美元報(bào)價(jià)鍵合機(jī)用于生物芯片

共晶鍵合［8，9］是利用某些共晶合金熔融溫度較低的特點(diǎn)，以其作為中間鍵合介質(zhì)層，通過加熱熔融產(chǎn)生金屬—半導(dǎo)體共晶相來實(shí)現(xiàn)。因此，中間介質(zhì)層的選取可以很大程度影響共晶鍵合的工藝以及鍵合質(zhì)量。中間金屬鍵合介質(zhì)層種類很多，通常有鋁、金、鈦、鉻、鉛—錫等。雖然金—硅共熔溫度不是蕞 低( 363 ℃ ) 的，但其共晶體的一種成分即為預(yù)鍵合材料硅本身，可以降低鍵合工藝難度，且其液相粘結(jié)性好，故本文采用金—硅合金共晶相作為中間鍵合介質(zhì)層進(jìn) 行表面有微結(jié)構(gòu)的硅—硅共晶鍵合技術(shù)的研究。而金層與 硅襯底的結(jié)合力較弱，故還要加入鈦金屬作為黏結(jié)層增強(qiáng)金層與硅襯底的結(jié)合力，同時(shí)鈦也具有阻擋擴(kuò)散層的作用， 可以阻止金向硅中擴(kuò)散［10，11］。以上應(yīng)用工藝也讓MEMS器件，RF濾波器和BSI（背面照明）CIS（CMOS圖像傳感器）的生產(chǎn)迅速增長(zhǎng)。美元報(bào)價(jià)鍵合機(jī)用于生物芯片

EVG®850鍵合機(jī) EVG®850鍵合機(jī)特征 生產(chǎn)系統(tǒng)可在高通量，高產(chǎn)量環(huán)境中運(yùn)行 自動(dòng)盒帶間或FOUP到FOUP操作 無污染的背面處理 超音速和/或刷子清潔 機(jī)械平整或缺口對(duì)準(zhǔn)的預(yù)鍵合 先進(jìn)的遠(yuǎn)程診斷 技術(shù)數(shù)據(jù) 晶圓直徑（基板尺寸） 100-200、150-300毫米 全自動(dòng)盒帶到盒帶操作 預(yù)鍵合室 對(duì)準(zhǔn)類型：平面到平面或凹口到凹口 對(duì)準(zhǔn)精度：X和Y：±50μm，θ：±0.1° 結(jié)合力：蕞/高5N 鍵合波起始位置：從晶圓邊緣到中心靈活 真空系統(tǒng)：9x10-2mbar（標(biāo)準(zhǔn)）和9x10-3mbar（渦輪泵選件） 清潔站 清潔方式：沖洗（標(biāo)準(zhǔn)），超音速噴嘴，超音速面積傳感器，噴嘴，刷子（可選） 腔室：由PP或PFA制成（可選） 清潔介質(zhì)：去離子水（標(biāo)準(zhǔn)），NH4OH和H2O2（蕞/大）。2％濃度（可選） 旋轉(zhuǎn)卡盤：真空卡盤（標(biāo)準(zhǔn)）和邊緣處理卡盤（選件），由不含金屬離子的清潔材料制成 旋轉(zhuǎn)：蕞/高3000rpm（5s）絕緣體上硅鍵合機(jī)質(zhì)保期多久EVG鍵合機(jī)的特征有：壓力高達(dá)100 kN、基底高達(dá)200mm、溫度高達(dá)550°C、真空氣壓低至1·10-6 mbar。

根據(jù)型號(hào)和加熱器尺寸，EVG500系列鍵合機(jī)可以用于碎片和50mm至300mm的晶圓。這些工具的靈活性非常適合中等批量生產(chǎn)、研發(fā)，并且可以通過簡(jiǎn)單的方法進(jìn)行大批量生產(chǎn)，因?yàn)殒I合程序可以轉(zhuǎn)移到EVGGEMINI大批量生產(chǎn)系統(tǒng)中。鍵合室配有通用鍵合蓋，可快速排空，快速加熱和冷卻。通過控制溫度，壓力，時(shí)間和氣體，允許進(jìn)行大多數(shù)鍵合過程。也可以通過添加電源來執(zhí)行陽(yáng)極鍵合。對(duì)于UV固化黏合劑，可選的鍵合室蓋具有UV源。鍵合可在真空或受控氣體條件下進(jìn)行。頂部和底部晶片的獨(dú)力溫度控制補(bǔ)償了不同的熱膨脹系數(shù)，從而實(shí)現(xiàn)無應(yīng)力黏合和出色的溫度均勻性。在不需要重新配置硬件的情況下，可以在真空下執(zhí)行SOI/SDB（硅的直接鍵合）預(yù)鍵合。

半導(dǎo)體器件的垂直堆疊已經(jīng)成為使器件密度和性能不斷提高的日益可行的方法。晶圓間鍵合是實(shí)現(xiàn)3D堆疊設(shè)備的重要工藝步驟。然而，需要晶片之間的緊密對(duì)準(zhǔn)和覆蓋精度以在鍵合晶片上的互連器件之間實(shí)現(xiàn)良好的電接觸，并蕞小化鍵合界面處的互連面積，從而可以在晶片上騰出更多空間用于生產(chǎn)設(shè)備。支持組件路線圖所需的間距不斷減小，這推動(dòng)了每一代新產(chǎn)品的更嚴(yán)格的晶圓間鍵合規(guī)范。imec3D系統(tǒng)集成兼項(xiàng)目總監(jiān)兼EricBeyne表示：“在imec，我們相信3D技術(shù)的力量將為半導(dǎo)體行業(yè)創(chuàng)造新的機(jī)遇和可能性，并且我們將投入大量精力來改善它?！疤貏e關(guān)注的領(lǐng)域是晶圓對(duì)晶圓的鍵合，在這一方面，我們通過與EVGroup等行業(yè)合作伙伴的合作取得了優(yōu)異的成績(jī)。去年，我們成功地縮短了芯片連接之間的距離或間距，將晶圓間的混合鍵合厚度減小到1.4微米，是目前業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)間距的四倍。今年，我們正在努力將間距至少降低一半?！盓VG鍵合機(jī)鍵合卡盤承載來自對(duì)準(zhǔn)器對(duì)準(zhǔn)的晶圓堆疊，用來執(zhí)行隨后的鍵合過程。

GEMINI®FB特征：新的SmartView®NT3面-面結(jié)合對(duì)準(zhǔn)具有亞50納米晶片到晶片的對(duì)準(zhǔn)精度多達(dá)六個(gè)預(yù)處理模塊，例如：清潔模塊LowTemp?等離子基活模塊對(duì)準(zhǔn)驗(yàn)證模塊解鍵合模塊XT框架概念通過EFEM（設(shè)備前端模塊）實(shí)現(xiàn)蕞高吞吐量可選功能：解鍵合模塊熱壓鍵合模塊技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑（基板尺寸）200、300毫米蕞高處理模塊數(shù)：6+的SmartView®NT可選功能：解鍵合模塊熱壓鍵合模塊EVG的GEMINIFBXT集成熔融鍵合系統(tǒng)，擴(kuò)展了現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn)，并擁有更高的生產(chǎn)率，更高的對(duì)準(zhǔn)和涂敷精度，適用于諸如存儲(chǔ)器堆疊，3D片上系統(tǒng)（SoC），背面照明的CMOS圖像傳感器堆疊和芯片分割等應(yīng)用。該系統(tǒng)采用了新的SmartViewNT3鍵合對(duì)準(zhǔn)器，該鍵合對(duì)準(zhǔn)器是專門為<50nm的熔融和混合晶片鍵合對(duì)準(zhǔn)要求而開發(fā)的。鍵合機(jī)供應(yīng)商EVG擁有超過25年的晶圓鍵合機(jī)制造經(jīng)驗(yàn)，擁有累計(jì)2000多年晶圓鍵合經(jīng)驗(yàn)的員工。優(yōu)惠價(jià)格鍵合機(jī)用途是什么

EVG鍵合機(jī)軟件是基于Windows的圖形用戶界面的設(shè)計(jì)，注重用戶友好性，可輕松引導(dǎo)操作員完成每個(gè)流程步驟。美元報(bào)價(jià)鍵合機(jī)用于生物芯片

EVG®520IS晶圓鍵合系統(tǒng)■擁有EVG®501和EVG®510鍵合機(jī)的所有功能■200mm的單個(gè)或者雙腔自動(dòng)化系統(tǒng)■自動(dòng)晶圓鍵合流程和晶圓替代轉(zhuǎn)移■集成冷卻站，實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)量EVG®540自動(dòng)鍵合系統(tǒng)■300mm單腔鍵合室■自動(dòng)處理多達(dá)4個(gè)鍵合卡盤■模塊化鍵合室■自動(dòng)底側(cè)冷卻EVG®560自動(dòng)晶圓鍵合系統(tǒng)■多達(dá)4個(gè)鍵合室，滿足各種鍵合操作■自動(dòng)裝卸鍵合室和冷卻站■遠(yuǎn)程在線診斷■自動(dòng)化機(jī)器人處理系統(tǒng)，用于機(jī)械對(duì)準(zhǔn)的自動(dòng)盒式磁帶晶圓鍵合■工作站式布局，適用于所有鍵合工藝的設(shè)備配置EVG®GEMINI®自動(dòng)化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng)在蕞小的占地面積上，同時(shí)利用比較/高精度的EVGSmaiewNT技術(shù)，前/列的GEMINI大批量生產(chǎn)系統(tǒng)，并結(jié)合了自動(dòng)光學(xué)對(duì)準(zhǔn)和鍵合操作。有關(guān)更多詳/細(xì)信息，請(qǐng)參/閱我們的GEMINI手冊(cè)。美元報(bào)價(jià)鍵合機(jī)用于生物芯片

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