太原智誠溫度傳感器企業(yè)

    再在高溫環(huán)境下進(jìn)行退火，由于高溫環(huán)境下硅原子會(huì)發(fā)生遷移，硅原子發(fā)生遷移后硅片內(nèi)部的結(jié)構(gòu)會(huì)發(fā)生改變，之前的若干溝槽會(huì)相互連通以在硅片內(nèi)部形成一空腔結(jié)構(gòu)。氧化空腔上部的硅片部分可以得到所需的氧化硅薄膜，然后在氧化硅薄膜上淀積測溫材料形成測溫單元，測溫單元用于感測環(huán)境溫度，從而得到溫度傳感器。通過本方案得到的溫度傳感器，其基底包含一空腔以及位于空腔上部的氧化硅薄膜和位于空腔下部的硅，即氧化硅薄膜和硅通過空腔隔開，基底下部的硅不會(huì)影響上部氧化硅的隔熱效果，因此無需通過刻蝕工藝將基底下部的硅刻蝕掉，從而縮短產(chǎn)品制備的時(shí)間，且節(jié)約了成本。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述溝槽的寬度范圍為μm～μm，所述溝槽的深度范圍為μm～μm，所述相鄰溝槽之間的間隔范圍為μm～μm。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述熱退火具體為在氫氣環(huán)境中熱退火，所述熱退火的溫度為℃。在其中一個(gè)實(shí)施例中，在得到所述氧化硅薄膜后還包括在所述氧化硅薄膜上形成氮化硅薄膜或者聚酰亞胺薄膜。在其中一個(gè)實(shí)施例中，在所述氧化硅薄膜上形成測溫單元具體為：在所述氧化硅薄膜上淀積一層金屬層，所述金屬層為金屬鉑層，所述金屬鉑層呈連續(xù)弓字形結(jié)構(gòu)。溫度傳感器廠家找美信美，服務(wù)可靠。太原智誠溫度傳感器企業(yè)

    之前的若干溝槽會(huì)相互連通以在硅片內(nèi)部形成一空腔結(jié)構(gòu)。氧化空腔上部的硅片部分可以得到所需的氧化硅薄膜金屬層包括位于相鄰多晶硅條之間的金屬結(jié)構(gòu)，所述n型多晶硅條和p型多晶硅條通過所述金屬結(jié)構(gòu)串聯(lián)，所述第三金屬層還包括位于所述多晶硅層外側(cè)兩端的第二金屬結(jié)構(gòu)，用于引出所述溫度傳感器的輸出端子。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述制備方法還包括：在所述金屬層上形成鈍化層，并在所述鈍化層上對應(yīng)所述溫度傳感器引出輸出端子處設(shè)有通孔。還公開了一種溫度傳感器，包括：基底，所述基底包括硅片和在所述硅片上形成的氧化硅薄膜。所述硅片與所述氧化硅薄膜之間形成有空腔；和測溫單元，所述測溫單元形成于所述空腔上方的氧化硅薄膜上，所述測溫單元用于感測環(huán)境溫度。上述溫度傳感器，由于其基底中氧化硅薄膜與硅之間形成有空腔，空腔下部的硅不會(huì)影響上部氧化硅的隔熱效果，因此無需通過刻蝕工藝將基底下部的硅刻蝕掉，從而縮短產(chǎn)品制備的時(shí)間，且節(jié)約了成本。由于基底隔熱效果較好。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經(jīng)營范圍包括：一般經(jīng)營項(xiàng)目是：電子產(chǎn)品及其配件的技術(shù)開發(fā)與銷售；國內(nèi)貿(mào)易等。本公司主營推廣銷售AD（亞德諾）,LINEAR。成都小米溫度傳感器技術(shù)當(dāng)需要更換某個(gè)傳感器時(shí)，只要測量與之串聯(lián)電阻的阻值，然后選用和它阻值接近的傳感器即可。

    在所述金屬鉑層外側(cè)兩端各淀積一層第二金屬層，用于引出所述溫度傳感器的輸出端子。在其中一個(gè)實(shí)施例中，在所述氧化硅薄膜上形成測溫單元具體為：在所述氧化硅薄膜上淀積一層多晶硅層，所述多晶硅層包括并排且間隔設(shè)置的n型多晶硅條和p型多晶硅條；在所述多晶硅上淀積第三金屬層，所述第三金屬層包括位于相鄰多晶硅條之間的金屬結(jié)構(gòu)，所述n型多晶硅條和p型多晶硅條通過所述金屬結(jié)構(gòu)串聯(lián)，所述第三金屬層還包括位于所述多晶硅層外側(cè)兩端的第二金屬結(jié)構(gòu)，用于引出所述溫度傳感器的輸出端子。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述制備方法還包括：在所述金屬層上形成鈍化層，并在所述鈍化層上對應(yīng)所述溫度傳感器引出輸出端子處設(shè)有通孔。本發(fā)明還公開了一種溫度傳感器，包括：基底，所述基底包括硅片和在所述硅片上形成的氧化硅薄膜，所述硅片與所述氧化硅薄膜之間形成有空腔；和測溫單元，所述測溫單元形成于所述空腔上方的氧化硅薄膜上，所述測溫單元用于感測環(huán)境溫度。上述溫度傳感器，由于其基底中氧化硅薄膜與硅之間形成有空腔，空腔下部的硅不會(huì)影響上部氧化硅的隔熱效果，因此無需通過刻蝕工藝將基底下部的硅刻蝕掉，從而縮短產(chǎn)品制備的時(shí)間，且節(jié)約了成本。由于基底隔熱效果較好。

    本文所使用的所有的技術(shù)和科學(xué)術(shù)語與屬于的技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員通常理解的含義相同。本文中在的說明書中所使用的術(shù)語只是為了描述具體的實(shí)施例的目的，不是旨在于限制。本文所使用的術(shù)語“及/或”包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)的所列項(xiàng)目的任意的和所有的組合。本申請?zhí)峁┮环N溫度傳感器的制備方法，如圖所示，其步驟包括：步驟s：在硅片上形成若干溝槽。結(jié)合圖a所示，獲取一硅晶片，從硅片上方垂直向下開設(shè)若干并列的溝槽形成溝槽陣列。在一實(shí)施例中，先在硅片上形成具有陣列圖案的光刻膠層，再以光刻膠作為掩膜版對硅片進(jìn)行刻蝕形成若干溝槽。在本實(shí)施例中，刻蝕可為常規(guī)的干法刻蝕，具體為深度離子刻蝕。干法刻蝕具有更高的刻蝕精度和更好的各向異性性能，其精度可達(dá)亞微米級(jí)別，通過干法刻蝕，可以得到形態(tài)較好的溝槽，尤其是溝槽尺寸較小時(shí)利用干法刻蝕效果更佳?？赏ㄟ^調(diào)節(jié)掩膜板圖案和控制刻蝕參數(shù)得到不同形態(tài)的溝槽，其中，溝槽的寬度可為～μm，溝槽的深度可為～μm，相鄰溝槽之間的間隔可為～μm。溝槽的俯視形貌可以為圓形、方形或其他形狀。溝槽的寬度為溝槽側(cè)壁的大距離。如果溝槽為圓形，則溝槽的寬度為其直徑，如果溝槽為正方形，則溝槽的寬度為其對角的距離。深圳市美信美科技有限公司，你的穩(wěn)定溫度傳感器供應(yīng)商。

    n型多晶硅條和p型多晶硅條通過金屬結(jié)構(gòu)串聯(lián)，第三金屬層還包括位于多晶硅層外側(cè)兩端的第二金屬結(jié)構(gòu)，用于引出溫度傳感器的輸出端子。繼續(xù)參見圖和圖，在多晶硅層上淀積第三金屬層，第三金屬層包括金屬結(jié)構(gòu)和第二金屬結(jié)構(gòu)。金屬結(jié)構(gòu)位于相鄰多晶硅條之間以連接該多晶硅條，具體為位于相鄰多晶硅條端部位置，所有n型多晶硅條和p型多晶硅條通過該金屬結(jié)構(gòu)形成一串聯(lián)結(jié)構(gòu)，因此，當(dāng)具有m個(gè)多晶硅條時(shí)，需要m-個(gè)金屬結(jié)構(gòu)使多晶硅條串聯(lián)起來。一個(gè)n型多晶硅條與一個(gè)p型多晶硅條串聯(lián)形成一個(gè)塞貝克(seebeck)結(jié)構(gòu)，在本方案中，是多個(gè)塞貝克結(jié)構(gòu)串聯(lián)形成一個(gè)測溫單元，因此，m需為偶數(shù)。第二金屬結(jié)構(gòu)淀積于多晶硅層外側(cè)的兩端，以便于引出溫度傳感器的輸出端子。在本實(shí)施例中，第三金屬層為金屬鋁層。上述熱電偶傳感結(jié)構(gòu)，利用半導(dǎo)體兩端的溫度不同時(shí)。會(huì)在半導(dǎo)體內(nèi)部產(chǎn)生溫差電動(dòng)勢，不同類型的半導(dǎo)體其溫差電動(dòng)勢不同，將兩種半導(dǎo)體兩端連接形成閉合回路時(shí)，在回路中有電流產(chǎn)生，半導(dǎo)體兩端的溫差不同時(shí)，所產(chǎn)生的電動(dòng)勢不同。在本方案中。采用n型半導(dǎo)體和p型半導(dǎo)體構(gòu)成塞貝克結(jié)構(gòu)且多個(gè)塞貝克結(jié)構(gòu)串聯(lián)，可以增強(qiáng)溫度傳感器的靈敏度。在一實(shí)施例中。溫度傳感器實(shí)力供應(yīng)商有哪些？深圳美信美科技。太原智誠溫度傳感器企業(yè)

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    n型多晶硅可為在多晶硅內(nèi)部摻雜ⅴ族元素形成導(dǎo)電類型為n型的多晶硅，且其內(nèi)部摻雜均勻；p型多晶硅可為在多晶硅內(nèi)部摻雜ⅲ族元素形成導(dǎo)電類型為p型的多晶硅，且其內(nèi)部摻雜均勻。n型多晶硅條和p型多晶硅條形狀相同，在本方案中，n型多晶硅條和p型多晶硅條為長條型，多晶硅條平行設(shè)置，具有相同的間距。在多晶硅層上淀積有第三金屬層，第三金屬層包括金屬結(jié)構(gòu)和第二金屬結(jié)構(gòu)。金屬結(jié)構(gòu)位于相鄰多晶硅條之間，該多晶硅條通過金屬結(jié)構(gòu)連接，金屬結(jié)構(gòu)具體為位于相鄰多晶硅條端部位置，所有n型多晶硅條和p型多晶硅條通過該金屬結(jié)構(gòu)形成一串聯(lián)結(jié)構(gòu)，因此，當(dāng)具有m個(gè)多晶硅條時(shí)，需要m-個(gè)金屬結(jié)構(gòu)使多晶硅條串聯(lián)起來。一個(gè)n型多晶硅條與一個(gè)p型多晶硅條串聯(lián)形成一個(gè)塞貝克(seebeck)結(jié)構(gòu)，在本方案中，是多個(gè)塞貝克結(jié)構(gòu)串聯(lián)形成一個(gè)測溫單元，因此。m需為偶數(shù)。第二金屬結(jié)構(gòu)淀積于多晶硅層外側(cè)的兩端，以便于引出溫度傳感器的輸出端子。在本實(shí)施例中，第三金屬層為金屬鋁層。上述熱電偶傳感結(jié)構(gòu)，利用兩不同類型的半導(dǎo)體兩端的溫度不同時(shí)，會(huì)在半導(dǎo)體內(nèi)部產(chǎn)生溫差電動(dòng)勢，不同類型的半導(dǎo)體其溫差電動(dòng)勢不同。將兩種半導(dǎo)體兩端連接形成閉合回路時(shí)，在回路中有電流產(chǎn)生。太原智誠溫度傳感器企業(yè)