規(guī)格書WILLSEMI韋爾WMM7018ABRL0-3/TR

    WL2811EA系列是一款高精度、低噪聲、高速、高電源抑制比（PSRR）、低壓降的CMOS線性穩(wěn)壓器，具有出色的紋波抑制能力。該系列為手機、筆記本電腦和其他便攜式設(shè)備提供了具有成本效益的新一代性能。所有標準產(chǎn)品均不含鉛和鹵素，符合環(huán)保要求。

特點與優(yōu)勢：

· 輸出電流折返

· 寬輸入電壓范圍：2V至5.5V

· 可調(diào)輸出電壓：0.8V至5V

· 輸出電流：300mA

· 低功耗：靜態(tài)電流典型值為75μA，關(guān)機電流小于1μA

· 低壓降：在輸出電流為0.3A時，壓降為141mV。

· 電源抑制比：在1kHz、輸出電壓為3V時，PSRR高達70dB

· 低輸出電壓噪聲：典型值為12μVRMS

· 輸出電壓容差：±2%

· 推薦電容器：建議使用1μF的電容器以優(yōu)化性能

· 封裝與環(huán)保：SOT-23-5L

應(yīng)用領(lǐng)域：

· MP3/MP4播放器

· 手機、無線電話、數(shù)碼相機

· 藍牙、無線手持設(shè)備

· 其他便攜式電子設(shè)備

    WL2811EA系列以其出色的性能、靈活的輸出電壓調(diào)整、高效的電流管理以及環(huán)保的封裝特性，成為便攜式電子設(shè)備的理想電源解決方案。無論是音頻播放、通信還是無線連接，它都能為設(shè)備提供穩(wěn)定、高效的電源支持。如需更詳細的信息或技術(shù)規(guī)格，請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WMM7037AT6-4/TR MEMS麥克風（硅麥）封裝：SMD-4P,3x3.8mm。規(guī)格書WILLSEMI韋爾WMM7018ABRL0-3/TR

    ESD9X5VU是一種單向瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為可能遭受靜電放電（ESD）的敏感電子組件提供高水平的保護。它被設(shè)計用于替代多層變阻器（MLV），并廣泛應(yīng)用于消費設(shè)備，如手機、筆記本電腦、平板電腦、機頂盒、LCD電視等。

特性：

· 極低電容：CJ=0.5pFtyp

· 極低漏電流：IR<1nAtyp

· 低箝位電壓：VCL=18Vtyp.@IPP=16A(TLP)

· 固態(tài)硅技術(shù)

· 根據(jù)IEC61000-4-2標準，每條線提供±20kV（接觸和空氣放電）的瞬態(tài)保護

· 根據(jù)IEC61000-4-4標準，提供40A（5/50ns）的EFT保護

· 根據(jù)IEC61000-4-5標準，可承受4A（8/20μs）的浪涌電流

應(yīng)用：

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3和HDMI1.4

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便攜式電子產(chǎn)品

· 筆記本電腦

     ESD9X5VU采用了一對極低電容的轉(zhuǎn)向二極管和一個TVS二極管。它為敏感電子組件提供了高水平的ESD保護，使其免受靜電放電的損害。與傳統(tǒng)的多層變阻器相比，ESD9X5VU具有更低的電容和漏電流，以及更低的箝位電壓，從而提供了更好的性能。此外，其固態(tài)硅技術(shù)確保了高效、可靠的電源保護。無論是用于USB、HDMI、SATA還是其他接口，ESD9X5VU都能為現(xiàn)代電子設(shè)備提供堅實的ESD防護屏障。如需更詳細的信息或技術(shù)規(guī)格，請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD5374DESD56281N05-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：DFN1006-2L。

    WNM2020是一款N溝道增強型MOS場效應(yīng)晶體管。它采用了先進的溝槽技術(shù)和設(shè)計，以在低柵極電荷下提供出色的RDS（ON）。這款器件非常適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標準產(chǎn)品WNM2020是無鉛且無鹵素的。

    WNM2020是一款高性能的N溝道MOS場效應(yīng)晶體管，專為高效率的電源管理應(yīng)用而設(shè)計。其采用的先進溝槽技術(shù)使得該晶體管在導通狀態(tài)下具有很低的電阻（RDS（ON）），從而減少了功率損耗并提高了整體效率。同時，低柵極電荷使得該晶體管能夠快速響應(yīng)柵極驅(qū)動信號，進一步提高了開關(guān)速度。這款晶體管非常適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換器，其中高效率的電源開關(guān)是至關(guān)重要的。

    此外，它還可以用于各種充電電路，如電池充電器和太陽能充電器，以確保能量的有效轉(zhuǎn)換和利用。作為一款標準產(chǎn)品，WNM2020不僅具有出色的電性能，還符合環(huán)保要求，不含有鉛和鹵素等有害物質(zhì)。這使得它在各種環(huán)保法規(guī)日益嚴格的市場中具有廣的適用性?？傊?，WNM2020是一款高性能、高效率且環(huán)保的N溝道增強型MOS場效應(yīng)晶體管，非常適合用于各種電源管理和充電應(yīng)用。如需更詳細的信息或技術(shù)規(guī)格，請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。

    WL2803E系列是一款極低壓差、低靜態(tài)電流、高電源抑制比（PSRR）的CMOS低壓差線性穩(wěn)壓器（LDO）。在500mA負載電流下，其壓差電壓典型值為130mV。采用CMOS結(jié)構(gòu)，WL2803E在整個輸入電壓范圍內(nèi)的靜態(tài)電流典型值為150μA，這使得它對于要求高輸出電流的消費者、網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用具有吸引力。WL2803E系列提供了從1.2V到3.3V的寬輸出電壓范圍版本，步長為0.1V。WL2803E系列提供了過熱保護（OTP）和電流限制功能，以確保芯片和電源系統(tǒng)在錯誤條件下的穩(wěn)定性，并采用微調(diào)技術(shù)保證輸出電壓精度在±2%以內(nèi)。WL2803E穩(wěn)壓器采用SOT-23-5L封裝，為標準無鉛且無鹵素產(chǎn)品。

主要特性：

· 輸入電壓范圍：2.5V至5.5V

· 輸出電壓范圍：1.2V至3.3V

· 輸出電流：500mA

· PSRR：在1KHz時為65dB

· 壓差電壓：在IOUT=0.5A時為130mV

· 輸出噪聲：100μV

· 靜態(tài)電流：典型值為150μA

應(yīng)用領(lǐng)域：

· 液晶電視（LCD TV）

· 機頂盒（STB）

· 計算機、顯卡

· 網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備

· 其他便攜式電子設(shè)備

    WL2803E系列適用于電源管理，具有極低壓差、低電流和高PSRR特性，確保靈活和準確的電壓輸出。緊湊環(huán)保，易于集成，適用于多種電子設(shè)備。提供穩(wěn)定電源輸出。詳情查閱手冊或聯(lián)系我們。 WL2836D30-4/TR 線性穩(wěn)壓器(LDO) 封裝:DFN-4-EP(1x1)。

     WNM6002是一種N型增強型MOS場效應(yīng)晶體管，利用先進的溝槽和電荷控制設(shè)計，提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于電源開關(guān)、負載開關(guān)和充電電路。標準產(chǎn)品WNM6002為無鉛且不含鹵素。小型SOT-323封裝。

主要特性：

· 溝槽技術(shù)

· 超高密度單元設(shè)計

· 適用于高直流電流的優(yōu)異導通電阻

· 極低的閾值電壓

應(yīng)用領(lǐng)域：

· 繼電器、電磁鐵、電機、LED等的驅(qū)動

· DC-DC轉(zhuǎn)換器電路

· 電源開關(guān)

· 負載開關(guān)

· 充電電路

    WNM6002N型增強型MOS場效應(yīng)晶體管是一種高性能、高效能的半導體器件，專為現(xiàn)代電子設(shè)備中的電源管理和開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計。其采用先進的溝槽技術(shù)和電荷控制設(shè)計，確保了出色的RDS(ON)和低柵極電荷，從而提供了高效的電流控制和低功耗操作。WNM6002的超高密度單元設(shè)計使其在高直流電流下仍能保持優(yōu)異的導通電阻，確保了高效的能量轉(zhuǎn)換和散熱。同時，極低的閾值電壓保證了快速的開關(guān)響應(yīng)和穩(wěn)定的性能。如需更詳細的信息或技術(shù)規(guī)格，請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 ESDA6V1W5-5/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：SOT-353。代理分銷商WILLSEMI韋爾WPM1488

ESD5641D07-3/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：DFN-3L(2x2)。規(guī)格書WILLSEMI韋爾WMM7018ABRL0-3/TR

     SD5302F是一款專為保護高速數(shù)據(jù)接口設(shè)計的極低電容TVS（瞬態(tài)電壓抑制器）陣列。它特別設(shè)計用于保護連接到數(shù)據(jù)線和傳輸線的敏感電子組件免受ESD（靜電放電）引起的過應(yīng)力影響。ESD5302F結(jié)合了兩對極低電容轉(zhuǎn)向二極管和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標準，它可用于提供高達±20kV（接觸和空氣放電）的ESD保護，并根據(jù)IEC61000-4-5標準承受高達4A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD5302F采用SOT-23封裝。標準產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。

主要特性：

· 截止電壓：5V

· 每條線路均符合IEC61000-4-2（ESD）標準的瞬態(tài)保護：±20kV（接觸和空氣放電）

· 符合IEC61000-4-4（EFT）標準的瞬態(tài)保護：40A（5/50ns）

· 符合IEC61000-4-5（浪涌）標準的瞬態(tài)保護：4A（8/20μs）

· 極低電容：CJ=0.4pF（典型值）

· 極低漏電流：IR<1nA（典型值）

· 低箝位電壓：VCL=20V@IPP=16A（TLP）

· 固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域：

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3和HDMI1.4

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便攜式電子設(shè)備

· 筆記本電腦

      ESD5302F保護高速數(shù)據(jù)接口免受靜電放電等損害，確保信號完整性，承受力強。適合緊湊設(shè)備，環(huán)保。是高速數(shù)據(jù)接口的理想保護組件。詳情查閱手冊或聯(lián)系我們。 規(guī)格書WILLSEMI韋爾WMM7018ABRL0-3/TR