江蘇快恢復二極管MUR1640CA

來源: 發(fā)布時間:2024-10-25

管質量的好壞取決于芯片工藝。目前,行業(yè)內使用的二極管芯片工藝主要有兩種:玻璃鈍化(GPP)和酸洗(OJ)。二極管的GPP工藝結構,其芯片P-N結是在鈍化玻璃的保護之下。玻璃是將玻璃粉采用800度左右的燒結熔化,冷卻后形成玻璃層。這玻璃層和芯片熔為一體,無法用機械的方法分開。而二極管的OJ工藝結構,其芯片P-N結是在涂膠的保護之下。采用涂膠保護結,然后在200度左右溫度進行固化,保護P-N結獲得電壓。OJ的保護膠是覆蓋在P-N結的表面。玻璃鈍化(GPP)和酸洗(OJ)特性對比玻璃鈍化(GPP)和酸洗(OJ)芯片工藝由于結構的不同,當有外力產生時,冷熱沖擊,OJ工藝結構的二極管,由于保護膠和硅片不貼合,會產生漏氣,導致器件出現(xiàn)一定比率的失效。GPP工藝結構的TVS二極管,可靠性很高,在150度的HTRB時,表現(xiàn)仍然很出色;而OJ工藝的產品能夠承受100度左右的HTRB。常州市國潤電子有限公司是一家專業(yè)提供快恢復二極管 的公司,有想法可以來我司咨詢!江蘇快恢復二極管MUR1640CA

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  二極管的軟度可以獲取更進一步操縱。圖3SONIC軟恢復二極管的壽命控制該二極管回復波形異常的平滑從未振蕩,所以電磁擾亂EMI值十分低。這種軟恢復二極管不僅引致開關損失縮減,而且容許除去二極管的并聯(lián)RC緩沖器。使用軸向壽命抑制因素可以取得較佳性能的二極管。電力電子學中的功率開關器件(IGBT、MOSFET、BJT、GTO)總是和迅速二極管相并聯(lián),在增加開關頻率時,除傳導損耗以外,功率開關的固有的功用和效率均由二極管的反向恢復屬性決定(由圖2的Qrr,IRM和Irr特點表示)。所以對二極管要求正向瞬態(tài)壓降小,反向回復時間斷,反向回復電荷少,并且具備軟恢復特點。反向峰值電流IRM是另一個十分關鍵的屬性。反向電流衰變的斜率dirr/dt由芯片的工藝技術和擴散參數決定。在電路中,這個電流斜率與寄生電感有關,例如連接引線,引起過電壓尖峰和高頻干擾電壓。dirr/dt越高(“硬回復”屬性),二極管和并聯(lián)的開關上產生的附加電壓越高。反向電流的緩慢衰減(“軟恢復”特點)是令人令人滿意的屬性。所有的FRED二極管都使用了“軟恢復”特點,SONIC二極管的恢復屬性更“軟”,它們的阻斷電壓范圍寬,使這些迅速軟恢復二極管能夠作為開關電源(SMPS)的輸出整流器。陜西快恢復二極管SF168CT常州市國潤電子有限公司是一家專業(yè)提供快恢復二極管 的公司,有想法的不要錯過哦!

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二極管就會進入截止狀態(tài),電流無法流動。然而,即使在截止狀態(tài)下,一些電荷仍然能夠存留在二極管的P型和N型區(qū)域之間。當反向電源電壓被移除時,這些殘余電荷會導致二極管在一段時間內繼續(xù)截止。這段時間被稱為二極管的恢復時間,而此過程被稱為二極管恢復。在二極管恢復期間,電荷被移除,然后回到其正常工作狀態(tài)。二極管的恢復時間可以通過查找其數據手冊或者參考相關技術文獻來確定。希望這個簡短的解釋對您有所幫助,如果您有更多關于二極管恢復的問題,請隨時提問

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快恢復二極管的總功率損耗與正向通態(tài)壓降VF,通態(tài)電流IF,反向電壓VR,反向漏電流IR,正向過沖電壓Vfp,反向恢復漏電流峰值Irp。以及反向電流下降時間tb等有關。盡管如此,對于給定的快恢復二極管應用,通態(tài)電流和反向電壓通常應用電路決定的,只要不超過額定使用條件即可。然而在給定的IF和VR條件下的VF,IR,Vrp,Irp和tb等二極管的特性卻是由所使用的快恢復二極管本身的性能決定的。我們能通過算式5清楚地看到,上述任何一個參數的升高都將導致功率損耗的増加。相反地,如果我們能夠降低其中的某些參數值,則可以降低功率損耗,在所有的功率損耗中,通態(tài)損耗所占比例,因此降低通態(tài)損耗是降低總功率損耗的主要路徑和方法。而對于通態(tài)損耗來講,正向電流由應用條件和額定決定,為恒定值,占空比也由應用條件決定,由算式1可以清楚地看到降低正向壓降是降低功率損耗的主要途徑。而正向壓降正是快恢復二極管本身的性能能力決定的。所以選擇低功耗二極管主要的要看在同等條件下的正向壓降。壓降越低的,其功耗也越低。江蘇快恢復二極管MUR1640CA