山東鍵合機實際價格

EVG®6200BA自動鍵合對準系統(tǒng) 用于晶圓間對準的自動化鍵合對準系統(tǒng)，用于中等和批量生產(chǎn) 特色 技術數(shù)據(jù) EVG鍵合對準系統(tǒng)提供了蕞/高的精度，靈活性和易用性，模塊化升級功能，并且已經(jīng)在眾多高通量生產(chǎn)環(huán)境中進行了認證。EVG鍵對準器的精度可滿足MEMS生產(chǎn)和3D集成應用等新興領域中蕞苛刻的對準過程。 特征 適用于EVG所有的200mm鍵合系統(tǒng) 支持蕞大200mm晶圓尺寸的雙晶圓或三晶圓堆疊的鍵合對準 手動或電動對中平臺，帶有自動對中選項 全電動高/分辨率底面顯微鏡 基于Windows的用戶界面對于無夾層鍵合工藝，材料和表面特征利于鍵合，但為了與夾層結合，鍵合材料沉積和組成決定了鍵合線的材質。山東鍵合機實際價格

EVG 晶圓鍵合機上的鍵合過程支持全系列晶圓鍵合工藝對于當今和未來的器件制造是至關重要。鍵合方法的一般分類是有或沒有夾層的鍵合操作。雖然對于無夾層鍵合(直接鍵合，材料和表面特征利于鍵合，但為了與夾層結合，鍵合材料的沉積和組成決定了鍵合線的材質。 EVG 鍵合機軟件支持 基于Windows的圖形用戶界面的設計，注重用戶友好性，并可輕松引導操作員完成每個流程步驟。多語言支持，單個用戶帳戶設置和集成錯誤記錄/報告和恢復，可以簡化用戶的日常操作。所有EVG系統(tǒng)都可以遠程通信。因此，我們的服務包括通過安全連接，電話或電子郵件，對包括經(jīng)過現(xiàn)場驗證的，實時遠程診斷和排除故障。EVG經(jīng)驗豐富的工藝工程師隨時準備為您提供支持，這得益于我們分布于全球的支持結構，包括三大洲的潔凈室空間：歐洲 (HQ), 亞洲 (日本) 和北美 (美國).襯底鍵合機參數(shù)EVG鍵合機軟件，支持多語言，集成錯誤記錄/報告和恢復和單個用戶帳戶設置，可以簡化用戶常規(guī)操作。

EVG的晶圓鍵合機鍵合室配有通用鍵合蓋，可快速排空，快速加熱和冷卻。通過控制溫度，壓力，時間和氣體，允許進行大多數(shù)鍵合過程。也可以通過添加電源來執(zhí)行陽極鍵合。對于UV固化黏合劑，可選的鍵合室蓋具有UV源。鍵合可在真空或受控氣體條件下進行。頂部和底部晶片的獨li溫度控制補償了不同的熱膨脹系數(shù)，從而實現(xiàn)無應力黏合和出色的溫度均勻性。在不需要重新配置硬件的情況下，可以在真空下執(zhí)行SOI/SDB（硅的直接鍵合）預鍵合。以上的鍵合機由岱美儀器供應并提供技術支持。 

封裝技術對微機電系統(tǒng) (micro-electro-mechanical system,MEMS) 器件尺寸及功能的影響巨大，已成為 MEMS技術發(fā)展和實用化的關鍵技術［1］。實現(xiàn)封裝的技術手段很多，其中較關鍵的工藝步驟就是鍵合工藝。隨著 MEMS 技術的發(fā)展，越來越多的器件封裝需要用到表面帶有微結構的硅片鍵合，然而MEMS器件封裝一般采用硅—硅直接鍵合( silicon directly bonding，SDB)  技術［2］。由于表面有微結構的硅片界面已經(jīng)受到極大的損傷，其平整度和光滑度遠遠達不到SDB的要求，要進行復雜的拋光處理，這DADA加大了工藝的復雜性和降低了器件的成品率［3］。 EVG鍵合機可以使用適合每個通用鍵合室的磚用卡盤來處理各種尺寸晶圓和鍵合工藝。

EVG®501晶圓鍵合機（系統(tǒng)） ■研發(fā)和試生產(chǎn)的蕞/低購置成本 ■真正的低強度晶圓楔形補償系統(tǒng)，可實現(xiàn)蕞/高產(chǎn)量 ■強勁的壓力和溫度均勻性 ■自動鍵合和數(shù)據(jù)記錄 ■高真空鍵合室 (使用真空渦輪增壓泵，低至10-5mbar) ■開放式腔室設計，可實現(xiàn)快速轉換和維護 ■Windows®操作軟件和控制界面 ■蕞小占地面積的200mm鍵合系統(tǒng)，只有0.88m2 EVG®510晶圓鍵合機（系統(tǒng)） ■擁有EVG®501鍵合機的所有功能 ■150和200mm晶圓的單腔系統(tǒng) ■研發(fā)和試生產(chǎn)的蕞/佳購置成本 ■強勁的壓力和溫度均勻性 ■通過楔形補償實現(xiàn)高產(chǎn)量 ■兼容EVG的HVM鍵合系統(tǒng) ■高產(chǎn)量，加速加熱和優(yōu)異的泵送能力EVG鍵合機通過在高真空，精確控制的真空、溫度或高壓條件下鍵合，可以滿足各種苛刻的應用。美元價格鍵合機高性價比選擇

EVG鍵合機也可以通過添加電源來執(zhí)行陽極鍵合。對于UV固化的黏合劑，可選的鍵合室蓋里具有UV源。山東鍵合機實際價格

1)由既定拉力測試高低溫循環(huán)測試結果可以看出，該鍵合工藝在滿足實際應用所需鍵合強度的同時，解決了鍵合對硅晶圓表面平整度和潔凈度要求極高、對環(huán)境要求苛刻的問題。2)由高低溫循環(huán)測試結果可以看出，該鍵合工藝可以適應復雜的實際應用環(huán)境，且具有工藝溫度低，容易實現(xiàn)圖形化，應力匹配度高等優(yōu)點。3)由破壞性試驗結果可以看出，該鍵合工藝在圖形邊沿的鍵合率并不高，鍵合效果不太理想，還需對工藝流程進一步優(yōu)化，對工藝參數(shù)進行改進，以期達到更高的鍵合強度與鍵合率。 山東鍵合機實際價格