中文資料WILLSEMI韋爾ESD56321N12

    ESD5431N是一款雙向瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為保護(hù)連接到電源線、低速數(shù)據(jù)線和控制線的敏感電子元件免受靜電放電（ESD）、電氣快速瞬變（EFT）和雷電等過應(yīng)力影響而設(shè)計(jì)。封裝與環(huán)保特性：DFN1006-2L封裝：緊湊的尺寸使得它易于集成到各種電路板中。無鉛和無鹵素：符合環(huán)保要求，適用于對(duì)無鉛和無鹵素有需求的場(chǎng)合。

特性：

· 截止電壓：±3.3V

· 根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，提供±30kV（接觸放電）的ESD保護(hù)

· 根據(jù)IEC61000-4-4標(biāo)準(zhǔn)，提供40A（5/50ns）的EFT保護(hù)

· 根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)，提供10A（8/20μs）的浪涌保護(hù)

· 電容：典型值為17.5pF

· 低泄漏電流：典型值為1nA

· 低鉗位電壓：在脈沖電流為16A（TLP）時(shí)，典型值為8V。

· 固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用：

· 手機(jī)

· 計(jì)算機(jī)和外設(shè)：為計(jì)算機(jī)主板、顯示器、鍵盤等

· 微處理器

· 電源線

· 便攜式電子設(shè)備

· 筆記本電腦

    ESD5431N是專為保護(hù)電子元件免受靜電、電氣瞬變等過應(yīng)力而設(shè)計(jì)的高性能雙向瞬態(tài)電壓抑制器。其瞬態(tài)保護(hù)出色，封裝緊湊，環(huán)保特性強(qiáng)，廣泛應(yīng)用于手機(jī)、計(jì)算機(jī)和便攜式設(shè)備，確保設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行和數(shù)據(jù)安全。如需詳細(xì)信息，請(qǐng)查閱數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 ESD5431N-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)（TVS/ESD）封裝：DFN1006-2L。中文資料WILLSEMI韋爾ESD56321N12

WAS4729QB：低導(dǎo)通電阻（0.8?）雙SPDT模擬開關(guān)，具有負(fù)擺幅音頻功能

產(chǎn)品描述：

    WAS4729QB是一款高性能的雙單極雙擲（SPDT）模擬開關(guān)，具有負(fù)擺幅音頻功能，其典型導(dǎo)通電阻Ron為0.8?（在3.6VVCC下）。該開關(guān)在2.3V至5.5V的寬VCC范圍內(nèi)工作，并設(shè)計(jì)為先斷后通的操作模式。選擇輸入與TTL電平兼容。WAS4729QB還配備了智能電路，即使在控制電壓低于VCC電源電壓時(shí)，也能至小化VCC泄漏電流。這一特性非常適合移動(dòng)手機(jī)應(yīng)用，因?yàn)樗试S直接與基帶處理器的通用I/O接口，同時(shí)極大限度地減少電池消耗。換句話說，在實(shí)際應(yīng)用中，無需額外的設(shè)備來將控制電平調(diào)整到與VCC相同。WAS4729QB采用QFN1418-10L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。

產(chǎn)品特性

供電電壓：2.3V~5.5V

極低導(dǎo)通電阻：0.8?（在3.6V下）

高關(guān)斷隔離度：-81dB@1KHz

串?dāng)_抑制：-83dB@1KHz-3dB帶寬：80MHz

軌到軌信號(hào)范圍

先斷后通開關(guān)

HBM JEDEC：JESD22-A114IO至GND：±8KV

電源至GND：±5KV

應(yīng)用領(lǐng)域

手機(jī)、PDA、數(shù)碼相機(jī)和筆記本電腦

LCD顯示器、電視和機(jī)頂盒

音頻和視頻信號(hào)路由

     WAS4729QB是高性能模擬開關(guān)，專為移動(dòng)設(shè)備設(shè)計(jì)，適合音頻和視頻信號(hào)路由，性能優(yōu)越可靠。詳情請(qǐng)查閱數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾WAS7222QSPD9105W-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)（TVS/ESD）封裝：SOD-323。

    WS4665是一個(gè)單通道負(fù)載開關(guān)，提供可配置的上升時(shí)間以極小化涌流。該設(shè)備包含一個(gè)N型MOSFET，可以在0.8V至5.5V的輸入電壓范圍內(nèi)工作，并支持連續(xù)電流上線為6A。開關(guān)由開/關(guān)輸入（ON）控制，該輸入能夠直接與低電壓控制信號(hào)接口。在WS4665中，增加了一個(gè)230Ω的片上負(fù)載電阻，用于在開關(guān)關(guān)閉時(shí)進(jìn)行快速輸出放電。WS4665采用小型、節(jié)省空間的2.00mmx2.00mm8引腳DFN封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。

主要特性：

· 集成單通道負(fù)載開關(guān)

· 輸入電壓范圍：0.8V至5.5V

· 極低導(dǎo)通電阻（RON）RON=14mΩatVIN=5V(VBIAS=5V)

· 連續(xù)開關(guān)上限電流為6A

· 低控制輸入閾值，支持1.2V、1.8V、2.5V和3.3V邏輯

· 可配置的上升時(shí)間

· 快速輸出放電（QOD）

· ESD性能經(jīng)過JESD22測(cè)試2000VHBM和1000VCDM

應(yīng)用領(lǐng)域：

· 超極本TM

· 筆記本電腦/上網(wǎng)本

· 平板電腦

· 消費(fèi)電子產(chǎn)品

· 機(jī)頂盒/住宅網(wǎng)關(guān)

· 電信系統(tǒng)

    WS4665適用于多種應(yīng)用場(chǎng)合，如超極本、筆記本電腦/上網(wǎng)本、平板電腦、消費(fèi)電子產(chǎn)品、機(jī)頂盒/住宅網(wǎng)關(guān)以及電信系統(tǒng)等。如需更多信息或技術(shù)規(guī)格，請(qǐng)查閱相關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)或與我們聯(lián)系。

  BL1551B是一款模擬開關(guān)，具體地說：它是一個(gè)單通道、高帶寬的單刀雙擲（SPDT）模擬開關(guān)。這種開關(guān)特別適用于數(shù)據(jù)和音頻信號(hào)的切換。

  以下是BL1551B的主要特性和優(yōu)勢(shì)：

高帶寬：BL1551B具有高達(dá)350MHz的帶寬，這使得它能夠處理高速信號(hào)切換，滿足許多高速應(yīng)用的需求。

低導(dǎo)通電阻：在5V工作電壓下，其導(dǎo)通電阻為2.7Ω，這有助于減少信號(hào)在開關(guān)過程中的損失，保證信號(hào)的完整性。

高效的隔離度：在1MHz的頻率下，BL1551B的隔離度達(dá)到-84dB，這意味著在開關(guān)處于關(guān)閉狀態(tài)時(shí)，信號(hào)泄漏非常小，從而確保了良好的信號(hào)隔離效果。

寬工作電壓范圍：BL1551B的工作電壓范圍從1.8V到5.5V，這意味著它可以在多種不同的電壓環(huán)境下工作，為設(shè)計(jì)者提供了更大的靈活性。

  此外，BL1551B的封裝類型為SC-70-6，這有助于實(shí)現(xiàn)緊湊的電路設(shè)計(jì)和高效的熱性能。在實(shí)際應(yīng)用中，BL1551B可廣泛應(yīng)用于移動(dòng)電話、便攜式電子設(shè)備等領(lǐng)域。其出色的性能參數(shù)和廣泛的應(yīng)用范圍使得BL1551B在市場(chǎng)上具有一定的競(jìng)爭(zhēng)力。

  安美斯科技專注于國(guó)產(chǎn)電子元器件代理分銷，我們非常榮幸能為您推薦BL1551B這款模擬開關(guān)，并提供樣品供您測(cè)試，如需更多信息或支持，請(qǐng)隨時(shí)聯(lián)系我們。 WPM1481-6/TR 場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 封裝：DFN-6L(2x2)。

WPM1481：?jiǎn)蜳溝道、-12V、-5.1A功率MOSFET

產(chǎn)品描述：

    WPM1481是一款P溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì)，以提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WPM1481為無鉛產(chǎn)品。小型DFN2*2-6L封裝。

產(chǎn)品特性：

· 溝槽技術(shù)

· 超高密度單元設(shè)計(jì)

· 出色的導(dǎo)通電阻

· 適用于更高的直流電流

· 極低的閾值電壓

應(yīng)用領(lǐng)域：

· 繼電器、電磁閥、電機(jī)、LED等的驅(qū)動(dòng)器

· DC-DC轉(zhuǎn)換電路

· 電源開關(guān)

· 負(fù)載開關(guān)

· 充電應(yīng)用  

     WPM1481是一款高性能的P溝道功率MOSFET，專為高電流應(yīng)用而設(shè)計(jì)。其出色的RDS(ON)和極低的閾值電壓使其成為DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路的理想選擇。同時(shí)，其小型DFN2*2-6L封裝使得它在空間受限的應(yīng)用中也能發(fā)揮出色。WPM1481作為無鉛產(chǎn)品，還符合環(huán)保要求。無論是用于驅(qū)動(dòng)繼電器、電磁閥、電機(jī)還是LED，WPM1481都能提供可靠且高效的性能。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 WPM2080-3/TR 場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 封裝：SOT-23-3L。代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD56181W12

WL2817DA33-8/TR 線性穩(wěn)壓器(LDO) 封裝：DFN1612-8。中文資料WILLSEMI韋爾ESD56321N12

WL2805N33-3/TR：高效且可靠的瞬態(tài)電壓抑制器 

      WL2805N33-3/TR是一款高性能的瞬態(tài)電壓抑制器，專為保護(hù)電子設(shè)備免受瞬態(tài)電壓的侵害而設(shè)計(jì)。在現(xiàn)代電子設(shè)備中，由于雷電、靜電放電和其他電氣瞬態(tài)事件，電路中的敏感組件經(jīng)常面臨損壞的風(fēng)險(xiǎn)。而WL2805N33-3/TR的出現(xiàn)，為這些設(shè)備提供了可靠的防護(hù)。  

      這款抑制器具有出色的瞬態(tài)抑制能力和低漏電流特性，能夠在瞬態(tài)事件發(fā)生時(shí)迅速響應(yīng)，將電壓限制在安全范圍內(nèi)，從而保護(hù)電路中的敏感組件免受損壞。

      此外，WL2805N33-3/TR還具有低鉗位電壓和低電容值，確保了信號(hào)傳輸?shù)臏?zhǔn)確性和穩(wěn)定性。 其緊湊的封裝設(shè)計(jì)使得它非常適合用于各種電子設(shè)備中，如通信設(shè)備、計(jì)算機(jī)、醫(yī)療設(shè)備和消費(fèi)電子產(chǎn)品等。無論是對(duì)于工業(yè)應(yīng)用還是日常消費(fèi)應(yīng)用，WL2805N33-3/TR都能提供優(yōu)異的瞬態(tài)電壓保護(hù)，確保設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行和延長(zhǎng)使用壽命。 

      安美斯科技作為專業(yè)的電子元器件代理分銷商，致力于為客戶提供優(yōu)異的產(chǎn)品和服務(wù)。我們非常榮幸能為您推薦WL2805N33-3/TR這款瞬態(tài)電壓抑制器，并愿意提供樣品供您測(cè)試。如需了解更多信息或支持，請(qǐng)隨時(shí)聯(lián)系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾ESD56321N12