目前，AlN陶瓷燒結氣氛有3種：中性氣氛、還原型氣氛和弱還原型氣氛。中性氣氛采用常用的N2、還原性氣氛采用CO，弱還原性氣氛則使用H2。在還原氣氛中，AlN陶瓷的燒結時間及保溫時間不宜過長，且其燒結溫度不能過高，以免AlN被還原。而在中性氣氛中不會出現(xiàn)上述情況，因此一般選擇在氮氣中燒結，以此獲得性能更高的AlN陶瓷。在氮化鋁陶瓷基板燒結過程中，除了工藝和氣氛影響著產(chǎn)品的性能外，燒結助劑的選擇也尤為重要。AlN燒結助劑一般是堿金屬氧化物和堿土金屬氧化物，燒結助劑主要有兩方面的作用：一方面形成低熔點物相，實現(xiàn)液相燒結，降低燒結溫度，促進坯體致密化；另一方面，高熱導率是AlN基板的重要性能，而實現(xiàn)A...

氮化鋁的應用：應用于發(fā)光材料，氮化鋁（AlN）的直接帶隙禁帶很大寬度為6.2eV，相對于間接帶隙半導體有著更高的光電轉換效率。AlN作為重要的藍光和紫外發(fā)光材料，應用于紫外/深紫外發(fā)光二極管、紫外激光二極管以及紫外探測器等。此外，AlN可以和III族氮化物如GaN和InN形成連續(xù)的固溶體，其三元或四元合金可以實現(xiàn)其帶隙從可見波段到深紫外波段的連續(xù)可調(diào)，使其成為重要的高性能發(fā)光材料。可以說，從性能的角度講，氮化鋁與氮化硅是目前很適合用作電子封裝基片的材料，但他們也有個共同的問題就是價格過高。氮化鋁陶瓷基板具有導熱效率高、力學性能好、耐腐蝕、電性能優(yōu)、可焊接等特點。納米氮化鋁價格具有優(yōu)良的耐磨損性...

環(huán)氧樹脂/AlN復合材料：作為封裝材料，需要良好的導熱散熱能力，且這種要求愈發(fā)嚴苛。環(huán)氧樹脂作為一種有著很好的化學性能和力學穩(wěn)定性的高分子材料，它固化方便，收縮率低，但導熱能力不高。通過將導熱能力優(yōu)異的AlN納米顆粒添加到環(huán)氧樹脂中，可有效提高材料的熱導率和強度。TiN/AlN復合材料：TiN具有高熔點、硬度大、跟金屬同等數(shù)量級的導電導熱性以及耐腐蝕等優(yōu)良性質。在AlN基體中添加少量TiN，根據(jù)導電滲流理論，當摻雜量達到一定閾值，在晶體中形成導電通路，可以明顯調(diào)節(jié)AlN燒結體的體積電阻率，使之降低2~4個數(shù)量級。而且兩種材料所制備的復合陶瓷材料具有雙方各自的優(yōu)勢，高硬度且耐磨，也可以用作高級研...

生產(chǎn)方法：將氨和鋁直接進行氮化反應，經(jīng)粉碎、分級制得氮化鋁粉末。或者將氧化鋁和炭充分混合,在電爐中于1700℃還原制得氮化鋁。將高純度鋁粉脫脂(用抽提或在氮氣流中加熱到150℃)后，放到鎳盤中，將盤放在石英或瓷制反應管內(nèi)，在提純的氮氣流中慢慢地進行加熱。氮化反應在820℃左右時發(fā)出白光迅速地進行。此時，必須大量通氮以防止反應管內(nèi)出現(xiàn)減壓。這個激烈的反應完畢后，在氮氣流中冷卻。由于產(chǎn)物內(nèi)包有金屬鋁,可將其粉碎，并在氮氣流中于1100～1200℃溫度下再加熱1～2h，即得到灰白色氮化鋁。另外，將鋁在1200～1400℃下蒸發(fā)氣化，使其與氮氣反應即得到氮化鋁的須狀物(金屬晶須)。此外,也有將AlCl...

陶瓷線路板的耐熱循環(huán)性能是其可靠性關鍵參數(shù)之一。本文對陶瓷基板在反復周期性加熱過程中發(fā)生的變形情況進行了研究。通過實驗發(fā)現(xiàn)，陶瓷覆銅板在周期性加熱過程中，存在類似金屬材料在周期載荷作用下出現(xiàn)的棘輪效應和包辛格效應。結合ＡＮＳＹＳ有限元計算結果，可以推斷，陶瓷線路板的失效開裂與金屬層的塑性變形或位錯運動直接相關。另外，活性金屬釬焊陶瓷基板的結構穩(wěn)定性優(yōu)于直接覆銅陶瓷基板。隨著功率器件工作電壓、電流的增加和芯片尺寸不斷減小，芯片功率密度急劇增加，對芯片的散熱封裝的可靠性提出了更高挑戰(zhàn)。傳統(tǒng)柔性基板或金屬基板已滿足不了第三代半導體模塊高功率、高散熱的要求，陶瓷基板具有良好的導熱性、耐熱性、絕緣性、低...

提高氮化鋁陶瓷熱導率的途徑：選擇合適的燒結工藝，微波燒結：微波燒結是利用微波與介質的相互作用產(chǎn)生介電損耗使坯體整體加熱的燒結方法。同時，微波可以使粉末顆?；钚蕴岣撸欣谖镔|的傳遞。微波燒結已成為一門新型的陶瓷燒結技術，它利用整體性自身加熱，使材料加熱的效率提高，升溫速度加快，保溫時間縮短，這有利于提高致密化速度并可以有效抑制晶粒生長，獲得獨特的性能和結構。放電等離子燒結：放電等離子燒結系統(tǒng)利用脈沖能、放電脈沖壓力和焦耳熱產(chǎn)生的瞬間高溫場來實現(xiàn)燒結過程。SPS升溫速度快、燒結時間短、能在較低溫度下燒結，通過控制燒結組分與工藝能實現(xiàn)溫度梯度場，可用于燒結梯度材料及大型工件等復雜材料。放電等離子燒...

由于具有優(yōu)良的熱、電、力學性能。氮化鋁陶瓷引起了國內(nèi)外研究者的較廣關注，隨著現(xiàn)代科學技術的飛速發(fā)展，對所用材料的性能提出了更高的要求。氮化鋁陶瓷也必將在許多領域得到更為較廣的應用！雖然多年來通過許多研究者的不懈努力，在粉末的制備、成形、燒結等方面的研究均取得了長足進展。但就截止2013年4月而言，氮化鋁的商品化程度并不高，這也是影響氮化鋁陶瓷進一步發(fā)展的關鍵因素。為了促進氮化鋁研究和應用的進一步發(fā)展，必須做好下面兩個研究工作。研究低成本的粉末制備工藝和方法！制約氮化鋁商品化的主要因素就是價格問題。若能以較低的成本制備出氮化鋁粉末，將會提高其商品化程度！高溫自蔓延法和低溫碳熱還原合成工藝是很有發(fā)...

脫脂體中的殘留碳被除去，以得到具有理想煅燒體組織和熱導率的氮化鋁煅燒體。如果爐內(nèi)壓力超過150Pa，則不能充分地除去碳，如果溫度超過1500℃進行加熱，氮化鋁晶粒將會有致密化的趨勢，碳的擴散路徑將會被閉合，因此不能充分的除去碳。此處，如果在爐內(nèi)壓力0.4MPa以上的加壓氣氛下進行煅燒，則液相化的煅燒助劑不易揮發(fā)，能有效的預制氮化鋁晶粒的空隙產(chǎn)生，能有效的提高氮化鋁基板的絕緣特性；如果煅燒溫度不足1700℃，則由于氮化鋁的晶粒的粒子生長不充分而無法得到致密的的煅燒體組織，導致基板的導熱率下降，；另一方面，如果煅燒溫度超過1900℃，則氮化鋁晶粒過度長大，導致氧化鋁晶粒間的空隙增大，從而導致氮化鋁...

機械連接法的特點是采取合理的結構設計將AlN基板與金屬連接在一起，主要有熱套連接和螺栓連接兩種。機械連接方法具有工藝簡單，可行性好等特點，但它常常會產(chǎn)生應力集中，并且不適用于高溫環(huán)境。厚膜法是通過絲網(wǎng)印刷在AlN基板表面涂刷一層導體漿料，經(jīng)燒結形成引線接點及電路。厚膜導體漿料一般由導電金屬粉末（Au、Ag、Cu等，粒度為1-5μm）、玻璃粘結劑和有機載體（包括表面活性劑、有機溶劑和增稠劑等）經(jīng)混合球磨而成。其中導電金屬粉末決定了漿料成膜后的電學性能和機械性能，玻璃粘結劑的作用是粘結導電金屬粉末與基體材料并決定了兩者之的粘結強度，有機載體作為溶劑將金屬粉末與粘結劑混合在一起。氮化鋁陶瓷具有優(yōu)良的...

氮化鋁基板材料熱膨脹系數(shù)（4.6×10-6/K）與SiC芯片熱膨脹系數(shù)（4.5×10-6/K）相近，導熱率系數(shù)大（170-230W/m?K），絕緣性能優(yōu)異，可以適應SiC的應用要求，是搭載SiC半導體的理想基板材料。以往，氮化鋁基板主要通過如下工藝制備：在氮化鋁粉末中混合煅燒助劑、粘合劑、增塑劑、分散介質、脫模機等添加劑，通過擠出成型在空氣中或氮等非氧化性氣氛中加熱到350-700℃而將粘合劑去除后（脫脂），在1800-1900℃的氮等非氧化性氣氛中保持0.5-10小時的（煅燒）。該法制備氮化鋁基板的缺陷：通過上述工藝制備出來的氮化鋁基板材料，其擊穿電壓在室溫下顯示為30-40kV/mm左右的...

由于氮化鋁陶瓷基片的特殊技術要求，加上設備投資大、制造工藝復雜，氮化鋁陶瓷基片重點制造技術被日本等國家的幾個大公司掌控。氮化鋁陶瓷基片制備、燒結及后期加工等特殊要求較高，尤其是在產(chǎn)品領域對產(chǎn)品性能、穩(wěn)定性等要求更高，再加上設備投資大、制造工藝復雜。目前，我國氮化鋁陶瓷基片生產(chǎn)企業(yè)缺乏重點技術，再加上我國大多數(shù)氮化鋁陶瓷基片生產(chǎn)企業(yè)規(guī)模較小，研發(fā)投入資金有限，技術人員較少且經(jīng)驗不足，導致我國氮化鋁陶瓷基片整體技術水平較低，產(chǎn)品缺乏競爭力，主要集中在中低端產(chǎn)品。近幾年，中國氮化鋁基板生產(chǎn)企業(yè)數(shù)量增長趨勢很快，原有企業(yè)也積極擴大生產(chǎn)規(guī)模。氮化鋁產(chǎn)量不斷增長，增長速度有加快趨勢，但是國內(nèi)氮化鋁產(chǎn)量仍然...

AlN陶瓷基片的燒結工藝：燒結助劑及其添加方式，燒結助劑主要有兩方面的作用：一方面形成低熔點物相，實現(xiàn)液相燒結，降低燒結溫度，促進坯體致密化；另一方面，高熱導率是AlN基板的重要性能，而實際AlN基板中由于存在氧雜質等各種缺陷，熱導率低于其理論值，加入燒結助劑可以與氧反應，使晶格完整化，進而提高熱導率。常用的燒結助劑主要是以堿土金屬和稀土元素的化合物為主，單元燒結助劑燒結能力往往很有限，通常要配合1800℃以上燒結溫度、較長燒結時間及較多含量的燒結助劑等條件。燒結過程中如果只采用一種燒結助劑，所需要的燒結溫度難以降低，生產(chǎn)成本較高。二元或多元燒結助劑各成分間相互促進，往往會得到更加明顯的燒結效...

氮化鋁的應用：應用于襯底材料，AlN晶體是GaN、AlGaN以及AlN外延材料的理想襯底。與藍寶石或SiC襯底相比，AlN與GaN熱匹配和化學兼容性更高、襯底與外延層之間的應力更小。因此，AlN晶體作為GaN外延襯底時可大幅度降低器件中的缺陷密度，提高器件的性能，在制備高溫、高頻、高功率電子器件方面有很好的應用前景。另外，用AlN晶體做高鋁（Al）組份的AlGaN外延材料襯底還可以有效降低氮化物外延層中的缺陷密度，極大地提高氮化物半導體器件的性能和使用壽命?；贏lGaN的高質量日盲探測器已經(jīng)獲得成功應用。氮化鋁室溫下與水緩慢反應.可由鋁粉在氨或氮氣氛中800~1000℃合成，產(chǎn)物為白色到灰藍...

氮化鋁在取向硅鋼二次再結晶中的作用：二次再結晶在取向鋼的制造過程中不可缺少，它是在鋼鐵材料的方向性方面發(fā)生的現(xiàn)象?？梢赃@樣形容，在幾乎無方向性的基體中，一粒沙子在一瞬間長大成1立方米大的巖石，其結晶方位大約可達到95％的取向度。在此期問，為了抑制基體的長大，普通的高斯法中，采用MnS、RG和RGH鋼中則利用的是MnSe、Sb，而這里將談談AIN。關于二次再結晶的機理已有很多文獻介紹，這里就A1N的特殊性進行描述。HiB鋼熱軋材中的A1N必須是固溶態(tài)或極細小的AIN。具有(100)[001]方位的立方體織構鋼，可以通過對含A1熱軋板進行交叉冷軋得到，這時該鋼種具有以下三個重要的特征。AlN很好是...

高導熱氮化鋁基片的燒結工藝重點包括燒結方式、燒結助劑的添加、燒結氣氛的控制等。放電等離子燒結是20世紀90年代發(fā)展并成熟的一種燒結技術，它利用脈沖大電流直接施加于模具和樣品上，產(chǎn)生體加熱使被燒結樣品快速升溫；同時，脈沖電流引起顆粒間的放電效應，可凈化顆粒表面，實現(xiàn)快速燒結，有效地抑制顆粒長大。使用SPS技術能夠在較低溫度下進行燒結，且升溫速度快，燒結時間短。微波燒結是利用特殊頻段的電磁波與介質的相互耦合產(chǎn)生介電損耗，使坯體整體加熱的燒結方法。微波同時提高了粉末顆?；钚裕铀傥镔|的傳遞。微波燒結也是一種快速燒結法，同樣可保證樣品安全衛(wèi)生無污染。雖然機理與放電等離子體燒結有所不同，但是兩者都能實現(xiàn)...

粉末注射成型是將現(xiàn)代塑料注射成型技術引入粉末冶金領域而形成的一門新型近終形成型技術。據(jù)中國粉體網(wǎng)編輯了解，該技術的很大特點是可以直接制備出復雜形狀的零件，而且由于是流態(tài)充模，基本上沒有模壁摩擦，成型坯的密度均勻，尺寸精度高。因此，國際上普遍認為該技術的發(fā)展將會導致零部件成型與加工技術的一場**，被譽為“21世紀的零部件成型技術”。粘結劑是注射成型技術的重點，首先，粘結劑是粉末的載體，它在很大程度上決定喂料注射成型的流變性能和注射性能；其次，一種良好的粘結劑還必須具有維形作用，即保證樣品從注射完成到脫脂結束都能維持形狀而不發(fā)生變化。為了同時滿足上述要求，粘結劑一般由多種有機物組元組成。高溫自蔓延...

氮化鋁陶瓷有哪些特性和應用呢：高導熱性和出色的電絕緣性使氮化鋁適用于各種極端環(huán)境。氮化鋁是一種高性能材料，特別適用于要求嚴苛的電氣應用。我們將較廣的技術理解與與客戶合作的承諾相結合，確保我們的材料解決方案滿足嚴格的規(guī)格，同時提供的性能。氮化鋁可以通過干壓和燒結或使用適當?shù)臒Y助劑通過熱壓生產(chǎn)，這些過程的結果是一種在包括氫氣和二氧化碳氣氛在內(nèi)的一系列惰性環(huán)境中在高溫下穩(wěn)定的材料。氮化鋁主要用于電子領域，特別是當散熱是一項重要功能時。氮化鋁的特性也使其特別適用于制造耐腐蝕產(chǎn)品。典型的氮化鋁特性包括：非常好的導熱性、熱膨脹系數(shù)與硅相似、良好的介電性能、良好的耐腐蝕性、在半導體加工環(huán)境中的穩(wěn)定性。典型...

氮化鋁陶瓷室溫比較強度高，且不易受溫度變化影響，同時具有比較高的熱導系數(shù)和比較低的熱膨脹系數(shù)，是一種優(yōu)良的耐熱沖材料及熱交換材料，作為熱交換材料，可望應用于燃氣輪機的熱交換器上。由于氮化鋁具有與鋁、鈣等金屬不潤濕等特性，所以可以用其作坩堝、保護管、澆注模具等。將氮化鋁陶瓷作為金屬熔池可以用在浸入式熱電偶保護管中，由于它不粘附熔融金屬，在800~1000℃的熔池中可以連續(xù)使用大約3000個小時以上并且不會被侵蝕破壞。此外，由于氮化鋁材料對熔鹽砷化鎵等材料性能穩(wěn)定，那么將坩堝替代玻璃進行砷化鎵半導體的合成，能夠完全消除硅的污染而得到高純度的砷化鎵。氮化鋁但當溫度高于1370℃時，便會發(fā)生大量氧化作...

由于氮化鋁具有與鋁、鈣等金屬不潤濕等特性，所以可以用其作坩堝、保護管、澆注模具等。將氮化鋁陶瓷作為金屬熔池可以用在浸入式熱電偶保護管中，由于它不粘附熔融金屬，在800~1000度的熔池中可以連續(xù)使用大約3000個小時以上并且不會被侵蝕破壞。此外，由于氮化鋁材料對熔鹽砷化鎵等材料性能穩(wěn)定，那么將氮化鋁坩堝替代玻璃進行砷化鎵半導體的合成，能夠完全消除硅的污染而得到高純度的砷化鎵。氮化鋁陶瓷擁有高硬度和高溫強度性能，可制作切割工具、砂輪、拉絲模以及制造工具材料、金屬陶瓷材料的原料。氮化鋁的熱導率主要由晶體缺陷和聲子自身對聲子散射控制。成都絕緣氮化鋁粉體價格在AlN陶瓷的燒結工藝中，燒結氣氛的選擇也十...

氮化鋁具有與鋁、鈣等金屬不潤濕等特性，所以可以用其作坩堝、保護管、澆注模具等。將氮化鋁陶瓷作為金屬熔池可以用在浸入式熱電偶保護管中，由于它不粘附熔融金屬，在800~1000℃的熔池中可以連續(xù)使用大約3000個小時以上并且不會被侵蝕破壞。此外，由于氮化鋁材料對熔鹽砷化鎵等材料性能穩(wěn)定，那么將坩堝替代玻璃進行砷化鎵半導體的合成，能夠完全消除硅的污染而得到高純度的砷化鎵。耐熱材料。AlN的介電損耗值較低，為了使之適合作為微波衰減材料，通常添加導電性和導熱性都良好的金屬或者陶瓷作為微波衰減劑制備成Al N 基的微波衰減陶瓷。目前研究中所涉及到的導電添加劑有碳納米管、TiB2、TiC以及金屬Mo、W、C...

納米氮化鋁粉體主要用途：制造高性能陶瓷器件:制造集成電路基板，電子器件，光學器件，散熱器，高溫紺塢。制備金屬基及高分子基復合材料:特別是在高溫密封膠粘劑和電子封裝材料中有極好的應用前景。納米無機陶瓷車用潤滑油及抗磨劑﹔納米陶瓷機油中的納米氮化鋁陶瓷粒子隨潤滑油作用于發(fā)動機內(nèi)部的摩擦副金屬表面，在高溫和極壓的作用下被，并牢固滲嵌到金屬表面凹痕和微孔中，修復受損表面，形成納米陶瓷保護膜。因為這層膜的隔離作用，從而極大的降低摩擦力，將運動機件間的摩擦降至近乎零，通過改善潤滑，可降低摩擦系數(shù)70%以上，提高抗磨能力300%以上，降低磨損80%以上，可延長機械零件壽命3倍以上，減少停工，降低維修成本，延...

氮化鋁陶瓷的注射成型：陶瓷注射成型技術（CIM）是一種制造復雜形狀陶瓷零部件的新興技術，在制備復雜小部件方面有著其不可比擬的獨特優(yōu)勢。隨著近年來全球范圍內(nèi)電子陶瓷產(chǎn)業(yè)化規(guī)模的不斷擴大，CIM 技術誘人的應用前景更值得期待。該工藝主要包括喂料制備、注射成型、脫脂和燒結。粘結劑是氮化鋁陶瓷粉末的載體，決定了喂料注射成形的流變性能和注射性能。良好的粘結劑可起到形狀維持的作用，且有效減少坯體變形和脫脂缺陷的產(chǎn)生。陶瓷注射成型粘結劑須具備以下條件：流動特性好，注射成型黏度適中，且黏度隨溫度不能波動太大，以減少缺陷產(chǎn)生；對粉體的潤濕性和粘附作用好；具有高導熱性和低熱膨脹系數(shù)。 一般由多組分有機物組成，單一...

氧雜質對熱導率的影響：AIN極易發(fā)生水解和氧化，使氮化鋁表面發(fā)生氧化，導致氧固溶入AIN晶格中形成鋁空位缺陷，這樣就會導致聲子散射增加，平均自由程降低，熱導率也隨之降低。因此，為了提高熱導率，加入合適的燒結助劑來除去晶格中的氧雜質是一種有效的辦法。氮化鋁陶瓷的燒結的關鍵控制要素：AlN是共價化合物，原子的自擴散系數(shù)小，鍵能強，導致很難燒結致密，其熔點高達3000℃以上，燒結溫度更是高達1900℃以上，如此高的燒結溫度嚴重制約了氮化鋁在工業(yè)上的實際應用。此外，AlN表層的氧雜質是在高溫下才開始向其晶格內(nèi)部擴散的，因此低溫燒結還有另外一個作用，即延緩燒結時表層的氧雜質向AlN晶格內(nèi)部擴散，減少晶格...

氮化鋁因其相對優(yōu)異的導熱性和無毒性質而成為很常用的材料。它具有非常高的導熱性和出色的電絕緣性能的非常有趣的組合。這使得氮化鋁注定用于電力和微電子應用。例如，它在半導體中用作電路載體（基板）或在 LED 照明技術或大功率電子設備中用作散熱器。氮化鋁耐熔融鋁、鎵、鐵、鎳、鉬、硅和硼。氮化鋁可以金屬化、電鍍和釬焊。它也是一種良好的電絕緣體，如果需要，可以很容易地進行金屬化。出于這個原因，該材料通常用作散熱器或其他需要快速散熱的應用。氮化鋁可以形成大的形狀，也很容易作為薄基板獲得。氮化鋁主要用于電子領域，特別是當散熱是一項重要功能時。高導熱性和出色的電絕緣性使氮化鋁適用于各種極端環(huán)境，尤其適用于要求苛...

氮化鋁膜是指用氣相沉積、液相沉積、表面轉化或其它表面技術制備的氮化鋁覆蓋層 。氮化鋁膜在微電子和光電子器件、襯底材料、絕緣層材料、封裝材料上有著十分廣闊的應用前景。由于它的聲表面波速度高，具有壓電性，可用作聲表面波器件。此外，氮化鋁還具有良好的耐磨損和耐腐蝕性能，可用作防護膜。氮化鋁膜很早用化學氣相沉積(CVI)制備，其沉積溫度高達1000攝氏度以上。后來，通過采用等離子體增強化學氣相沉積，或用物相沉積((PVD)方法，其沉積溫度逐步降到500攝氏度以下、甚至可以在接近室溫條件下沉積。大多數(shù)氮化鋁膜為多晶，但已在藍寶石基材上成功地外延生長制成單晶氮化鋁膜。此外，也曾沉積出非晶氮化鋁膜。在氮化鋁...

目前，AlN陶瓷燒結氣氛有3種：中性氣氛、還原型氣氛和弱還原型氣氛。中性氣氛采用常用的N2、還原性氣氛采用CO，弱還原性氣氛則使用H2。在還原氣氛中，AlN陶瓷的燒結時間及保溫時間不宜過長，且其燒結溫度不能過高，以免AlN被還原。而在中性氣氛中不會出現(xiàn)上述情況，因此一般選擇在氮氣中燒結，以此獲得性能更高的AlN陶瓷。在氮化鋁陶瓷基板燒結過程中，除了工藝和氣氛影響著產(chǎn)品的性能外，燒結助劑的選擇也尤為重要。AlN燒結助劑一般是堿金屬氧化物和堿土金屬氧化物，燒結助劑主要有兩方面的作用：一方面形成低熔點物相，實現(xiàn)液相燒結，降低燒結溫度，促進坯體致密化；另一方面，高熱導率是AlN基板的重要性能，而實現(xiàn)A...

陶瓷基板是指銅箔在高溫下直接鍵合到陶瓷基片表面（單面或雙面）上的特殊工藝板。氮化鋁陶瓷基板是以氮化鋁陶瓷為主要原材料制造而成的基板。氮化鋁陶瓷基板作為一種新型陶瓷基板，具有導熱效率高、力學性能好、耐腐蝕、電性能優(yōu)、可焊接等特點，是理想的大規(guī)模集成電路散熱基板和封裝材料。近年來，隨著我國電子信息行業(yè)的快速發(fā)展，市場對陶瓷基板的性能要求不斷提升，氮化鋁陶瓷基板憑借其優(yōu)異的特征，其應用范圍不斷擴展。氮化鋁陶瓷基板應用領域較廣，涉及到汽車電子、光電通信、航空航天、消費電子、LED、軌道交通、新能源等多個領域，但受生產(chǎn)工藝、技術水平、市場價格等因素的影響，目前我國氮化鋁陶瓷基板應用范圍仍較窄，主要應用在...

熱導率K在聲子傳熱中的關系式為：K=1/3cvλ；上式c為陶瓷體本身的熱容，v為聲子的平均運動速度，λ為聲子的平均自由程。材料本身的熱容（c）接近常數(shù)，氮化鋁的熱容大是氮化鋁的熱導率高的原因之一，聲子速度（v）與晶體密度和彈性力學性質有關，也可視為常數(shù)，所以，聲子的傳播距離（平均自由程），是影響很終宏觀上氮化鋁陶瓷的熱導率表現(xiàn)的關鍵。所以我們通過氮化鋁內(nèi)部聲子的熱傳導機理可知，要想熱導率高，就要使聲子的傳播更遠（自由程大），也即減少傳播的阻力，這種阻力一般來自于聲子擴散過程中的各種散射。燒結后的陶瓷內(nèi)部通常會有各種晶體缺陷、雜質、氣孔以及引入的第二相，這些因素的作用使聲子發(fā)生散射，也就影響了很...

氮化鋁陶瓷基片制造并非易事：氮化鋁的很大特點是熱膨脹系數(shù)（CTE）與半導體硅（Si）相當，且熱導率高，理論上氮化鋁熱導率可達到320W/(m·K)，但成本很高。由于制備氮化鋁陶瓷的重點原料氮化鋁粉體制備工藝復雜、能耗高、周期長、價格昂貴，國內(nèi)的氮化鋁粉體很大程度上依賴進口。原料的批次穩(wěn)定性、成本也成為國內(nèi)氮化鋁陶瓷基片材料制造的瓶頸。氮化鋁基板生產(chǎn)呈地區(qū)集中狀態(tài)，美國、日本、德國等國家和地區(qū)是全球很主要的電子元件生產(chǎn)和研發(fā)中心，在氮化鋁陶瓷基片的研究已遠早于國內(nèi)。日本已有較多企業(yè)研發(fā)和生產(chǎn)氮化鋁陶瓷基片，目前是全球很大的氮化鋁陶瓷基片生產(chǎn)國。利用氮化鋁陶瓷具有較高的室溫和高溫強度，膨脹系數(shù)小，...

氮化鋁的應用：應用于陶瓷及耐火材料，氮化鋁可應用于結構陶瓷的燒結，制備出來的氮化鋁陶瓷，不但機械性能好，抗折強度高于Al2O3和BeO陶瓷，硬度高，還耐高溫耐腐蝕。利用AlN陶瓷耐熱耐侵蝕性，可用于制作坩堝、Al蒸發(fā)皿等高溫耐蝕部件。此外，純凈的AlN陶瓷為無色透明晶體，具有優(yōu)異的光學性能，可以用作透明陶瓷制造電子光學器件裝備的高溫紅外窗口和整流罩的耐熱涂層。復合材料，環(huán)氧樹脂/AlN復合材料作為封裝材料，需要良好的導熱散熱能力，且這種要求愈發(fā)嚴苛。環(huán)氧樹脂作為一種有著很好的化學性能和力學穩(wěn)定性的高分子材料，它固化方便，收縮率低，但導熱能力不高。通過將導熱能力優(yōu)異的AlN納米顆粒添加到環(huán)氧樹脂...