共晶鍵合[8,9]是利用某些共晶合金熔融溫度較低的特點,以其作為中間鍵合介質(zhì)層,通過加熱熔融產(chǎn)生金屬—半導體共晶相來實現(xiàn)。因此,中間介質(zhì)層的選取可以很大程度影響共晶鍵合的工藝以及鍵合質(zhì)量。中間金屬鍵合介質(zhì)層種類很多,通常有鋁、金、鈦、鉻、鉛—錫等。雖然金—硅共熔溫度不是蕞 低( 363 ℃ ) 的,但其共晶體的一種成分即為預鍵合材料硅本身,可以降低鍵合工藝難度,且其液相粘結(jié)性好,故本文采用金—硅合金共晶相作為中間鍵合介質(zhì)層進 行表面有微結(jié)構(gòu)的硅—硅共晶鍵合技術(shù)的研究。而金層與 硅襯底的結(jié)合力較弱,故還要加入鈦金屬作為黏結(jié)層增強金層與硅襯底的結(jié)合力,同時鈦也具有阻擋擴散層的作用, 可以阻止金向硅中擴散[10,11]。 EVG鍵合機提供的加工服務。廣東鍵合機廠家
鍵合卡盤承載來自對準器對準的晶圓堆疊,以執(zhí)行隨后的鍵合過程??梢允褂眠m合每個通用鍵合室的磚用卡盤來處理各種尺寸的晶圓和鍵合應用。EVG®501/EVG®510/EVG®520IS是用于研發(fā)的鍵合機。晶圓鍵合類型■陽極鍵合■黏合劑鍵合■共熔鍵合■瞬間液相鍵合■熱壓鍵合EVG鍵合機特征■基底高達200mm■壓力高達100kN■溫度高達550°C■真空氣壓低至1·10-6mbar■可選:陽極,UV固化,650℃加熱器EVG鍵合機加工服務EVG設(shè)備的晶圓加工服務包含如下:■等離子活化直接鍵合■ComBond®-硅和化合物半導體的導電鍵合■高真空對準鍵合■臨時鍵合和熱、機械或者激光剖離■混合鍵合■黏合劑鍵合■集體D2W鍵合。 半導體鍵合機EVG的EVG?501 / EVG?510 / EVG?520 IS這幾個型號用于研發(fā)的鍵合機。
EVG®6200BA自動鍵合對準系統(tǒng) 用于晶圓間對準的自動化鍵合對準系統(tǒng),用于中等和批量生產(chǎn) 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) EVG鍵合對準系統(tǒng)提供了蕞/高的精度,靈活性和易用性,模塊化升級功能,并且已經(jīng)在眾多高通量生產(chǎn)環(huán)境中進行了認證。EVG鍵對準器的精度可滿足MEMS生產(chǎn)和3D集成應用等新興領(lǐng)域中蕞苛刻的對準過程。 特征 適用于EVG所有的200mm鍵合系統(tǒng) 支持蕞大200mm晶圓尺寸的雙晶圓或三晶圓堆疊的鍵合對準 手動或電動對中平臺,帶有自動對中選項 全電動高/分辨率底面顯微鏡 基于Windows的用戶界面
晶圓級封裝的實現(xiàn)可以帶來許多經(jīng)濟利益。它允許晶圓制造,封裝和測試的集成,從而簡化制造過程。縮短的制造周期時間可提高生產(chǎn)量并降低每單位制造成本。晶圓級封裝還可以減小封裝尺寸,從而節(jié)省材料并進一步降低生產(chǎn)成本。然而,更重要的是,減小的封裝尺寸允許組件用于更廣范的高級產(chǎn)品中。晶圓級封裝的主要市場驅(qū)動因素之一是需要更小的組件尺寸,尤其是減小封裝高度。岱美儀器提供的EVG的晶圓鍵合機,可以實現(xiàn)晶圓級封裝的功能。 EVG?500系列鍵合模塊-適用于GEMINI,支持除紫外線固化膠以外的所有主流鍵合工藝。
ComBond自動化的高真空晶圓鍵合系統(tǒng),高真空晶圓鍵合平臺促進“任何物上的任何東西”的共價鍵合特色技術(shù)數(shù)據(jù),EVGComBond高真空晶圓鍵合平臺標志著EVG獨特的晶圓鍵合設(shè)備和技術(shù)產(chǎn)品組合中的一個新里程碑,可滿足市場對更復雜的集成工藝的需求ComBond支持的應用領(lǐng)域包括先進的工程襯底,堆疊的太陽能電池和功率器件到膏端MEMS封裝,高性能邏輯和“beyondCMOS” 器件ComBond系統(tǒng)的模塊化集群設(shè)計提供了高度靈活的平臺,可以針對研發(fā)和高通量,大批量制造環(huán)境中的各種苛刻的客戶需求量身定制ComBond促進了具有不同晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)(CTE)的異質(zhì)材料的鍵合,并通過其獨特的氧化物去除工藝促進了導電鍵界面的形成ComBond高真空技術(shù)還可以實現(xiàn)鋁等金屬的低溫鍵合,這些金屬在周圍環(huán)境中會迅速重新氧化。對于所有材料組合,都可以實現(xiàn)無空隙和無顆粒的鍵合界面以及出色的鍵合強度。EVG鍵合機晶圓鍵合類型有:陽極鍵合、瞬間液相鍵合、共熔鍵合、黏合劑鍵合、熱壓鍵合。EVG850 TB鍵合機可以免稅嗎
針對高級封裝,MEMS,3D集成等不同市場需求,EVG優(yōu)化了用于對準的多個鍵合模塊。廣東鍵合機廠家
GEMINI®FB特征:新的SmartView®NT3面-面結(jié)合對準具有亞50納米晶片到晶片的對準精度多達六個預處理模塊,例如:清潔模塊LowTemp?等離子基活模塊對準驗證模塊解鍵合模塊XT框架概念通過EFEM(設(shè)備前端模塊)實現(xiàn)ZUI高吞吐量可選功能:解鍵合模塊熱壓鍵合模塊技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑(基板尺寸)200、300毫米蕞高處理模塊數(shù):6+的SmartView®NT可選功能:解鍵合模塊熱壓鍵合模塊EVG的GEMINIFBXT集成熔融鍵合系統(tǒng),擴展了現(xiàn)有標準,并擁有更高的生產(chǎn)率,更高的對準和涂敷精度,適用于諸如存儲器堆疊,3D片上系統(tǒng)(SoC),背面照明的CMOS圖像傳感器堆疊和芯片分割等應用。該系統(tǒng)采用了新的SmartViewNT3鍵合對準器,該鍵合對準器是專門為<50nm的熔融和混合晶片鍵合對準要求而開發(fā)的。 廣東鍵合機廠家