場(chǎng)效應(yīng)管大功率電路：(1)為了安全使用場(chǎng)效應(yīng)管,在線路的設(shè)計(jì)中不能超過(guò)管的耗散功率,較大漏源電壓、較大柵源電壓和較大電流等參數(shù)的極限值.(2)各類(lèi)型場(chǎng)效應(yīng)管在使用時(shí),都要嚴(yán)格按要求的偏置接人電路中,要遵守場(chǎng)效應(yīng)管偏置的極性.如結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管柵源漏之間是PN結(jié),N溝道管柵極不能加正偏壓;P溝道管柵極不能加負(fù)偏壓。(3)MOS場(chǎng)效應(yīng)管由于輸人阻抗極高,所以在運(yùn)輸、貯藏中必須將引出腳短路,要用金屬屏蔽包裝,以防止外來(lái)感應(yīng)電勢(shì)將柵極擊穿.尤其要注意,不能將MOS場(chǎng)效應(yīng)管放人塑料盒子內(nèi),保存時(shí)比較好放在金屬盒內(nèi),同時(shí)也要注意管的防潮.場(chǎng)效應(yīng)管布局走線合理，整機(jī)穩(wěn)定性高，信噪比佳，音樂(lè)細(xì)節(jié)有很好表現(xiàn) 。珠海...

場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)：① 開(kāi)啟電壓VGS（th） （或VT）開(kāi)啟電壓是MOS增強(qiáng)型管的參數(shù)，柵源電壓小于開(kāi)啟電壓的好不要值，場(chǎng)效應(yīng)管不能導(dǎo)通。② 夾斷電壓VGS（off） （或VP）夾斷電壓是耗盡型FET的參數(shù)，當(dāng)VGS=VGS（off） 時(shí)，漏極電流為零。③ 飽和漏極電流IDSS耗盡型場(chǎng)效應(yīng)三極管，當(dāng)VGS=0時(shí)所對(duì)應(yīng)的漏極電流。④ 輸入電阻RGS場(chǎng)效應(yīng)三極管的柵源輸入電阻的典型值，對(duì)于結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)三極管，反偏時(shí)RGS約大于107Ω，對(duì)于絕緣柵場(chǎng)型效應(yīng)三極管，RGS約是109～1015Ω。源極(S)，載流子經(jīng)過(guò)源極進(jìn)入溝道。通常，在源極處進(jìn)入通道的電流由IS表示。P溝耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管價(jià)格場(chǎng)效應(yīng)管判...

場(chǎng)效應(yīng)管注意事項(xiàng):為了安全使用場(chǎng)效應(yīng)管，在線路的設(shè)計(jì)中不能超過(guò)管的耗散功率，較大漏源電壓、較大柵源電壓和較大電流等參數(shù)的極限值。各類(lèi)型場(chǎng)效應(yīng)管在使用時(shí)，都要嚴(yán)格按要求的偏置接入電路中，要遵守場(chǎng)效應(yīng)管偏置的極性。如結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管柵源漏之間是PN結(jié)，N溝道管柵極不能加正偏壓；P溝道管柵極不能加負(fù)偏壓，等等。MOS場(chǎng)效應(yīng)管由于輸入阻抗極高，所以在運(yùn)輸、貯藏中必須將引出腳短路，要用金屬屏蔽包裝，以防止外來(lái)感應(yīng)電勢(shì)將柵極擊穿。尤其要注意，不能將MOS場(chǎng)效應(yīng)管放入塑料盒子內(nèi)，保存時(shí)比較好放在金屬盒內(nèi)，同時(shí)也要注意管的防潮。場(chǎng)效應(yīng)管當(dāng)柵壓為零，漏極電流也為零，必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流的稱(chēng)為增強(qiáng)型。中...

場(chǎng)效應(yīng)管轉(zhuǎn)移特性曲線：柵極電壓對(duì)漏極電流的控制稱(chēng)為轉(zhuǎn)移特性，反映兩者關(guān)系的曲線稱(chēng)為轉(zhuǎn)移特性曲線。N溝結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性曲線如圖。當(dāng)柵極電壓取出不同的電壓時(shí)，漏極電流隨之變化。當(dāng)柵極電壓=0時(shí)，ID值為場(chǎng)效應(yīng)管飽和漏極電流IDSS；當(dāng)漏極電流=0時(shí)，柵極電壓的值為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管夾斷UQ。輸出特性曲線：當(dāng) Ugs確定時(shí)，反映 ID與 Uds的關(guān)系曲線是輸出特征曲線，又稱(chēng)漏極特性曲線。按圖示可劃分為三個(gè)區(qū)域：飽和區(qū)、擊穿區(qū)和非飽和區(qū)。當(dāng)起放大作用時(shí)，應(yīng)該在飽和區(qū)內(nèi)工作。請(qǐng)注意，這里的“飽和區(qū)”對(duì)應(yīng)普通三極管的“放放區(qū)”。源極(S)，載流子經(jīng)過(guò)源極進(jìn)入溝道。通常，在源極處進(jìn)入通道的電流由IS表示。中...

場(chǎng)效應(yīng)管傳統(tǒng)的MOS場(chǎng)效應(yīng)管的柵極、源極和漏極較大致處于同一水平面的芯片上，其工作電流基本上是沿水平方向流動(dòng)。VMOS管則不同，其兩大結(jié)構(gòu)特點(diǎn):點(diǎn)，金屬柵極采用V型槽結(jié)構(gòu)；具有垂直導(dǎo)電性。由于漏極是從芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流動(dòng)，而是自重?fù)诫sN+區(qū)（源極S）出發(fā)，經(jīng)過(guò)P溝道流入輕摻雜N-漂移區(qū)，垂直向下到達(dá)漏極D。因?yàn)榱魍ń孛娣e增大，所以能通過(guò)大電流。由于在柵極與芯片之間有二氧化硅絕緣層，因此它仍屬于絕緣柵型MOS場(chǎng)效應(yīng)管。1960年Dawan Kahng發(fā)明了金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管?；葜萦惺裁磮?chǎng)效應(yīng)管MOSFET用測(cè)電阻法判別場(chǎng)效應(yīng)管的好壞：測(cè)電阻法是用萬(wàn)用表測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)管...

場(chǎng)效應(yīng)管注意事項(xiàng):為了安全使用場(chǎng)效應(yīng)管，在線路的設(shè)計(jì)中不能超過(guò)管的耗散功率，較大漏源電壓、較大柵源電壓和較大電流等參數(shù)的極限值。各類(lèi)型場(chǎng)效應(yīng)管在使用時(shí)，都要嚴(yán)格按要求的偏置接入電路中，要遵守場(chǎng)效應(yīng)管偏置的極性。如結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管柵源漏之間是PN結(jié)，N溝道管柵極不能加正偏壓；P溝道管柵極不能加負(fù)偏壓，等等。MOS場(chǎng)效應(yīng)管由于輸入阻抗極高，所以在運(yùn)輸、貯藏中必須將引出腳短路，要用金屬屏蔽包裝，以防止外來(lái)感應(yīng)電勢(shì)將柵極擊穿。尤其要注意，不能將MOS場(chǎng)效應(yīng)管放入塑料盒子內(nèi)，保存時(shí)比較好放在金屬盒內(nèi)，同時(shí)也要注意管的防潮。盟科MK6409參數(shù)是可以替代AO6409的。中山SOT-23場(chǎng)效應(yīng)管價(jià)錢(qián)與雙極型晶體...

場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(xiě)(FET)）簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類(lèi)型：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET，簡(jiǎn)稱(chēng)MOS-FET）。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱(chēng)為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。場(chǎng)效應(yīng)管由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱(chēng)為單極型晶體管。深圳低壓場(chǎng)效應(yīng)管按需定制場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)試判定:柵...

場(chǎng)效應(yīng)管大功率如何使用：為了防止場(chǎng)效應(yīng)管柵極感應(yīng)擊穿,要求一切測(cè)試儀器、工作臺(tái)、電烙鐵、線路本身都必須有良好的接地;管腳在焊接時(shí),先焊源極;在連入電路之前,管的全部引線端保持互相短接狀態(tài),焊接完后才把短接材料去掉;從元器件架上取下管時(shí),應(yīng)以適當(dāng)?shù)姆绞酱_保人體接地如采用接地環(huán)等。在安裝場(chǎng)效應(yīng)管時(shí),注意安裝的位置要盡量避免靠近發(fā)熱元件;為了防管件振動(dòng),有必要將管殼體緊固起來(lái);管腳引線在彎曲時(shí),應(yīng)當(dāng)大于根部尺寸5毫米處進(jìn)行,以防止彎斷管腳和引起漏氣等.盟科MK3404參數(shù)是可以替代AO3404的。中山中低壓場(chǎng)效應(yīng)管性能貼片場(chǎng)效應(yīng)管:1：場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件，管子的導(dǎo)電情況取決于柵極電壓的高低。晶體...

VMOS場(chǎng)效應(yīng)管:VMOS場(chǎng)效應(yīng)管（VMOSFET）簡(jiǎn)稱(chēng)VMOS管或功率場(chǎng)效應(yīng)管，其全稱(chēng)為V型槽MOS場(chǎng)效應(yīng)管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來(lái)的高效、功率開(kāi)關(guān)器件。它不光繼承了MOS場(chǎng)效應(yīng)管輸入阻抗高（≥108W）、驅(qū)動(dòng)電流?。ㄗ笥?.1μA左右），還具有耐壓高（較高可耐壓1200V）、工作電流大（1.5A～100A）、輸出功率高（1～250W）、跨導(dǎo)的線性好、開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)良特性。正是由于它將電子管與功率晶體管之優(yōu)點(diǎn)集于一身，因此在電壓放大器（電壓放大倍數(shù)可達(dá)數(shù)千倍）、功率放大器、開(kāi)關(guān)電源和逆變器中正獲得普遍應(yīng)用。深圳市盟科電子科技有限公司是在深圳做場(chǎng)效應(yīng)管的。低功率場(chǎng)效應(yīng)管廠家現(xiàn)貨場(chǎng)效應(yīng)...

場(chǎng)效應(yīng)管電阻法測(cè)電極:根據(jù)場(chǎng)效應(yīng)管的PN結(jié)正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象，可以判別出結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的三個(gè)電極。具體方法：將萬(wàn)用表?yè)茉赗×1k檔上，任選兩個(gè)電極，分別測(cè)出其正、反向電阻值。當(dāng)某兩個(gè)電極的正、反向電阻值相等，且為幾千歐姆時(shí)，則該兩個(gè)電極分別是漏極D和源極S。因?yàn)閷?duì)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管而言，漏極和源極可互換，剩下的電極肯定是柵極G。也可以將萬(wàn)用表的黑表筆（紅表筆也行）任意接觸一個(gè)電極，另一只表筆依次去接觸其余的兩個(gè)電極，測(cè)其電阻值。當(dāng)出現(xiàn)兩次測(cè)得的電阻值近似相等時(shí)，則黑表筆所接觸的電極為柵極，其余兩電極分別為漏極和源極。若兩次測(cè)出的電阻值均很大，說(shuō)明是PN結(jié)的反向，即都是反向電阻，可以判定是P溝道...

場(chǎng)效應(yīng)管的應(yīng)用常用的場(chǎng)效應(yīng)晶體管是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 。CMOS (互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)工藝技術(shù)是現(xiàn)代數(shù)字化集成電路的基礎(chǔ)。這種工藝技術(shù)采用一種增強(qiáng)模式設(shè)計(jì)，即p溝道MOSFET和n溝道MOSFET串聯(lián)連接，使得當(dāng)一個(gè)導(dǎo)通時(shí)，另一個(gè)閉合。在場(chǎng)效應(yīng)晶體管中，當(dāng)以線性模式工作時(shí)，電子可以沿任意方向流過(guò)溝道。漏極和源極的命名慣例有些隨意，因?yàn)槠骷ǔ?但不總是)從源極到漏極對(duì)稱(chēng)構(gòu)建。這使得場(chǎng)效應(yīng)晶體管適合在路徑之間切換模擬信號(hào)(多路復(fù)用)。利用這個(gè)概念可用于構(gòu)建固態(tài)混合板。場(chǎng)效應(yīng)管極間電容場(chǎng)效應(yīng)管三個(gè)電極之間的電容，它的值越小表示管子的性能越好?；葜葙N片場(chǎng)效應(yīng)管廠家供應(yīng)用測(cè)電阻法判別場(chǎng)效...

場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET運(yùn)用：MOSFET普遍使用在模擬電路與數(shù)字電路中，和我們的生活密不可分。MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于：首先驅(qū)動(dòng)場(chǎng)效應(yīng)管應(yīng)用電路電路比較簡(jiǎn)單。MOSFET需要的驅(qū)動(dòng)電流比 BJT則小得多，而且通?？梢灾苯佑蒀MOS或者集電極開(kāi)路TTL驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng)；其次MOSFET的開(kāi)關(guān)速度比較迅速，能夠以較高的速度工作，因?yàn)闆](méi)有電荷存儲(chǔ)效應(yīng)；另外MOSFET沒(méi)有二次擊穿失效機(jī)理，它在溫度越高時(shí)往往耐力越強(qiáng)，而且發(fā)生熱擊穿的可能性越低，還可以在較寬的溫度范圍內(nèi)提供較好的性 能。MOSFET已經(jīng)得到了大量應(yīng)用，在消費(fèi)電子、工業(yè)產(chǎn)品、機(jī)電設(shè)備、智能手機(jī)以及其他便攜式數(shù)碼電子產(chǎn)品中隨處可見(jiàn)。場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用...

場(chǎng)效應(yīng)管的應(yīng)用常用的場(chǎng)效應(yīng)晶體管是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 。CMOS (互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)工藝技術(shù)是現(xiàn)代數(shù)字化集成電路的基礎(chǔ)。這種工藝技術(shù)采用一種增強(qiáng)模式設(shè)計(jì)，即p溝道MOSFET和n溝道MOSFET串聯(lián)連接，使得當(dāng)一個(gè)導(dǎo)通時(shí)，另一個(gè)閉合。在場(chǎng)效應(yīng)晶體管中，當(dāng)以線性模式工作時(shí)，電子可以沿任意方向流過(guò)溝道。漏極和源極的命名慣例有些隨意，因?yàn)槠骷ǔ?但不總是)從源極到漏極對(duì)稱(chēng)構(gòu)建。這使得場(chǎng)效應(yīng)晶體管適合在路徑之間切換模擬信號(hào)(多路復(fù)用)。利用這個(gè)概念可用于構(gòu)建固態(tài)混合板。場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極在結(jié)構(gòu)上是對(duì)稱(chēng)的，可以互換使用。中低壓場(chǎng)效應(yīng)管代理品牌場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)放大能力:用感應(yīng)信號(hào)法具體方法：...

場(chǎng)效應(yīng)管以N溝道為例，它是在P型硅襯底上制成兩個(gè)高摻雜濃度的源擴(kuò)散區(qū)N+和漏擴(kuò)散區(qū)N+，再分別引出源極S和漏極D。源極與襯底在內(nèi)部連通，二者總保持等電位。當(dāng)漏接電源正極，源極接電源負(fù)極并使VGS=0時(shí)，溝道電流（即漏極電流）ID=0。隨著VGS逐漸升高，受柵極正電壓的吸引，在兩個(gè)擴(kuò)散區(qū)之間就感應(yīng)出帶負(fù)電的少數(shù)載流子，形成從漏極到源極的N型溝道，當(dāng)VGS大于管子的開(kāi)啟電壓VTN（一般約為+2V）時(shí)，N溝道管開(kāi)始導(dǎo)通，形成漏極電流ID。場(chǎng)效應(yīng)管當(dāng)柵壓為零時(shí)有較大漏極電流的稱(chēng)為耗盡型。惠州TO-251場(chǎng)效應(yīng)管MOS場(chǎng)效應(yīng)管的類(lèi)型：DEPFET 是在完全耗盡的襯底中形成的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，同時(shí)充當(dāng)傳感器、...

場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)：① 開(kāi)啟電壓VGS（th） （或VT）開(kāi)啟電壓是MOS增強(qiáng)型管的參數(shù)，柵源電壓小于開(kāi)啟電壓的好不要值，場(chǎng)效應(yīng)管不能導(dǎo)通。② 夾斷電壓VGS（off） （或VP）夾斷電壓是耗盡型FET的參數(shù)，當(dāng)VGS=VGS（off） 時(shí)，漏極電流為零。③ 飽和漏極電流IDSS耗盡型場(chǎng)效應(yīng)三極管，當(dāng)VGS=0時(shí)所對(duì)應(yīng)的漏極電流。④ 輸入電阻RGS場(chǎng)效應(yīng)三極管的柵源輸入電阻的典型值，對(duì)于結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)三極管，反偏時(shí)RGS約大于107Ω，對(duì)于絕緣柵場(chǎng)型效應(yīng)三極管，RGS約是109～1015Ω。質(zhì)量好的場(chǎng)效應(yīng)管盟科電子做得很不錯(cuò)。深圳插件場(chǎng)效應(yīng)管批量定制結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理(以N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管為例...

用測(cè)電阻法判別場(chǎng)效應(yīng)管的好壞：測(cè)電阻法是用萬(wàn)用表測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)管的源極與漏極、柵極與源極、柵極與漏極、柵極Ｇ1與柵極Ｇ2之間的電阻值同場(chǎng)效應(yīng)管手冊(cè)標(biāo)明的電阻值是否相符去判別管的好壞。具體方法：首先將萬(wàn)用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100檔，測(cè)量源極Ｓ與漏極Ｄ之間的電阻，通常在幾十歐到幾千歐范圍（在手冊(cè)中可知，各種不同型號(hào)的管，其電阻值是各不相同的），如果測(cè)得阻值大于正常值，可能是由于內(nèi)部接觸不良；如果測(cè)得阻值是無(wú)窮大，可能是內(nèi)部斷極。然后把萬(wàn)用表置于Ｒ×１０ｋ檔，再測(cè)柵極Ｇ1與Ｇ2之間、柵極與源極、柵極與漏極之間的電阻值，當(dāng)測(cè)得其各項(xiàng)電阻值均為無(wú)窮大，則說(shuō)明管是正常的；若測(cè)得上述各阻值太小或?yàn)橥?，則說(shuō)明...

場(chǎng)效應(yīng)管在過(guò)渡層由于沒(méi)有電子、空穴的自由移動(dòng)，在理想狀態(tài)下幾乎具有絕緣特性，通常電流也難流動(dòng)。但是此時(shí)漏極-源極間的電場(chǎng)，實(shí)際上是兩個(gè)過(guò)渡層接觸漏極與門(mén)極下部附近，由于漂移電場(chǎng)拉去的高速電子通過(guò)過(guò)渡層。因漂移電場(chǎng)的強(qiáng)度幾乎不變產(chǎn)生ID的飽和現(xiàn)象。其次，VGS向負(fù)的方向變化，讓VGS=VGS(off)，此時(shí)過(guò)渡層大致成為覆蓋全區(qū)域的狀態(tài)。而且VDS的電場(chǎng)大部分加到過(guò)渡層上，將電子拉向漂移方向的電場(chǎng)，只有靠近源極的很短部分，這更使電流不能流通。場(chǎng)效應(yīng)晶體管的溝道是摻雜n型半導(dǎo)體或p型半導(dǎo)體的結(jié)果。東莞加工場(chǎng)效應(yīng)管代理品牌場(chǎng)效應(yīng)管轉(zhuǎn)移特性曲線：柵極電壓對(duì)漏極電流的控制稱(chēng)為轉(zhuǎn)移特性，反映兩者關(guān)系的曲線...

場(chǎng)效應(yīng)管的歷史:場(chǎng)效應(yīng)晶體管的點(diǎn)項(xiàng)由朱利葉斯·埃德加·利林費(fèi)爾德于1926年以及奧斯卡·海爾于1934年分別提出。在此17年的權(quán)限期結(jié)束后不久，威廉姆·肖克利的團(tuán)隊(duì)于1947年在貝爾實(shí)驗(yàn)室觀察到晶體管效應(yīng)并闡釋了機(jī)理。隨后，在20世紀(jì)80年代，半導(dǎo)體器件(即結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管)才逐漸發(fā)展起來(lái)。1950年，日本工程師西澤潤(rùn)一和渡邊發(fā)明了點(diǎn)種結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管——靜電感應(yīng)晶體管 (SIT)。靜電感應(yīng)晶體管是一種短溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管。1959年，由圣虎達(dá)溫·卡恩和馬丁·阿塔拉發(fā)明的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET)在很大程度上取代了結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管，并對(duì)數(shù)字電子發(fā)展產(chǎn)生了深遠(yuǎn)的影響。盟科電子MOS管很...

場(chǎng)效應(yīng)管：當(dāng)帶電荷的生物分子在離子敏感膜上發(fā)生識(shí)別并形成復(fù)合物時(shí)，或生物分子在離子敏感膜上發(fā)生生化反應(yīng)形成有離子型產(chǎn)物(如H+) 時(shí)，將引起離子敏感膜表面電荷密度的改變，從而改變離子敏感膜電位，這就相當(dāng)于通過(guò)外電源調(diào)節(jié)柵極電壓，達(dá)到控制源極與漏極之間的溝道電流的目的。而且，柵極敏感膜上的生物分子吸附量與漏極輸出電流在一定范圍內(nèi)有線性相關(guān)性。因此，通過(guò)測(cè)量漏極電流大小就可以定量分析發(fā)生在柵極離子敏感膜上的生物反應(yīng)，這些生物反應(yīng)包括核酸雜化、蛋白質(zhì)作用、抗體抗原結(jié)合，以及酶底物反應(yīng)。盟科有TO封裝形式的MOS管?；葜菪〖译妶?chǎng)效應(yīng)管性能場(chǎng)效應(yīng)管大功率電路：(1)為了安全使用場(chǎng)效應(yīng)管,在線路的設(shè)計(jì)中不...

場(chǎng)效應(yīng)管判定柵極:用萬(wàn)用表黑表筆碰觸管子的一個(gè)電極，紅表筆分別碰觸另外兩個(gè)電極。若兩次測(cè)出的阻值都很大，說(shuō)明均是反向電阻，該管屬于N溝道場(chǎng)效應(yīng)管，黑表筆接的也是柵極。制造工藝決定了場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極是對(duì)稱(chēng)的，可以互換使用，并不影響電路的正常工作，所以不必加以區(qū)分。源極與漏極間的電阻約為幾千歐。注意不能用此法判定絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的柵極。因?yàn)檫@種管子的輸入電阻極高，柵源間的極間電容又很小，測(cè)量時(shí)只要有少量的電荷，就可在極間電容上形成很高的電壓，容易將管子損壞。mos管代工盟科電子做得很不錯(cuò)?；葜萜焚|(zhì)場(chǎng)效應(yīng)管價(jià)錢(qián)根據(jù)場(chǎng)效應(yīng)管的PN結(jié)正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象，可以判別出結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的三個(gè)電極。具體...

場(chǎng)效應(yīng)管電阻法測(cè)好壞:測(cè)電阻法是用萬(wàn)用表測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)管的源極與漏極、柵極與源極、柵極與漏極、柵極G1與柵極G2之間的電阻值同場(chǎng)效應(yīng)管手冊(cè)標(biāo)明的電阻值是否相符去判別管的好壞。具體方法：首先將萬(wàn)用表置于R×10或R×100檔，測(cè)量源極S與漏極D之間的電阻，通常在幾十歐到幾千歐范圍（在手冊(cè)中可知，各種不同型號(hào)的管，其電阻值是各不相同的），如果測(cè)得阻值大于正常值，可能是由于內(nèi)部接觸不良；如果測(cè)得阻值是無(wú)窮大，可能是內(nèi)部斷極。然后把萬(wàn)用表置于R×10k檔，再測(cè)柵極G1與G2之間、柵極與源極、柵極與漏極之間的電阻值，當(dāng)測(cè)得其各項(xiàng)電阻值均為無(wú)窮大，則說(shuō)明管是正常的；若測(cè)得上述各阻值太小或?yàn)橥?，則說(shuō)明管是壞的...

場(chǎng)效應(yīng)管注意事項(xiàng):結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的柵源電壓不能接反，可以在開(kāi)路狀態(tài)下保存，而絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管在不使用時(shí)，由于它的輸入電阻非常高，須將各電極短路，以免外電場(chǎng)作用而使管子損壞。焊接時(shí)，電烙鐵外殼必須裝有外接地線，以防止由于電烙鐵帶電而損壞管子。對(duì)于少量焊接，也可以將電烙鐵燒熱后拔下插頭或切斷電源后焊接。特別在焊接絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)，要按源極－漏極－柵極的先后順序焊接，并且要斷電焊接。對(duì)于功率型場(chǎng)效應(yīng)管，要有良好的散熱條件。因?yàn)楣β市蛨?chǎng)效應(yīng)管在高負(fù)荷條件下運(yùn)用，必須設(shè)計(jì)足夠的散熱器，確保殼體溫度不超過(guò)額定值，使器件長(zhǎng)期穩(wěn)定可靠地工作。盟科MK6802參數(shù)是可以替代AO6802的。中山貼片場(chǎng)效應(yīng)管批量定制...

場(chǎng)效應(yīng)管屬于電壓控制型元件，又利用多子導(dǎo)電故稱(chēng)單極型元件，且具有輸入電阻高，噪聲小，功耗低，無(wú)二次擊穿現(xiàn)象等優(yōu)點(diǎn)。場(chǎng)效應(yīng)晶體管的優(yōu)點(diǎn)：具有較高輸入電阻高、輸入電流低于零，幾乎不要向信號(hào)源吸取電流，在在基極注入電流的大小，直接影響集電極電流的大小，利用輸出電流控制輸出電源的半導(dǎo)體。場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管；而在信號(hào)電壓較低，又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下，應(yīng)選用晶體管。場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱(chēng)之為單極型器件，而晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱(chēng)之為雙極型器件。場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極在結(jié)構(gòu)上是對(duì)稱(chēng)...

柵極電壓（UGs）對(duì)漏極電流（ID）的控制作用稱(chēng)為轉(zhuǎn)移特性，反映這兩者之間關(guān)系的曲線稱(chēng)為轉(zhuǎn)移特性曲線。下圖1-60所示為N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性曲線。當(dāng)柵極電壓UGs取不同的電壓值時(shí)，漏極電流ID將隨之改變。當(dāng)ID=0時(shí),UGS的值為場(chǎng)效應(yīng)管的夾斷電壓Uq；當(dāng)UGs=0時(shí)，ID的值為場(chǎng)效應(yīng)管的飽和漏極電流Idss。在Ugs一定時(shí)，反映ID與Uds之間的關(guān)系曲線為輸出特性曲線，也稱(chēng)為漏極特性曲線。上圖1-61所示為N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的輸出特性曲線。由圖可見(jiàn)，它分為三個(gè)區(qū)：飽和區(qū)、擊穿區(qū)和非飽和區(qū)。起放大作用時(shí)，應(yīng)工作在飽和區(qū)（這一點(diǎn)與前面講的普通三極管不同）。注意，此處的“飽和區(qū)”對(duì)應(yīng)普通三...

場(chǎng)效應(yīng)管判斷跨導(dǎo)的大小:測(cè)反向電阻值的變化判斷跨導(dǎo)的大小.對(duì)VMOSV溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)量跨導(dǎo)性能時(shí)，可用紅表筆接源極S、黑表筆接漏極D，這就相當(dāng)于在源、漏極之間加了一個(gè)反向電壓。此時(shí)柵極是開(kāi)路的，管的反向電阻值是很不穩(wěn)定的。將萬(wàn)用表的歐姆檔選在R×10kΩ的高阻檔，此時(shí)表內(nèi)電壓較高。當(dāng)用手接觸柵極G時(shí)，會(huì)發(fā)現(xiàn)管的反向電阻值有明顯地變化，其變化越大，說(shuō)明管的跨導(dǎo)值越高；如果被測(cè)管的跨導(dǎo)很小，用此法測(cè)時(shí)，反向阻值變化不大。場(chǎng)效應(yīng)管它靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電，又稱(chēng)單極型晶體管。P溝道場(chǎng)效應(yīng)管生產(chǎn)廠家場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀儀器主要用以功率場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT的質(zhì)量檢驗(yàn)、參數(shù)的配對(duì)及其它電子電子元件的耐壓測(cè)...

用測(cè)電阻法判別無(wú)標(biāo)志的場(chǎng)效應(yīng)管：首先用測(cè)量電阻的方法找出兩個(gè)有電阻值的管腳，也就是源極Ｓ和漏極Ｄ，余下兩個(gè)腳為點(diǎn)柵極G1和柵極G2。把先用兩表筆測(cè)的源極Ｓ與漏極Ｄ之間的電阻值記下來(lái)，對(duì)調(diào)表筆再測(cè)量一次，把其測(cè)得電阻值記下來(lái)，兩次測(cè)得阻值較大的一次，黑表筆所接的電極為漏極Ｄ；紅表筆所接的為源極Ｓ。用這種方法判別出來(lái)的Ｓ、Ｄ極，還可以用估測(cè)其管的放大能力的方法進(jìn)行驗(yàn)證，即放大能力大的黑表筆所接的是Ｄ極；紅表筆所接地是８極，兩種方法檢測(cè)結(jié)果均應(yīng)一樣。當(dāng)確定了漏極Ｄ、源極Ｓ的位置后，按Ｄ、Ｓ的對(duì)應(yīng)位置裝人電路，一般G1、G2也會(huì)依次對(duì)準(zhǔn)位置，這就確定了兩個(gè)柵極G1、G2的位置，從而就確定了Ｄ、S、G1...

近些年來(lái)，隨著電子電腦技術(shù)的不斷發(fā)展，各種電子合成器、各種音頻效果器和膽音效果器軟件以及虛擬揚(yáng)聲器技術(shù)層出不窮。這使得音頻放大器硬件的發(fā)展和普及遠(yuǎn)遠(yuǎn)趕不上軟件的速度，在精確度上硬件往往也趕不上軟件，如電腦模擬3D效果逼真度很大超過(guò)真實(shí)3D效果，不受聽(tīng)音室的空間以及聲源合成的限制，同時(shí)也節(jié)省投入硬件的開(kāi)支。綠色音響、雙料發(fā)燒——電腦音響很有可能會(huì)成為未來(lái)音響的主流，硬件不行軟件來(lái)，實(shí)行軟硬兼施，功能強(qiáng)悍，集中體現(xiàn)了高效、便捷、神奇以及經(jīng)濟(jì)的特點(diǎn)。如在電腦中設(shè)置虛擬光驅(qū)，每次播放樂(lè)曲時(shí)，就不必啟動(dòng)物理光驅(qū)，這樣不僅減少等待曲目時(shí)間及物理光驅(qū)的磨損，更重要的是消除了物理光驅(qū)的噪聲，實(shí)現(xiàn)高保真放音。再...

場(chǎng)效應(yīng)管的歷史:場(chǎng)效應(yīng)晶體管的點(diǎn)項(xiàng)由朱利葉斯·埃德加·利林費(fèi)爾德于1926年以及奧斯卡·海爾于1934年分別提出。在此17年的權(quán)限期結(jié)束后不久，威廉姆·肖克利的團(tuán)隊(duì)于1947年在貝爾實(shí)驗(yàn)室觀察到晶體管效應(yīng)并闡釋了機(jī)理。隨后，在20世紀(jì)80年代，半導(dǎo)體器件(即結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管)才逐漸發(fā)展起來(lái)。1950年，日本工程師西澤潤(rùn)一和渡邊發(fā)明了點(diǎn)種結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管——靜電感應(yīng)晶體管 (SIT)。靜電感應(yīng)晶體管是一種短溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管。1959年，由圣虎達(dá)溫·卡恩和馬丁·阿塔拉發(fā)明的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET)在很大程度上取代了結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管，并對(duì)數(shù)字電子發(fā)展產(chǎn)生了深遠(yuǎn)的影響。場(chǎng)效應(yīng)晶體管通常比...

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的溝道是摻雜n型半導(dǎo)體或p型半導(dǎo)體的結(jié)果。在增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管中，漏極和源極可以摻雜與溝道相反的類(lèi)型，或者摻雜與耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管類(lèi)似的類(lèi)型。場(chǎng)效應(yīng)晶體管也可由溝道和柵極之間的絕緣方法來(lái)區(qū)分。場(chǎng)效應(yīng)晶體管的類(lèi)型包括:結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管)使用反向偏置的pn結(jié)將柵極與主體電極分開(kāi)MOSFET (金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)將絕緣體(通常SiO2)置于漏極和主體電極之間。MNOS 金屬-氮化物-氧化物-半導(dǎo)體晶體管將氮化物-氧化物層絕緣體置于柵極和主體電極之間。DGMOSFET ( 雙柵極MOSFET )，一種具有兩個(gè)絕緣柵極的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。DEPFET 是在完全耗盡的襯底...

場(chǎng)效應(yīng)管的檢測(cè)方法：（1）判定柵極G將萬(wàn)用表?yè)苤罵×1k檔分別測(cè)量三個(gè)管腳之間的電阻。若發(fā)現(xiàn)某腳與其字兩腳的電阻均呈無(wú)窮大，并且交換表筆后仍為無(wú)窮大，則證明此腳為G極，因?yàn)樗土硗鈨蓚€(gè)管腳是絕緣的。（2）判定源極S、漏極D在源-漏之間有一個(gè)PN結(jié)，因此根據(jù)PN結(jié)正、反向電阻存在差異，可識(shí)別S極與D極。用交換表筆法測(cè)兩次電阻，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻，此時(shí)黑表筆的是S極，紅表筆接D極。（3）測(cè)量漏-源通態(tài)電阻RDS（on）將G-S極短路，選擇萬(wàn)用表的R×1檔，黑表筆接S極，紅表筆接D極，阻值應(yīng)為幾歐至十幾歐。由于測(cè)試條件不同，測(cè)出的RDS（on）值比手冊(cè)中給出的典...