氮化鋁陶瓷是一種高技術(shù)新型陶瓷。氮化鋁基板具有極高的熱導(dǎo)率，無毒、耐腐蝕、耐高溫，熱化學(xué)穩(wěn)定性好等特點(diǎn),是大規(guī)模集成電路，半導(dǎo)體模塊電路和大功率器件的理想封裝材料、散熱材料、電路元件及互連線承載體。也是提高高分子材料熱導(dǎo)率和力學(xué)性能的很佳添加料，氮化鋁陶瓷還可用作熔煉有色金屬和半導(dǎo)體材料砷化鎵的坩堝、熱電偶的保護(hù)管、高溫絕緣件、微波介電材料、耐高溫、耐腐蝕結(jié)構(gòu)陶瓷及透明氮化鋁微波陶瓷制品，用作高導(dǎo)熱陶瓷生產(chǎn)原料及樹脂填料等。氮化鋁是電絕緣體，介電性能良好。砷化鎵表面的氮化鋁涂層，能保護(hù)它在退火時(shí)免受離子的注入。氮化鋁可用作高導(dǎo)熱陶瓷生產(chǎn)原料、AlN陶瓷基片原料、樹脂填料等。結(jié)晶氮化鋁用干羊毛的...

氮化鋁在取向硅鋼二次再結(jié)晶中的作用：二次再結(jié)晶在取向鋼的制造過程中不可缺少，它是在鋼鐵材料的方向性方面發(fā)生的現(xiàn)象?？梢赃@樣形容，在幾乎無方向性的基體中，一粒沙子在一瞬間長(zhǎng)大成1立方米大的巖石，其結(jié)晶方位大約可達(dá)到95％的取向度。在此期問，為了抑制基體的長(zhǎng)大，普通的高斯法中，采用MnS、RG和RGH鋼中則利用的是MnSe、Sb，而這里將談?wù)凙IN。關(guān)于二次再結(jié)晶的機(jī)理已有很多文獻(xiàn)介紹，這里就A1N的特殊性進(jìn)行描述。HiB鋼熱軋材中的A1N必須是固溶態(tài)或極細(xì)小的AIN。具有(100)[001]方位的立方體織構(gòu)鋼，可以通過對(duì)含A1熱軋板進(jìn)行交叉冷軋得到，這時(shí)該鋼種具有以下三個(gè)重要的特征。AlN很好是...

納米氮化鋁粉體主要用途：導(dǎo)熱塑料中的應(yīng)用:納米氮化鋁粉體可以大幅度提高塑料的導(dǎo)熱率。通過實(shí)驗(yàn)產(chǎn)品以5-10%的比例添加到塑料中，可以使塑料的導(dǎo)熱率從原來的0.3提高到5。導(dǎo)熱率提高了1l6倍多。相比較目前市場(chǎng)上的導(dǎo)熱填料（氧化鋁或哦氧化鎂等）具有添加量低，對(duì)制品的機(jī)械性能有提高作用，導(dǎo)熱效果提高更明顯等特點(diǎn)。目前相關(guān)應(yīng)用廠家已經(jīng)大規(guī)模采購(gòu)納米氮化鋁粉體，新型的納米導(dǎo)熱塑料將投放市場(chǎng)。高導(dǎo)熱硅橡膠的應(yīng)用:與硅匹配性能好，在橡膠中容易分散，在不影響橡膠的機(jī)械性能的前提下（實(shí)驗(yàn)證明對(duì)橡膠的機(jī)械性能還有提高作用)可大幅度提升硅橡膠的導(dǎo)熱率，在添加過程中不象氧化物等使黏度上升很快，添加量很小(根據(jù)導(dǎo)熱要...

目前，氮化鋁也存在一些問題。其一是粉體在潮濕的環(huán)境極易與水中羥基形成氫氧化鋁，在AlN粉體表面形成氧化鋁層，氧化鋁晶格溶入大量的氧，降低其熱導(dǎo)率，而且也改變其物化性能，給AlN粉體的應(yīng)用帶來困難。抑制AlN粉末的水解處理主要是借助化學(xué)鍵或物理吸附作用在AlN顆粒表面涂覆一種物質(zhì)，使之與水隔離，從而避免其水解反應(yīng)的發(fā)生。目前抑制水解處理的方法主要有：表面化學(xué)改性和表面物理包覆。其二是氮化鋁的價(jià)格高居不下，每公斤上千元的價(jià)格也在一定程度上限制了它的應(yīng)用。制備氮化鋁粉末一般都需要較高的溫度，從而導(dǎo)致生產(chǎn)制備過程中的能耗較高，同時(shí)存在安全風(fēng)險(xiǎn)，這也是一些高溫制備方法無法實(shí)現(xiàn)工業(yè)化生產(chǎn)的主要弊端。再者是...

燒結(jié)是指陶瓷粉體經(jīng)壓力壓制后形成的素坯在高溫下的致密化過程,在燒結(jié)溫度下陶瓷粉末顆粒相互鍵聯(lián)，晶粒長(zhǎng)大，晶界和坯體內(nèi)空隙逐漸減少，坯體體積收縮，致密度增大，直至形成具有一定強(qiáng)度的多晶燒結(jié)體。氮化鋁作為共價(jià)鍵化合物，難以進(jìn)行固相燒結(jié)。通常采用液相燒結(jié)機(jī)制，即向氮化鋁原料粉末中加入能夠生成液相的燒結(jié)助劑，并通過溶解產(chǎn)生液相，促進(jìn)燒結(jié)。AlN燒結(jié)動(dòng)力：粉末的比表面能、晶格缺陷、固液相之間的毛細(xì)力等。要制備高熱導(dǎo)率的AlN陶瓷，在燒結(jié)工藝中必須解決兩個(gè)問題：是要提高材料的致密度，第二是在高溫?zé)Y(jié)時(shí)，要盡量避免氧原子溶入的晶格中。氮化鋁(AIN)是AI-N二元系中穩(wěn)定的相，它具有共價(jià)鍵、六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)。...

高電阻率、高熱導(dǎo)率和低介電常數(shù)是電子封裝用基片材料的很基本要求。封裝用基片還應(yīng)與硅片具有良好的熱匹配、易成型、高表面平整度、易金屬化、易加工、低成本等特點(diǎn)和一定的力學(xué)性能。陶瓷由于具有絕緣性能好、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定、熱導(dǎo)率高、高頻特性好等優(yōu)點(diǎn)，成為很常用的基片材料。常用的陶瓷基片材料有氧化鈹、氧化鋁、氮化鋁等，其中氧化鋁陶瓷基板的熱導(dǎo)率低，熱膨脹系數(shù)和硅不太匹配；氧化鈹雖然有優(yōu)良的性能，但其粉末有劇毒；而氮化鋁陶瓷具有高熱導(dǎo)率、好的抗熱沖擊性、高溫下依然擁有良好的力學(xué)性能，被認(rèn)為是很理想的基板材料。氮化鋁陶瓷擁有高硬度和高溫強(qiáng)度性能，可用作切割工具、砂輪和拉絲模以及制造工具材料、金屬陶瓷材料的原料。...

由于氮化鋁陶瓷基片的特殊技術(shù)要求，加上設(shè)備投資大、制造工藝復(fù)雜，氮化鋁陶瓷基片重點(diǎn)制造技術(shù)被日本等國(guó)家的幾個(gè)大公司掌控。氮化鋁陶瓷基片制備、燒結(jié)及后期加工等特殊要求較高，尤其是在產(chǎn)品領(lǐng)域?qū)Ξa(chǎn)品性能、穩(wěn)定性等要求更高，再加上設(shè)備投資大、制造工藝復(fù)雜。目前，我國(guó)氮化鋁陶瓷基片生產(chǎn)企業(yè)缺乏重點(diǎn)技術(shù)，再加上我國(guó)大多數(shù)氮化鋁陶瓷基片生產(chǎn)企業(yè)規(guī)模較小，研發(fā)投入資金有限，技術(shù)人員較少且經(jīng)驗(yàn)不足，導(dǎo)致我國(guó)氮化鋁陶瓷基片整體技術(shù)水平較低，產(chǎn)品缺乏競(jìng)爭(zhēng)力，主要集中在中低端產(chǎn)品。近幾年，中國(guó)氮化鋁基板生產(chǎn)企業(yè)數(shù)量增長(zhǎng)趨勢(shì)很快，原有企業(yè)也積極擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模。氮化鋁產(chǎn)量不斷增長(zhǎng)，增長(zhǎng)速度有加快趨勢(shì)，但是國(guó)內(nèi)氮化鋁產(chǎn)量仍然...

氮化鋁陶瓷的制備技術(shù)：凝膠注模成型技術(shù)原理是首先將粉體、溶劑、分散劑混合球磨，制備具有高固相、粘度的粉體-溶劑濃懸浮液，加入合適的有機(jī)單體，添加引發(fā)劑或固化劑或者通過外界條件如溫度等的變化使陶瓷漿料中的單體交聯(lián)固化，很終在坯體中形成三維網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)將陶瓷顆粒固定，使?jié){料原位固化成型。與其他成型工藝技術(shù)相比，凝膠注模成型優(yōu)點(diǎn)如下：適用范圍較廣；成型坯體缺陷和變形小，是一種近凈尺寸成型工藝；坯體強(qiáng)度較高，成型坯體可進(jìn)行機(jī)加工；坯體中有機(jī)物含量很低，排膠后成品變形小；陶瓷生坯和燒結(jié)體密度高、均勻性好；成本低、工藝可控。目前，凝膠注模成型的主要問題有：水機(jī)注凝成型需要對(duì)氮化鋁粉體做抗水解處理，非水基成型則...

氮化鋁基板材料熱膨脹系數(shù)（4.6×10-6/K）與SiC芯片熱膨脹系數(shù)（4.5×10-6/K）相近，導(dǎo)熱率系數(shù)大（170-230W/m?K），絕緣性能優(yōu)異，可以適應(yīng)SiC的應(yīng)用要求，是搭載SiC半導(dǎo)體的理想基板材料。以往，氮化鋁基板主要通過如下工藝制備：在氮化鋁粉末中混合煅燒助劑、粘合劑、增塑劑、分散介質(zhì)、脫模機(jī)等添加劑，通過擠出成型在空氣中或氮等非氧化性氣氛中加熱到350-700℃而將粘合劑去除后（脫脂），在1800-1900℃的氮等非氧化性氣氛中保持0.5-10小時(shí)的（煅燒）。該法制備氮化鋁基板的缺陷：通過上述工藝制備出來的氮化鋁基板材料，其擊穿電壓在室溫下顯示為30-40kV/mm左右的...

氮化鋁陶瓷的注射成型：排膠工藝，由于注射成型坯體中有機(jī)物含量較高，排膠過快會(huì)造成坯體開裂、起泡、分層和變形，因此，如何快速高效排膠成為注射成型的一大難點(diǎn)。排膠工藝包括熱排膠和溶劑排膠。起初主要采用熱排膠，簡(jiǎn)單地把有機(jī)物燒除，這種方式能耗高、時(shí)間長(zhǎng)。為了提高排膠效率，一些學(xué)者探索了溶劑排膠的工藝。由于粘結(jié)劑中石蠟占比重較大，溶劑排膠主要是將坯體中的石蠟溶解，其他粘結(jié)劑仍能維持坯體形狀。溶劑排膠結(jié)合熱工藝排膠可以縮短排膠時(shí)間。注射成型的工藝特點(diǎn)：可近凈尺寸成型各種復(fù)雜形狀，很少(或無需)進(jìn)行機(jī)械加工；成型產(chǎn)品生坯密度均勻，且表面光潔度及強(qiáng)度高；成型產(chǎn)品燒結(jié)體性能優(yōu)異且一致性好；易于實(shí)現(xiàn)機(jī)械化和自動(dòng)...

由于具有優(yōu)良的熱、電、力學(xué)性能。氮化鋁陶瓷引起了國(guó)內(nèi)外研究者的較廣關(guān)注，隨著現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)的飛速發(fā)展，對(duì)所用材料的性能提出了更高的要求。氮化鋁陶瓷也必將在許多領(lǐng)域得到更為較廣的應(yīng)用！雖然多年來通過許多研究者的不懈努力，在粉末的制備、成形、燒結(jié)等方面的研究均取得了長(zhǎng)足進(jìn)展。但就截止2013年4月而言，氮化鋁的商品化程度并不高，這也是影響氮化鋁陶瓷進(jìn)一步發(fā)展的關(guān)鍵因素。為了促進(jìn)氮化鋁研究和應(yīng)用的進(jìn)一步發(fā)展，必須做好下面兩個(gè)研究工作。研究低成本的粉末制備工藝和方法！制約氮化鋁商品化的主要因素就是價(jià)格問題。若能以較低的成本制備出氮化鋁粉末，將會(huì)提高其商品化程度！高溫自蔓延法和低溫碳熱還原合成工藝是很有發(fā)...

氮化鋁的應(yīng)用：應(yīng)用于陶瓷及耐火材料，氮化鋁可應(yīng)用于結(jié)構(gòu)陶瓷的燒結(jié)，制備出來的氮化鋁陶瓷，不但機(jī)械性能好，抗折強(qiáng)度高于Al2O3和BeO陶瓷，硬度高，還耐高溫耐腐蝕。利用AlN陶瓷耐熱耐侵蝕性，可用于制作坩堝、Al蒸發(fā)皿等高溫耐蝕部件。此外，純凈的AlN陶瓷為無色透明晶體，具有優(yōu)異的光學(xué)性能，可以用作透明陶瓷制造電子光學(xué)器件裝備的高溫紅外窗口和整流罩的耐熱涂層。復(fù)合材料，環(huán)氧樹脂/AlN復(fù)合材料作為封裝材料，需要良好的導(dǎo)熱散熱能力，且這種要求愈發(fā)嚴(yán)苛。環(huán)氧樹脂作為一種有著很好的化學(xué)性能和力學(xué)穩(wěn)定性的高分子材料，它固化方便，收縮率低，但導(dǎo)熱能力不高。通過將導(dǎo)熱能力優(yōu)異的AlN納米顆粒添加到環(huán)氧樹脂...

由于氮化鋁具有與鋁、鈣等金屬不潤(rùn)濕等特性，所以可以用其作坩堝、保護(hù)管、澆注模具等。將氮化鋁陶瓷作為金屬熔池可以用在浸入式熱電偶保護(hù)管中，由于它不粘附熔融金屬，在800~1000度的熔池中可以連續(xù)使用大約3000個(gè)小時(shí)以上并且不會(huì)被侵蝕破壞。此外，由于氮化鋁材料對(duì)熔鹽砷化鎵等材料性能穩(wěn)定，那么將氮化鋁坩堝替代玻璃進(jìn)行砷化鎵半導(dǎo)體的合成，能夠完全消除硅的污染而得到高純度的砷化鎵。氮化鋁陶瓷擁有高硬度和高溫強(qiáng)度性能，可制作切割工具、砂輪、拉絲模以及制造工具材料、金屬陶瓷材料的原料。氮化鋁可以抵抗大部分融解的鹽的侵襲，包括氯化物及冰晶石〔即六氟鋁酸鈉〕。蘇州導(dǎo)熱氧化鋁廠家直銷氮化鋁陶瓷是一種綜合性能優(yōu)...

氮化鋁陶瓷的注射成型：排膠工藝，由于注射成型坯體中有機(jī)物含量較高，排膠過快會(huì)造成坯體開裂、起泡、分層和變形，因此，如何快速高效排膠成為注射成型的一大難點(diǎn)。排膠工藝包括熱排膠和溶劑排膠。起初主要采用熱排膠，簡(jiǎn)單地把有機(jī)物燒除，這種方式能耗高、時(shí)間長(zhǎng)。為了提高排膠效率，一些學(xué)者探索了溶劑排膠的工藝。由于粘結(jié)劑中石蠟占比重較大，溶劑排膠主要是將坯體中的石蠟溶解，其他粘結(jié)劑仍能維持坯體形狀。溶劑排膠結(jié)合熱工藝排膠可以縮短排膠時(shí)間。注射成型的工藝特點(diǎn)：可近凈尺寸成型各種復(fù)雜形狀，很少(或無需)進(jìn)行機(jī)械加工；成型產(chǎn)品生坯密度均勻，且表面光潔度及強(qiáng)度高；成型產(chǎn)品燒結(jié)體性能優(yōu)異且一致性好；易于實(shí)現(xiàn)機(jī)械化和自動(dòng)...

直接覆銅陶瓷基板是基于氧化鋁陶瓷基板的一種金屬化技術(shù)，利用銅的含氧共晶液直接將銅敷接在陶瓷上，在銅與陶瓷之間存在很薄的過渡層。由于ＡｌＮ陶瓷對(duì)銅幾乎沒有浸潤(rùn)性能，所以在敷接前必須要對(duì)其表面進(jìn)行氧化處理。由于ＤＢＣ基板的界面靠很薄的一層共晶層粘接，實(shí)際生產(chǎn)中很難控制界面層的狀態(tài)，導(dǎo)致界面出現(xiàn)空洞。界面孔洞率不易控制，在承受大電流時(shí)，界面空洞周圍會(huì)產(chǎn)生較大的熱應(yīng)力，導(dǎo)致陶瓷開裂失效，因此還有必要進(jìn)行相關(guān)基礎(chǔ)理論研究和工藝條件的優(yōu)化?；钚越饘兮F焊陶瓷基板是利用釬料中含有的少量活性元素，與陶瓷反應(yīng)形成界面反應(yīng)層，實(shí)現(xiàn)陶瓷金屬化的一種方法?；钚遭F焊時(shí)，通過釬料的潤(rùn)濕性和界面反應(yīng)可使陶瓷和金屬形成致密的界...

高性能氮化鋁陶瓷取決于氮化鋁粉體的質(zhì)量，到目前為止，制備氮化鋁粉體有氧化鋁粉碳熱還原法、鋁粉直接氮化法、化學(xué)氣相沉積法、自蔓延高溫合成法等多種方法，各種方法都有其自身的優(yōu)缺點(diǎn)。綜合來看，氧化鋁粉碳熱還原法和鋁粉直接氮化法比較成熟，是目前制備高性能氮化鋁粉的主流技術(shù)，已經(jīng)用于工業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)。氮化鋁粉體制備的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)主要表現(xiàn)在兩個(gè)方面：一是進(jìn)一步提升氮化鋁粉體的性能，使之能夠制造出更高熱導(dǎo)率的氮化鋁陶瓷產(chǎn)品；二是進(jìn)一步提升氮化鋁粉體批次生產(chǎn)穩(wěn)定性，增大批生產(chǎn)量，降低生產(chǎn)成本。我國(guó)目前的高性能氮化鋁粉基本依賴進(jìn)口，不但價(jià)格高昂，而且隨時(shí)存在原材料斷供的風(fēng)險(xiǎn)。因此，實(shí)現(xiàn)高性能氮化鋁粉制造技術(shù)的國(guó)...

氮化鋁的應(yīng)用：壓電裝置應(yīng)用：氮化鋁具備高電阻率，高熱導(dǎo)率(為Al2O3的8-10倍)，與硅相近的低膨脹系數(shù)，是高溫和高功率的電子器件的理想材料。電子封裝基片材料：常用的陶瓷基片材料有氧化鈹、氧化鋁、氮化鋁等，其中氧化鋁陶瓷基板的熱導(dǎo)率低，熱膨脹系數(shù)和硅不太匹配；氧化鈹雖然有優(yōu)良的性能，但其粉末有劇毒。在現(xiàn)有可作為基板材料使用的陶瓷材料中，氮化硅陶瓷抗彎強(qiáng)度很高，耐磨性好，是綜合機(jī)械性能很好的陶瓷材料，同時(shí)其熱膨脹系數(shù)很小。而氮化鋁陶瓷具有高熱導(dǎo)率、好的抗熱沖擊性、高溫下依然擁有良好的力學(xué)性能。氮化鋁還是由六方氮化硼轉(zhuǎn)變?yōu)榱⒎降鸬拇呋瘎?。東莞多孔氧化鋁環(huán)氧樹脂/AlN復(fù)合材料：作為封裝材料，...

AlN自擴(kuò)散系數(shù)小難以燒結(jié)，一般采用添加堿土金屬化合物及稀土鑭系化合物，通過液相燒結(jié)實(shí)現(xiàn)燒結(jié)致密化。燒結(jié)助劑能在燒結(jié)初期和中期明顯促進(jìn)AlN陶瓷燒結(jié)，并且在燒結(jié)的后期從陶瓷材料中部分揮發(fā)，從而制備純度及致密化程度都較高的AlN陶瓷材料及制品。在此過程中，助燒劑的種類、添加方式、添加量等均會(huì)對(duì)AlN陶瓷材料及制品的結(jié)構(gòu)與性能產(chǎn)生明顯程度的影響。選擇AlN陶瓷燒結(jié)助劑應(yīng)遵循以下原則：能在較低的溫度下與AlN顆粒表面的氧化鋁發(fā)生共熔，產(chǎn)生液相，這樣才能降低燒結(jié)溫度；產(chǎn)生的液相對(duì)AlN顆粒有良好的浸潤(rùn)性，才能有效起到燒結(jié)助劑作用；燒結(jié)助劑與氧化鋁有較強(qiáng)的結(jié)合能力，以除去雜質(zhì)氧，凈化AlN晶界；液相的流...

提高氮化鋁陶瓷熱導(dǎo)率的途徑：選擇合適的燒結(jié)工藝，致密度對(duì)氮化鋁陶瓷的熱導(dǎo)率有重要影響，致密度較低的氮化鋁陶瓷很難有較高的熱導(dǎo)率，因此必須選擇合適的燒結(jié)工藝實(shí)現(xiàn)氮化鋁陶瓷的致密化。常壓燒結(jié)：常壓燒結(jié)的燒結(jié)溫度通常為1600℃至2000℃，當(dāng)添加了Y2O3燒結(jié)助劑后，氮化鋁粉會(huì)產(chǎn)生液相燒結(jié)，燒結(jié)溫度一般在1700℃至1900℃，特別是1800℃很常用，保溫時(shí)間為2h。燒結(jié)溫度還要受到氮化鋁粉粒度、添加劑含量及種類等的影響。熱壓溫度相對(duì)能低一些，一般是在1500℃至1700℃，保溫時(shí)間為0.5h，施加的壓力為20MPa左右。在1500℃至1800℃范圍內(nèi)，提高氮化鋁燒結(jié)溫度通常會(huì)明顯提高氮化鋁燒結(jié)體...

氮化鋁粉體制備技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)：AlN粉體作為一種性能優(yōu)異的粉體原料，國(guó)內(nèi)外研究者通過不斷的科技創(chuàng)新來解決現(xiàn)有工藝存在的技術(shù)問題，同時(shí)也在不斷探索新的、更高效的制備技術(shù)。在微米級(jí)AlN粉體合成方面，目前很主要的工藝仍是碳熱還原法和直接氮化法，這兩種工藝具有技術(shù)成熟、設(shè)備簡(jiǎn)單、得到產(chǎn)品質(zhì)量好等特點(diǎn)，已在工業(yè)中得到大規(guī)模應(yīng)用。獲得更高純度、粒度可控、形貌均勻分散的高性能粉體是AlN制備技術(shù)的發(fā)展方向，針對(duì)不同應(yīng)用領(lǐng)域應(yīng)開發(fā)多種規(guī)格的粉體，以滿足導(dǎo)熱陶瓷基板、AlN單晶半導(dǎo)體、高純靶材、導(dǎo)熱填料等領(lǐng)域?qū)lN粉體原料的要求。同時(shí)，在生產(chǎn)中也需要對(duì)現(xiàn)有技術(shù)及裝備進(jìn)行不斷優(yōu)化，進(jìn)一步提高產(chǎn)品的批次穩(wěn)定性，增...

氮化鋁陶瓷的制備技術(shù)：模壓成型是應(yīng)用很較廣的成型工藝。其工藝原理是將經(jīng)過噴霧造粒后流動(dòng)性好的造粒料填充到金屬模腔內(nèi)，通過壓頭施加壓力，壓頭在模腔內(nèi)產(chǎn)生移動(dòng)，模腔內(nèi)粉體在壓頭作用力下產(chǎn)生顆粒重排，顆粒間空隙內(nèi)氣體排出，形成具有一定強(qiáng)度和形狀的陶瓷素坯。通常壓制的初始階段致密化速率很高，初始階段的壓力通過顆粒間的接觸，使包覆有粘結(jié)劑的顆?；瑒?dòng)和重排，當(dāng)進(jìn)一步施壓時(shí)，顆粒變形增加相互間的接觸面，減少顆粒間的氣孔，氣體在加壓過程中通過顆粒間遷移，很終通過模具間隙排出。氮化鋁是一種綜合性能優(yōu)良的陶瓷材料，由于氮化鋁是共價(jià)化合物，自擴(kuò)散系數(shù)小，熔點(diǎn)高。嘉興電絕緣氮化鋁品牌隨著電子和光電行業(yè)蓬勃發(fā)展，電子產(chǎn)...

氮化鋁粉體的合成方法：直接氮化法：在高溫氮?dú)夥諊?，鋁粉直接與氮?dú)饣仙a(chǎn)氮化鋁粉末，反應(yīng)溫度一般在800℃~1200℃。反應(yīng)式為：2Al＋Ｎ2→2AlN。該方法的缺點(diǎn)很明顯，在反應(yīng)初期，鋁粉顆粒表面會(huì)逐漸生成氮化物膜，使氮?dú)怆y以進(jìn)一步滲透，阻礙氮?dú)夥磻?yīng)，致使產(chǎn)率較低；又由于鋁和氮?dú)庵g的反應(yīng)是強(qiáng)放熱反應(yīng)，速度很快，造成AlN粉體自燒結(jié)，形成團(tuán)聚，使得粉體顆粒粗化。碳熱還原法：將氧化鋁粉末和碳粉的混合粉末在高溫下（1400℃~1800℃）的流動(dòng)氮?dú)庵邪l(fā)生還原氮化反應(yīng)生成AlN粉末。其反應(yīng)式為：Al2O3＋3Ｃ＋Ｎ2→２AlN＋3CO。該方法的主要難點(diǎn)在于，對(duì)氧化鋁和碳的原料要求比較高，原料難以...

目前AlN基片較常用的燒結(jié)工藝一般有5種，即熱壓燒結(jié)、無壓燒結(jié)、放電等離子燒結(jié)(SPS)、微波燒結(jié)和自蔓延燒結(jié)。熱壓燒結(jié)是在加熱粉體的同時(shí)進(jìn)行加壓，利用通電產(chǎn)生的焦耳熱和加壓造成的塑性變形來促進(jìn)燒結(jié)過程的進(jìn)行。相對(duì)于無壓燒結(jié)來說，熱壓燒結(jié)的燒結(jié)溫度要低得多，而且燒結(jié)體致密，氣孔率低，但其加熱、冷卻所需時(shí)間較長(zhǎng)，且只能制備形狀不太復(fù)雜的樣品。熱壓燒結(jié)是目前制備高熱導(dǎo)率致密化AlN陶瓷的主要工藝。由于AlN具有很強(qiáng)的共價(jià)性，故其在常壓燒結(jié)時(shí)需要的燒結(jié)溫度很高。在常壓燒結(jié)條件下，添加了Y2O3的AlN粉能產(chǎn)生液相燒結(jié)的溫度為1600℃以上，且燒結(jié)溫度要受AlN粒度、添加劑種類及添加劑的含量等因素的影...

AlN陶瓷基片一般采用無壓燒結(jié)，該燒結(jié)方法是一種很普通的燒結(jié)，雖然工藝簡(jiǎn)單、成本較低、可制備形狀復(fù)雜，但燒結(jié)溫度一般偏高，再不添加燒結(jié)助劑的情況下，一般無法制備高性能陶瓷基片。傳統(tǒng)燒結(jié)方式一般通過外部熱源對(duì)AlN坯體進(jìn)行加熱，熱傳導(dǎo)不均且速度較慢，將影響燒結(jié)質(zhì)量。微波燒結(jié)通過坯體吸收微波能量從而進(jìn)行自身加熱，加熱過程是在整個(gè)材料內(nèi)部同時(shí)進(jìn)行，升溫速度快，溫度分散均勻，防止AlN陶瓷晶粒的過度生長(zhǎng)。這種快速燒結(jié)技術(shù)能充分發(fā)揮亞微米級(jí)和納米級(jí)粉末的性能，具有很強(qiáng)的發(fā)展前景。放電等離子燒結(jié)技術(shù)主要利用放電脈沖壓力、脈沖能和焦耳熱產(chǎn)生瞬間高溫場(chǎng)實(shí)現(xiàn)快速燒結(jié)。放電等離子燒結(jié)技術(shù)的主要特點(diǎn)是升溫速度快，燒...

氮化鋁陶瓷的注射成型：陶瓷注射成型技術(shù)（CIM）是一種制造復(fù)雜形狀陶瓷零部件的新興技術(shù)，在制備復(fù)雜小部件方面有著其不可比擬的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。隨著近年來全球范圍內(nèi)電子陶瓷產(chǎn)業(yè)化規(guī)模的不斷擴(kuò)大，CIM 技術(shù)誘人的應(yīng)用前景更值得期待。該工藝主要包括喂料制備、注射成型、脫脂和燒結(jié)。粘結(jié)劑是氮化鋁陶瓷粉末的載體，決定了喂料注射成形的流變性能和注射性能。良好的粘結(jié)劑可起到形狀維持的作用，且有效減少坯體變形和脫脂缺陷的產(chǎn)生。陶瓷注射成型粘結(jié)劑須具備以下條件：流動(dòng)特性好，注射成型黏度適中，且黏度隨溫度不能波動(dòng)太大，以減少缺陷產(chǎn)生；對(duì)粉體的潤(rùn)濕性和粘附作用好；具有高導(dǎo)熱性和低熱膨脹系數(shù)。 一般由多組分有機(jī)物組成，單一...

氮化鋁的特性：熱導(dǎo)率高(約320W/m·K)，接近BeO和SiC，是Al2O3的5倍以上；熱膨脹系數(shù)(4.5×10-6℃)與Si(3.5~4×10-6℃)和GaAs(6×10-6℃)匹配；各種電性能(介電常數(shù)、介質(zhì)損耗、體電阻率、介電強(qiáng)度)優(yōu)良；機(jī)械性能好，抗折強(qiáng)度高于Al2O3和BeO陶瓷，可以常壓燒結(jié)；純度高；光傳輸特性好；無毒；可采用流延工藝制作。是一種很有前途的高功率集成電路基片和包裝材料。由于氮化鋁壓電效應(yīng)的特性，氮化鋁晶體的外延性伸展也用於表面聲學(xué)波的探測(cè)器。而探測(cè)器則會(huì)放置於矽晶圓上。只有非常少的地方能可靠地制造這些細(xì)的薄膜。利用氮化鋁陶瓷具有較高的室溫和高溫強(qiáng)度，膨脹系數(shù)小，導(dǎo)...

氮化鋁陶瓷是以氮化鋁(AIN)為主晶相的陶瓷。AIN晶體以〔AIN4〕四面體為結(jié)構(gòu)單元共價(jià)鍵化合物，具有纖鋅礦型結(jié)構(gòu)，屬六方晶系。化學(xué)組成 AI 65.81%，N 34.19%，比重3.261g/cm3，白色或灰白色，單晶無色透明，常壓下的升華分解溫度為2450℃。為一種高溫耐熱材料。熱膨脹系數(shù)（4.0-6.0）X10-6/℃。多晶AIN熱導(dǎo)率達(dá)260W/(m.k)，比氧化鋁高5-8倍，所以耐熱沖擊好，能耐2200℃的極熱。此外，氮化鋁具有不受鋁液和其它熔融金屬及砷化鎵侵蝕的特性，特別是對(duì)熔融鋁液具有極好的耐侵蝕性。性能指標(biāo)：各種電性能(介電常數(shù)、介質(zhì)損耗、體電阻率、介電強(qiáng)度)優(yōu)良；機(jī)械性能好...

由于具有優(yōu)良的熱、電、力學(xué)性能。氮化鋁陶瓷引起了國(guó)內(nèi)外研究者的較廣關(guān)注，隨著現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)的飛速發(fā)展，對(duì)所用材料的性能提出了更高的要求。氮化鋁陶瓷也必將在許多領(lǐng)域得到更為較廣的應(yīng)用！雖然多年來通過許多研究者的不懈努力，在粉末的制備、成形、燒結(jié)等方面的研究均取得了長(zhǎng)足進(jìn)展。但就截止2013年4月而言，氮化鋁的商品化程度并不高，這也是影響氮化鋁陶瓷進(jìn)一步發(fā)展的關(guān)鍵因素。為了促進(jìn)氮化鋁研究和應(yīng)用的進(jìn)一步發(fā)展，必須做好下面兩個(gè)研究工作。研究低成本的粉末制備工藝和方法！制約氮化鋁商品化的主要因素就是價(jià)格問題。若能以較低的成本制備出氮化鋁粉末，將會(huì)提高其商品化程度！高溫自蔓延法和低溫碳熱還原合成工藝是很有發(fā)...

結(jié)晶氮化鋁：無色斜方品系結(jié)晶工業(yè)品為淡黃色或深黃色結(jié)晶。密度2. 398}!cm3。加熱到lUU℃分解釋放出氯化氫。溶于水、無水乙醇、，微溶于鹽酸，其水溶液呈酸性。易潮解，在濕空氣中水解生成氯化氫白色煙霧。由煤，堿石粉經(jīng)沸騰焙燒，再經(jīng)粉碎后與ir}酸反應(yīng).經(jīng)澄清后，把清液濃縮，析出結(jié)晶，固液分離制得。主要用于情密鑄造模殼的硬化劑，木材防腐劑，造紙施膠沉淀劑，石汕1一業(yè)加氫裂化催化劑單體的原料。也用干羊毛的精制、染色。以及飲用水、含高氟水‘工業(yè)水的處理，含油污水凈化。通過將導(dǎo)熱能力優(yōu)異的AlN納米顆粒添加到環(huán)氧樹脂中，可有效提高材料的熱導(dǎo)率和強(qiáng)度。東莞片狀氮化硼多少錢氮化鋁陶瓷的流延成型：料漿均...

氮化鋁的應(yīng)用：壓電裝置應(yīng)用：氮化鋁具備高電阻率，高熱導(dǎo)率(為Al2O3的8-10倍)，與硅相近的低膨脹系數(shù)，是高溫和高功率的電子器件的理想材料。電子封裝基片材料：常用的陶瓷基片材料有氧化鈹、氧化鋁、氮化鋁等，其中氧化鋁陶瓷基板的熱導(dǎo)率低，熱膨脹系數(shù)和硅不太匹配；氧化鈹雖然有優(yōu)良的性能，但其粉末有劇毒。在現(xiàn)有可作為基板材料使用的陶瓷材料中，氮化硅陶瓷抗彎強(qiáng)度很高，耐磨性好，是綜合機(jī)械性能很好的陶瓷材料，同時(shí)其熱膨脹系數(shù)很小。而氮化鋁陶瓷具有高熱導(dǎo)率、好的抗熱沖擊性、高溫下依然擁有良好的力學(xué)性能。氮化鋁還具有良好的耐磨損和耐腐蝕性能，可用作防護(hù)膜。大連電絕緣氮化鋁品牌高電阻率、高熱導(dǎo)率和低介電常數(shù)...