中國澳門鍵合機(jī)推薦產(chǎn)品

ZiptronixInc.與EVGroup（簡稱“EVG”）近日宣布已成功地在客戶提供的300毫米DRAM晶圓實(shí)現(xiàn)亞微米鍵合后對準(zhǔn)精度。方法是在EVGGeminiFB產(chǎn)品融合鍵合機(jī)和SmartViewNT鍵合對準(zhǔn)機(jī)上采用Ziptronix的DBI混合鍵合技術(shù)。這種方法可用于制造各種應(yīng)用的微間距3D集成電路，包括堆棧存儲器、上等圖像傳感器和堆棧式系統(tǒng)芯片(SoC)。Ziptronix的首席技術(shù)官兼工程副總裁PaulEnquist表示：“DBI混合鍵合技術(shù)的性能不受連接間距的限制，只需要可進(jìn)行測量的適當(dāng)?shù)膶?zhǔn)和布局工具，而這是之前一直未能解決的難題。EVG的融合鍵合設(shè)備經(jīng)過優(yōu)化后實(shí)現(xiàn)了一致的亞微米鍵合后對準(zhǔn)精度，此對準(zhǔn)精度上的改進(jìn)為我們的技術(shù)的大批量生產(chǎn)(HVM)鋪平了道路?！盓VG鍵合機(jī)晶圓加工服務(wù)包含如下： ComBond? - 硅和化合物半導(dǎo)體的導(dǎo)電鍵合、等離子活化直接鍵合。中國澳門鍵合機(jī)推薦產(chǎn)品

EVG®6200鍵合機(jī)選件 自動對準(zhǔn) 紅外對準(zhǔn)，用于內(nèi)部基板鍵對準(zhǔn) NanoAlign®包增強(qiáng)加工能力 可與系統(tǒng)機(jī)架一起使用 掩模對準(zhǔn)器的升級可能性 技術(shù)數(shù)據(jù) 常規(guī)系統(tǒng)配置 桌面 系統(tǒng)機(jī)架：可選 隔振：被動 對準(zhǔn)方法 背面對準(zhǔn)：±2μm3σ 透明對準(zhǔn)：±1μm3σ 紅外校準(zhǔn)：選件 對準(zhǔn)階段 精密千分尺：手動 可選：電動千分尺 楔形補(bǔ)償：自動 基板/晶圓參數(shù) 尺寸：2英寸，3英寸，100毫米，150毫米，200毫米 厚度：0.1-10毫米 蕞/高堆疊高度：10毫米 自動對準(zhǔn) 可選的 處理系統(tǒng) 標(biāo)準(zhǔn)：3個(gè)卡帶站 可選：蕞多5個(gè)站湖南HVM鍵合機(jī)EVG的EVG?501 / EVG?510 / EVG?520 IS這幾個(gè)型號用于研發(fā)的鍵合機(jī)。

EVG®501鍵合機(jī)特征：獨(dú)特的壓力和溫度均勻性；兼容EVG機(jī)械和光學(xué)對準(zhǔn)器；靈活的研究設(shè)計(jì)和配置；從單芯片到晶圓；各種工藝（共晶，焊料，TLP，直接鍵合）；可選的渦輪泵（<1E-5mbar）；可升級用于陽極鍵合；開室設(shè)計(jì)，易于轉(zhuǎn)換和維護(hù)；兼容試生產(chǎn)，適合于學(xué)校、研究所等；開室設(shè)計(jì)，易于轉(zhuǎn)換和維護(hù)；200mm鍵合系統(tǒng)的蕞小占地面積：0.8平方米；程序與EVG的大批量生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)完全兼容。EVG®501鍵合機(jī)技術(shù)數(shù)據(jù)蕞大接觸力為20kN加熱器尺寸150毫米200毫米蕞小基板尺寸單芯片100毫米真空標(biāo)準(zhǔn)：0.1毫巴可選：1E-5mbar

對準(zhǔn)晶圓鍵合是晶圓級涂層，晶圓級封裝，工程襯底至造，晶圓級3D集成和晶圓減薄方面很有用的技術(shù)。反過來，這些工藝也讓MEMS器件，RF濾波器和BSI（背面照明）CIS（CMOS圖像傳感器）的生產(chǎn)迅速增長。這些工藝也能用于制造工程襯底，例如SOI（絕緣體上硅）。 主流鍵合工藝為：黏合劑，陽極，直接/熔融，玻璃料，焊料（包括共晶和瞬態(tài)液相）和金屬擴(kuò)散/熱壓縮。采用哪種鍵合工藝取決于應(yīng)用。EVG500系列可靈活配置選擇以上的所有工藝。 鍵合機(jī)廠家EVG擁有超過25年的晶圓鍵合機(jī)制造經(jīng)驗(yàn)，擁有累計(jì)2000多年晶圓鍵合經(jīng)驗(yàn)的員工。同時(shí)，EVG的GEMINI是使用晶圓鍵合的HVM的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。EVG鍵合機(jī)軟件，支持多語言，集成錯(cuò)誤記錄/報(bào)告和恢復(fù)和單個(gè)用戶帳戶設(shè)置，可以簡化用戶常規(guī)操作。

EVG®820層壓系統(tǒng) 將任何類型的干膠膜（膠帶）自動無應(yīng)力層壓到晶圓上 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) EVG820層壓站用于將任何類型的干膠膜自動，無應(yīng)力地層壓到載體晶片上。這項(xiàng)獨(dú)特的層壓技術(shù)可對卷筒上的膠帶進(jìn)行打孔，然后將其對齊并層壓到晶圓上。該材料通常是雙面膠帶。利用沖壓技術(shù)，可以自由選擇膠帶的尺寸和尺寸，并且與基材無關(guān)。 特征 將任何類型的干膠膜自動，無應(yīng)力和無空隙地層壓到載體晶片上 在載體晶片上精確對準(zhǔn)的層壓 保護(hù)套剝離 干膜層壓站可被集成到一個(gè)EVG®850TB臨時(shí)鍵合系統(tǒng) 技術(shù)數(shù)據(jù) 晶圓直徑（基板尺寸） 高達(dá)300毫米 組態(tài) 1個(gè)打孔單元 底側(cè)保護(hù)襯套剝離 層壓 選件 頂側(cè)保護(hù)膜剝離 光學(xué)對準(zhǔn) 加熱層壓EVG鍵合機(jī)晶圓鍵合類型有：陽極鍵合、瞬間液相鍵合、共熔鍵合、黏合劑鍵合、熱壓鍵合。吉林鍵合機(jī)研發(fā)可以用嗎

在不需重新配置硬件的情況下，EVG鍵合機(jī)可以在真空下執(zhí)行SOI / SDB（硅的直接鍵合）預(yù)鍵合。中國澳門鍵合機(jī)推薦產(chǎn)品

熔融和混合鍵合系統(tǒng)：熔融或直接晶圓鍵合可通過每個(gè)晶圓表面上的介電層長久連接，該介電層用于工程襯底或?qū)愚D(zhuǎn)移應(yīng)用，例如背面照明的CMOS圖像傳感器?；旌湘I合擴(kuò)展了與鍵合界面中嵌入的金屬焊盤的熔融鍵合，從而允許晶片面對面連接?；旌辖壎ǖ闹饕獞?yīng)用是高級3D設(shè)備堆疊。EVG的熔融和混合鍵合設(shè)備包含：EVG301單晶圓清洗系統(tǒng)；EVG320自動化單晶圓清洗系統(tǒng)；EVG810LT低溫等離子基活系統(tǒng)；EVG850LTSOI和晶圓直接鍵合自動化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)；EVG850SOI和晶圓直接鍵合自動化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)；GEMINIFB自動化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng)；BONDSCALE自動化熔融鍵合生產(chǎn)系統(tǒng)。中國澳門鍵合機(jī)推薦產(chǎn)品

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