置定位系統(tǒng)中的所有非理想性。在那種情況下，步驟736也可以是模型校準算法。因此，在本發(fā)明的一些實施例中，可以通過迭代地提供當前線圈設計的仿真，然后根據(jù)該仿真修改線圈設計，直到線圈設計滿足期望的規(guī)范為止，來產(chǎn)生優(yōu)化的線圈設計。在一些情況下，作為后一步，將物理產(chǎn)生并測試經(jīng)優(yōu)化的線圈設計，以確保仿真與物理測量的屬性相匹配。無論目標是優(yōu)化還是重新設計pcb上的舊線圈設計，或者無論目標是沒計還是優(yōu)化pcb上的新線圈設計，該過程都有助于優(yōu)化線圈設計。可以根據(jù)算法720驗證pcb上的現(xiàn)有線圈設計，并根據(jù)算法700進行潛在地改進該線圈設計?？梢允褂秒娮釉O計自動化(eda)或計算機輔助設計。新能源傳感器線圈廠家供應

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