四川鍵合機(jī)樣機(jī)試用

在鍵合過(guò)程中，將兩個(gè)組件的表面弄平并徹底清潔以確保它們之間的緊密接觸。然后它們被夾在兩個(gè)電極之間，加熱至752-932℃（華氏400-500攝氏度），和幾百到千伏的電勢(shì)被施加，使得負(fù)電極，這就是所謂的陰極，是在接觸在玻璃中，正極（陽(yáng)極）與硅接觸。玻璃中帶正電的鈉離子變得可移動(dòng)并向陰極移動(dòng)，在與硅片的邊界附近留下少量的正電荷，然后通過(guò)靜電吸引將其保持在適當(dāng)?shù)奈恢?。帶?fù)電的氧氣來(lái)自玻璃的離子向陽(yáng)極遷移，并在到達(dá)邊界時(shí)與硅反應(yīng)，形成二氧化硅（SiO 2）。產(chǎn)生的化學(xué)鍵將兩個(gè)組件密封在一起。EVG501 晶圓鍵合機(jī)系統(tǒng)：真正的低強(qiáng)度晶圓楔形補(bǔ)償系統(tǒng)，可實(shí)現(xiàn)醉高產(chǎn)量；研發(fā)和試生產(chǎn)的醉低購(gòu)置成本。四川鍵合機(jī)樣機(jī)試用

真空系統(tǒng)：9x10-2mbar（標(biāo)準(zhǔn)）和9x10-3mbar（渦輪泵選件） 清潔站 清潔方式：沖洗（標(biāo)準(zhǔn)），超音速?lài)娮?，超音速面積傳感器，噴嘴，刷子（可選） 腔室：由PP或PFA制成（可選） 清潔介質(zhì)：去離子水（標(biāo)準(zhǔn)），NH4OH和H2O2（蕞/大）。2％濃度（可選） 旋轉(zhuǎn)卡盤(pán)：真空卡盤(pán)（標(biāo)準(zhǔn)）和邊緣處理卡盤(pán)（選件），由不含金屬離子的清潔材料制成 旋轉(zhuǎn)：蕞/高3000rpm（5s） 清潔臂：蕞多5條介質(zhì)線（1個(gè)超音速系統(tǒng)使用2條線） 可選功能 ISO3mini-environment（根據(jù)ISO14644） LowTemp?等離子活化室 紅外檢查站 以上資料由岱美儀器提供并做技術(shù)支持晶圓片鍵合機(jī)推薦產(chǎn)品EVG鍵合機(jī)可配置為黏合劑，陽(yáng)極，直接/熔融，玻璃料，焊料（包括共晶和瞬態(tài)液相）和金屬擴(kuò)散/熱壓縮工藝。

目前關(guān)于晶片鍵合的研究很多，工藝日漸成熟，但是對(duì)于表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅片鍵合研究很少，鍵合效果很差。本文針對(duì)表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓的封裝問(wèn)題，提出一種基于采用Ti/Au作為金屬過(guò)渡層的硅—硅共晶鍵合的鍵合工藝，實(shí)現(xiàn)表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓之間的鍵合，解決鍵合對(duì)硅晶圓表面要求極高，環(huán)境要求苛刻的問(wèn)題。在對(duì)金層施加一定的壓力和溫度時(shí)，金層發(fā)生流動(dòng)、互融，從而形成鍵合。該過(guò)程對(duì)金的純度要求較高，即當(dāng)金層發(fā)生氧化就會(huì)影響鍵合質(zhì)量。

熔融和混合鍵合系統(tǒng)：熔融或直接晶圓鍵合可通過(guò)每個(gè)晶圓表面上的介電層長(zhǎng)久連接，該介電層用于工程襯底或?qū)愚D(zhuǎn)移應(yīng)用，例如背面照明的CMOS圖像傳感器?；旌湘I合擴(kuò)展了與鍵合界面中嵌入的金屬焊盤(pán)的熔融鍵合，從而允許晶片面對(duì)面連接?；旌辖壎ǖ闹饕獞?yīng)用是高級(jí)3D設(shè)備堆疊。EVG的熔融和混合鍵合設(shè)備包含：EVG301單晶圓清洗系統(tǒng)；EVG320自動(dòng)化單晶圓清洗系統(tǒng)；EVG810LT低溫等離子基活系統(tǒng)；EVG850LTSOI和晶圓直接鍵合自動(dòng)化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)；EVG850SOI和晶圓直接鍵合自動(dòng)化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)；GEMINIFB自動(dòng)化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng)；BONDSCALE自動(dòng)化熔融鍵合生產(chǎn)系統(tǒng)。EVG500系列鍵合機(jī)擁有多種鍵合方法，包括陽(yáng)極，熱壓縮，玻璃料，環(huán)氧樹(shù)脂，UV和熔融鍵合。

EVG®810LT技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑（基板尺寸）50-200、100-300毫米LowTemp?等離子活化室工藝氣體：2種標(biāo)準(zhǔn)工藝氣體（N2和O2）通用質(zhì)量流量控制器：自校準(zhǔn)（高達(dá)20.000sccm）真空系統(tǒng)：9x10-2mbar腔室的打開(kāi)/關(guān)閉：自動(dòng)化腔室的加載/卸載：手動(dòng)（將晶圓/基板放置在加載銷(xiāo)上）可選功能：卡盤(pán)適用于不同的晶圓尺寸無(wú)金屬離子活化混合氣體的其他工藝氣體帶有渦輪泵的高真空系統(tǒng)：9x10-3mbar基本壓力符合LowTemp?等離子活化粘結(jié)的材料系統(tǒng)Si：Si/Si，Si/Si（熱氧化，Si（熱氧化）/Si（熱氧化）TEOS/TEOS（熱氧化）絕緣體鍺（GeOI）的Si/GeSi/Si3N4玻璃（無(wú)堿浮法）：硅/玻璃，玻璃/玻璃化合物半導(dǎo)體：GaAs，GaP，InP聚合物：PMMA，環(huán)烯烴聚合物用戶(hù)可以使用上述和其他材料的“蕞佳已知方法”配方（可根據(jù)要求提供完整列表）EVG鍵合機(jī)頂部和底部晶片的duli溫度控制補(bǔ)償了不同的熱膨脹系數(shù)，實(shí)現(xiàn)無(wú)應(yīng)力鍵合和出色的溫度均勻性。實(shí)驗(yàn)室鍵合機(jī)廠家

EVG鍵合機(jī)軟件是基于Windows的圖形用戶(hù)界面的設(shè)計(jì)，注重用戶(hù)友好性，可輕松引導(dǎo)操作員完成每個(gè)流程步驟。四川鍵合機(jī)樣機(jī)試用

EVG®820層壓系統(tǒng) 將任何類(lèi)型的干膠膜（膠帶）自動(dòng)無(wú)應(yīng)力層壓到晶圓上 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) EVG820層壓站用于將任何類(lèi)型的干膠膜自動(dòng)，無(wú)應(yīng)力地層壓到載體晶片上。這項(xiàng)獨(dú)特的層壓技術(shù)可對(duì)卷筒上的膠帶進(jìn)行打孔，然后將其對(duì)齊并層壓到晶圓上。該材料通常是雙面膠帶。利用沖壓技術(shù)，可以自由選擇膠帶的尺寸和尺寸，并且與基材無(wú)關(guān)。 特征 將任何類(lèi)型的干膠膜自動(dòng)，無(wú)應(yīng)力和無(wú)空隙地層壓到載體晶片上 在載體晶片上精確對(duì)準(zhǔn)的層壓 保護(hù)套剝離 干膜層壓站可被集成到一個(gè)EVG®850TB臨時(shí)鍵合系統(tǒng) 技術(shù)數(shù)據(jù) 晶圓直徑（基板尺寸） 高達(dá)300毫米 組態(tài) 1個(gè)打孔單元 底側(cè)保護(hù)襯套剝離 層壓 選件 頂側(cè)保護(hù)膜剝離 光學(xué)對(duì)準(zhǔn) 加熱層壓四川鍵合機(jī)樣機(jī)試用

岱美儀器技術(shù)服務(wù)（上海）有限公司屬于儀器儀表的高新企業(yè)，技術(shù)力量雄厚。公司致力于為客戶(hù)提供安全、質(zhì)量有保證的良好產(chǎn)品及服務(wù)，是一家其他有限責(zé)任公司企業(yè)。以滿(mǎn)足顧客要求為己任；以顧客永遠(yuǎn)滿(mǎn)意為標(biāo)準(zhǔn)；以保持行業(yè)優(yōu)先為目標(biāo)，提供***的半導(dǎo)體工藝設(shè)備，半導(dǎo)體測(cè)量設(shè)備，光刻機(jī) 鍵合機(jī)，膜厚測(cè)量?jī)x。岱美中國(guó)以創(chuàng)造***產(chǎn)品及服務(wù)的理念，打造高指標(biāo)的服務(wù)，引導(dǎo)行業(yè)的發(fā)展。