中文資料WILLSEMI韋爾ESD5302V

WD3139：高效38V升壓型白色LED驅(qū)動器

產(chǎn)品描述

     WD3139是一款恒定電流、高效率的LED驅(qū)動器。其內(nèi)部MOSFET可以驅(qū)動高達10個串聯(lián)的白色LED，電流限制為1.2A，過壓保護為38V?？梢詫⒚}沖寬度調(diào)制（PWM）信號應用于EN引腳以實現(xiàn)LED調(diào)光。該設備以1MHz的固定開關(guān)頻率運行，以減少輸出紋波、提高轉(zhuǎn)換效率，并允許使用小型外部組件。

   封裝與環(huán)保信息：WD3139采用TSOT-23-6L封裝，標準產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。

產(chǎn)品特性：

輸入電壓范圍：2.7~5.5V

開路LED保護：38V（典型值）

參考電壓：200mV（±5%）

開關(guān)頻率：1MHz（典型值）

效率：高達92%

主開關(guān)電流限制：1.2A（典型值）

PWM調(diào)光頻率：5KHz至200KHzPWM

調(diào)光占空比：0.5%~100%

應用領(lǐng)域：

智能手機

平板電腦

便攜式游戲機

    WD3139是一款專為串聯(lián)白色LED設計的高效驅(qū)動器。提供1.2A電流限制和38V過壓保護，確保LED穩(wěn)定安全。支持PWM調(diào)光，1MHz開關(guān)頻率提升轉(zhuǎn)換效率并減少輸出紋波。適用于智能手機、平板等便攜設備的LED背光或指示燈。小巧封裝且環(huán)保，是理想選擇。詳情請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 ESD56031N-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：DFN1006-2L。中文資料WILLSEMI韋爾ESD5302V

ESD5471X1線雙向瞬態(tài)電壓抑制器

產(chǎn)品描述：

     ESD5471X是一款雙向瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）。它特別設計用于保護連接到電源線、低速數(shù)據(jù)線和控制線的敏感電子組件，免受由靜電放電（ESD）、電氣快速瞬態(tài)（EFT）和雷電引起的過應力影響。根據(jù)IEC61000-4-2標準，ESD5471X可用于提供高達±30kV（接觸和空氣放電）的ESD保護，并根據(jù)IEC61000-4-5標準承受高達6A的峰值脈沖電流（8/20μs）。ESD5471X采用FBP-02C封裝。標準產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。

產(chǎn)品特性：

反向截止電壓：±5V

根據(jù)IEC61000-4-2（ESD）標準，每條線路的瞬態(tài)保護：±30kV（接觸和空氣放電）

IEC61000-4-4（EFT）：40A（5/50ns）

IEC61000-4-5（浪涌）：6A（8/20μs）

電容：CJ=9pF（典型值）

低漏電流

低鉗位電壓：VCL=12V（典型值）@IPP=16A（TLP）

固態(tài)硅技術(shù)

應用領(lǐng)域：

手機

平板電腦

筆記本電腦

其他便攜式設備

網(wǎng)絡通信設備

     ESD5471X是專為保護敏感電子組件設計的雙向瞬態(tài)電壓抑制器，能抵御靜電放電、電氣快速瞬態(tài)和雷電等過應力。其優(yōu)越的保護能力和低漏電流特性使其成為手機、平板、筆記本等便攜式設備及網(wǎng)絡通信設備的理想保護元件。采用固態(tài)硅技術(shù)，既高性能又緊湊，方便集成。詳情請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 規(guī)格書WILLSEMI韋爾WCM03141SESDA6V1W5-5/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：SOT-353。

ESD73011N：單線、雙向、極低電容瞬態(tài)電壓抑制器

     ESD73011N是一款極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為保護高速數(shù)據(jù)接口而設計。它特別用來保護連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件，以防止由靜電放電（ESD）引起的過度壓力。ESD73011N包含一個極低電容的轉(zhuǎn)向二極管對和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標準，它可以提供高達±20kV（接觸放電）的ESD保護，并根據(jù)IEC61000-4-5標準承受高達5.5A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD73011N采用DFN1006-2L封裝，為標準產(chǎn)品，無鉛且不含鹵素。

其主要特性包括：

· 截止電壓：5V

· 根據(jù)IEC61000-4-2（ESD）的每條線瞬態(tài)保護：±20kV（接觸放電）

· 根據(jù)IEC61000-4-5（浪涌）的瞬態(tài)保護：5.5A（8/20μs）

· 極低電容：CJ=0.40pF（典型值）

· 極低漏電流：IR<1nA（典型值）

· 低箝位電壓：VCL=9.5V（典型值）@IPP=16A（TLP）

· 固態(tài)硅技術(shù)

應用領(lǐng)域包括：

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3和HDMI1.4

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便攜式電子設備

· 筆記本電腦

     ESD73011N為需要高速數(shù)據(jù)傳輸和嚴格ESD防護的應用提供了出色的保護。如需更詳細的信息或技術(shù)規(guī)格，請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系制造商。

    ESD5431N是一款雙向瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為保護連接到電源線、低速數(shù)據(jù)線和控制線的敏感電子元件免受靜電放電（ESD）、電氣快速瞬變（EFT）和雷電等過應力影響而設計。封裝與環(huán)保特性：DFN1006-2L封裝：緊湊的尺寸使得它易于集成到各種電路板中。無鉛和無鹵素：符合環(huán)保要求，適用于對無鉛和無鹵素有需求的場合。

特性：

· 截止電壓：±3.3V

· 根據(jù)IEC61000-4-2標準，提供±30kV（接觸放電）的ESD保護

· 根據(jù)IEC61000-4-4標準，提供40A（5/50ns）的EFT保護

· 根據(jù)IEC61000-4-5標準，提供10A（8/20μs）的浪涌保護

· 電容：典型值為17.5pF

· 低泄漏電流：典型值為1nA

· 低鉗位電壓：在脈沖電流為16A（TLP）時，典型值為8V。

· 固態(tài)硅技術(shù)

應用：

· 手機

· 計算機和外設：為計算機主板、顯示器、鍵盤等

· 微處理器

· 電源線

· 便攜式電子設備

· 筆記本電腦

    ESD5431N是專為保護電子元件免受靜電、電氣瞬變等過應力而設計的高性能雙向瞬態(tài)電壓抑制器。其瞬態(tài)保護出色，封裝緊湊，環(huán)保特性強，廣泛應用于手機、計算機和便攜式設備，確保設備穩(wěn)定運行和數(shù)據(jù)安全。如需詳細信息，請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 ESD73034D-10/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：DFN2510-10。

ESD5305F：四通道單向低電容瞬態(tài)電壓抑制器

      產(chǎn)品描述：ESD5305F是一款專為保護高速數(shù)據(jù)接口設計的低電容瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）陣列。它特別用于保護連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子元件，免受由靜電放電（ESD）引起的過應力影響。ESD5305F結(jié)合了四對低電容轉(zhuǎn)向二極管和一個TVS二極管，以提供各方面的瞬態(tài)保護。封裝與環(huán)保信息：ESD5305F采用SOT23-6L封裝，滿足無鉛和無鹵素環(huán)保要求。

產(chǎn)品特性：

反向截止電壓：5V

根據(jù)IEC61000-4-2標準，每條線路提供±30kV（接觸放電）的ESD保護

根據(jù)IEC61000-4-5標準，可承受高達6A（8/20μs）的峰值脈沖電流

低電容：CI/O-GND=0.65pF（典型值，Vcc=浮動狀態(tài)）；CI/O-GND=0.35pF（典型值，Vcc=5V）

極低泄漏電流：IR<1nA（典型值）

低鉗位電壓：VCL=16.5V@IPP=16A（TLP）

采用固態(tài)硅技術(shù)

應用領(lǐng)域：

USB2.0

HDMI1.3

SATA和eSATA

DVI

IEEE 1394

PCI Express

便攜式電子產(chǎn)品

筆記本電腦

關(guān)于ESD5305F 如需更詳細的信息或技術(shù)規(guī)格，請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 ESD5411N-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：DFN1006-2L。規(guī)格書WILLSEMI韋爾WCL120N06DN

WS742133H-14/TR 音頻功率放大器 封裝：TSSOP-14。中文資料WILLSEMI韋爾ESD5302V

WNMD2171雙N溝道、20V、6.0A功率MOSFET

產(chǎn)品描述：

     WNMD2171是一款雙N溝道增強型MOSFET場效應晶體管。這款MOSFET的特殊設計使得在電路板上連接其漏極變得不必要，因為MOSFET1和MOSFET2的漏極是內(nèi)部連接的。該產(chǎn)品采用先進的溝槽技術(shù)和設計，提供了出色的導通電阻（RSS(ON)）和低柵極電荷。這款器件專為鋰離子電池保護電路而設計。WNMD2171采用CSP-4L封裝。標準產(chǎn)品WNMD2171是無鉛和無鹵素的。小型CSP4L封裝。

產(chǎn)品特性：

· 溝槽技術(shù)

· 超高密度單元設計

· 出色的導通電阻

· 極低的閾值電壓

應用領(lǐng)域：

· 鋰離子電池保護電路

       WNMD2171是一款采用先進技術(shù)的雙N溝道MOSFET，特別適用于鋰離子電池保護電路。其內(nèi)部連接的漏極設計簡化了電路布局，而優(yōu)異的導通電阻和極低的閾值電壓則提供了高效的電池管理。這款產(chǎn)品的小型CSP-4L封裝使其成為空間受限應用中的理想選擇。此外，其無鉛和無鹵素的特點也符合現(xiàn)代環(huán)保標準。如需更詳細的信息或技術(shù)規(guī)格，請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾ESD5302V