振弦式鋼板應變計儀器結構及原理,應變計由前后端座、不銹鋼護管、激勵與信號拾取裝置、密封接座、振弦、電纜與其密封頭組成。當結構物受力或因溫度變化發(fā)生線性伸縮變形時,與結構物剛性固連的應變計產(chǎn)生同步變形,通過前、后端座傳遞給振弦使其產(chǎn)生應力變化,從而改變振弦的固有振動頻率。激勵與信號拾取裝置激勵振弦使其發(fā)生諧振,同時拾取其振動頻率信號,此信號經(jīng)電纜傳輸至讀數(shù)裝置,即可測出被測結構物的線性改變量,此改變量與儀器標稱長度的比值即為應變量。應變計附設溫度計可同步測出埋設點的溫度值。壓電應變計的基本結構就是在兩個電極之間夾一塊壓電晶體。無錫振弦式埋入式應變計型號
混凝土埋入式應變計埋設方法,根據(jù)設計要求確定應變計的埋設位置以及方向。一般要求應變計的軸線與結構物軸線或中心線或設計方位的不重合誤差不超過2°,位置誤差不超過2cm?;靥顟冇嬛車幕炷習r,要謹慎施工,剔除混凝土中粒徑70mm以上的骨料,人工分層振搗密實?;靥盍陷^終應填筑超過應變計表面1.5m以上。振搗器與儀器的較距離應大于振動半徑并不小于1m。埋設時要經(jīng)常檢查應變計的位置和方位,及時發(fā)現(xiàn)并糾正,應變計損壞應及時更換。埋設后,應做好標記,專人守護,以防人為損壞。單向應變計:可在混凝土振搗后及時在埋設部位造孔(槽)埋設。濟南電阻應變計傳感器電阻應變計應用材料和安裝方法,制造敏感柵的常用材枓有銅鎳合金(康銅)、鎳鉻鐵合金、鉑和鉑合金等。
瀝青混凝土應變計安全監(jiān)測設計,1.界面位移變形,界面位移變形是指混凝土基座與壩基之間的接觸縫變形,采用測縫計進行監(jiān)測。大壩內(nèi)部變形監(jiān)測儀器中,測斜管和電磁式沉降環(huán)結合布置,水管式沉降儀和引張線式水平位移計結合布置。2.滲流滲壓監(jiān)測設計,分別沿流線方向和垂直流線方向設置橫、縱向兩個監(jiān)測斷面。橫向監(jiān)測斷面儀器布置情況為,在大壩基礎沿水流向間隔布置,在混凝土基座部位適當加密,采用滲壓計進行監(jiān)測;縱向滲壓監(jiān)測沿灌漿廊道布置,在廊道彎折段或坡度較陡部位,采用測壓管和滲壓計結合進行監(jiān)測。在壩基廊道1#集水井處排水溝內(nèi)設1座量水堰,對廊道內(nèi)的滲流量進行監(jiān)測;利用壩腳的老拱壩,在壩體下游設置1座量水堰對壩體滲流量進行監(jiān)測。
電阻應變計應用材料和安裝方法,制造敏感柵的常用材枓有銅鎳合金(康銅)、線鉻系含金、鐵鉻鋁含金,鎳鉻鐵合金、鉑和鉑合金等。前幾種較常用。這些合金的靈敏系數(shù)為2~6。所用的粘結劑分為有機粘結劑和無機粘結劑兩類。在一般情況下,前者用在溫度低于400℃時,后者則用于高溫條件下。有機粘結劑包括硝化纖維、氧基丙烯酸酯、環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、有機硅樹脂、聚酰亞胺等。除前兩種之外,使用時一般都要加溫加壓使其固化。常用的無機粘結劑有磷酸鹽和噴涂用的金屬氧化物。前者在使用時須加溫固化。用作基底的材料有紙、膠膜、玻璃纖維布,金屬薄片(或金屬網(wǎng))等。金屬箔式應變計,箔式應變計的敏感柵是用厚度為0.002~0.005毫米的銅鎳合金或鎳鉻合金的金屬箔。
電阻應變片的靈敏系數(shù),貼在構件上的電阻應變片,由于構件產(chǎn)生應變。應變片產(chǎn)生了微小的電阻變化。電阻變化率(△R/R)與應變(ε=△L/L)之比稱為應變片的靈敏系數(shù)(K)。根據(jù)推導,電阻絲單絲的靈敏系數(shù)KS主要與電阻絲材料的波桑比有關,因而為一常數(shù)。通常所用的柵狀電阻絲應變片,由于電阻應變片兩端的阻絲有圓弧彎轉部分,所以不僅沿電阻絲方向的應變能使應變片產(chǎn)生電阻變化,而垂直于電阻絲方向的應變亦使應變片產(chǎn)生部分電阻變化。這種現(xiàn)象稱為應變片的橫向效應。因此應變片的靈敏系數(shù)與電阻絲單絲的靈敏系數(shù)有所不同,但仍接近于常數(shù)。振弦式應變計主要由左右端安裝支座、鋼弦和線圈組成。濟南電阻應變計傳感器
埋入式振弦應變計外殼堅固,耐沖擊和耐腐蝕。無錫振弦式埋入式應變計型號
電阻應變計半導體應變計,將半導體應變計安裝在被測構件上,在構件承受載荷而產(chǎn)生應變時,其電阻率將發(fā)生變化。半導體應變計就是以這種壓阻效應作為理論基礎的,其敏感柵由鍺或硅等半導體材料制成。這種應變計可分為體型和擴散型兩種。前者的敏感柵由單晶硅或鍺等半導體經(jīng)切片和腐蝕等方法制成,后者的敏感柵則是將雜質擴散在半導體材料中制成的。半導體應變計的優(yōu)點是靈敏系數(shù)大,機械滯后和蠕變小,頻率響應高;缺點是電阻溫度系數(shù)大,靈敏系數(shù)隨溫度而明顯變化,應變和電阻之間的線性關系范圍小。正確選擇半導體材料和改進生產(chǎn)工藝,這些缺點可望得到克服。半導體應變計多用于測量小的應變(10-1微應變到數(shù)百微應變),已普遍用于應變測量和制造各種類型的傳感器(見電阻應變計式傳感器)。無錫振弦式埋入式應變計型號
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