瀏覽選擇控制器的IBIS模型，切換到Bus Definition選項(xiàng)卡，單擊Add按鈕添加一 組新的Buso選中新加的一行Bus使其高亮，將鼠標(biāo)移動(dòng)到Signal Names下方高亮處，單擊 出現(xiàn)的字母E,打開(kāi)Signal列表。勾選組數(shù)據(jù)和DM信號(hào)，單擊0K按鈕確認(rèn)。 同樣，在Timing Ref下方高亮處，單擊出現(xiàn)的字母E打開(kāi)TimingRef列表。在這個(gè)列表 窗口左側(cè)，用鼠標(biāo)左鍵點(diǎn)選DQS差分線的正端，用鼠標(biāo)右鍵點(diǎn)選負(fù)端，單擊中間的“>>”按 鈕將選中信號(hào)加入TimingRefs,單擊OK按鈕確認(rèn)。 很多其他工具都忽略選通Strobe信號(hào)和時(shí)鐘Clock信號(hào)之間的時(shí)序分析功...

"DDRx"是一個(gè)通用的術(shù)語(yǔ)，用于表示多種類型的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）標(biāo)準(zhǔn)，包括DDR2、DDR3和DDR4等。這里的"x"可以是任意一個(gè)數(shù)字，了不同的DDR代數(shù)。每一代的DDR標(biāo)準(zhǔn)在速度、帶寬、電氣特性等方面都有所不同，以適應(yīng)不斷增長(zhǎng)的計(jì)算需求和技術(shù)發(fā)展。下面是一些常見(jiàn)的DDR標(biāo)準(zhǔn)：DDR2：DDR2是第二代DDR技術(shù)，相比于DDR，它具有更高的頻率和帶寬，以及更低的功耗。DDR2還引入了一些新的技術(shù)和功能，如多通道架構(gòu)和前瞻性預(yù)充電（prefetch）。DDR3：DDR3是第三代DDR技術(shù)，進(jìn)一步提高了頻率和帶寬，并降低了功耗。DDR3內(nèi)存模塊具有更高的密度和容量，可以支持更多的內(nèi)...

可以通過(guò)AllegroSigritySI仿真軟件來(lái)仿真CLK信號(hào)。 (1)產(chǎn)品選擇：從產(chǎn)品菜單中選擇AllegroSigritySI產(chǎn)品。 (2)在產(chǎn)品選擇界面選項(xiàng)中選擇AllegroSigritySI(forboard)。 (3)在AllegroSigritySI界面中打開(kāi)DDR_case.brd文件。 (4)選擇菜單Setup-*Crosssection..,設(shè)置電路板層疊參數(shù)。 將DDRController和Memory器件的IBIS模型memorycontroller.ibs和memory.ibs文件放在當(dāng)前DDR_case.brd文件的同一目錄下，這...

DDR3： DDR3釆用SSTL_15接口，I/O 口工作電壓為1.5V；時(shí)鐘信號(hào)頻率為400? 800MHz；數(shù)據(jù)信號(hào)速率為800?1600Mbps,通過(guò)差分選通信號(hào)雙沿釆樣；地址/命令/控制信 號(hào)在1T模式下速率為400?800Mbps,在2T模式下速率為200?400Mbps；數(shù)據(jù)和選通信號(hào) 仍然使用點(diǎn)對(duì)點(diǎn)或樹(shù)形拓?fù)?，時(shí)鐘/地址/命令/控制信號(hào)則改用Fly-by的拓?fù)洳季€；數(shù)據(jù)和選 通信號(hào)有動(dòng)態(tài)ODT功能；使用Write Leveling功能調(diào)整時(shí)鐘和選通信號(hào)間因不同拓?fù)湟鸬?延時(shí)偏移，以滿足時(shí)序要求。DDR3一致性測(cè)試需要運(yùn)行多長(zhǎng)時(shí)間？廣西DDR3測(cè)試銷售 DDR3一致性測(cè)試是一種...

那么在下面的仿真分析過(guò)程中，我們是不是可以就以這兩個(gè)圖中的時(shí)序要求作為衡量標(biāo)準(zhǔn)來(lái)進(jìn)行系統(tǒng)設(shè)計(jì)呢?答案是否定的，因?yàn)殡m然這個(gè)時(shí)序是規(guī)范中定義的標(biāo)準(zhǔn)，但是在系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)中，我們所使用的是Micron的產(chǎn)品，而后面系統(tǒng)是否能夠正常工作要取決干我們對(duì)Micron芯片的時(shí)序控制程度。所以雖然我們通過(guò)閱讀DDR規(guī)范文件了解到基本設(shè)計(jì)要求，但是具體實(shí)現(xiàn)的參數(shù)指標(biāo)要以Micron芯片的數(shù)據(jù)手冊(cè)為準(zhǔn)。換句話說(shuō)，DDR的工業(yè)規(guī)范是芯片制造商Micron所依據(jù)的標(biāo)準(zhǔn)，而我們?cè)O(shè)計(jì)系統(tǒng)時(shí)，既然使用了Micron的產(chǎn)品，那么系統(tǒng)的性能指標(biāo)分析就要以Micron的產(chǎn)品為準(zhǔn)。所以，接下來(lái)的任務(wù)就是我們要在Micron的DDR芯片...

有其特殊含義的，也是DDR體系結(jié)構(gòu)的具體體現(xiàn)。而遺憾的是，在筆者接觸過(guò)的很多高速電路設(shè)計(jì)人員中，很多人還不能夠說(shuō)清楚這兩個(gè)圖的含義。在數(shù)據(jù)寫入(Write)時(shí)序圖中，所有信號(hào)都是DDR控制器輸出的，而DQS和DQ信號(hào)相差90°相位，因此DDR芯片才能夠在DQS信號(hào)的控制下，對(duì)DQ和DM信號(hào)進(jìn)行雙沿采樣:而在數(shù)據(jù)讀出(Read)時(shí)序圖中，所有信號(hào)是DDR芯片輸出的，并且DQ和DQS信號(hào)是同步的，都是和時(shí)鐘沿對(duì)齊的!這時(shí)候?yàn)榱艘獙?shí)現(xiàn)對(duì)DQ信號(hào)的雙沿采樣，DDR控制器就需要自己去調(diào)整DQS和DQ信號(hào)之間的相位延時(shí)!!!這也就是DDR系統(tǒng)中比較難以實(shí)現(xiàn)的地方。DDR規(guī)范這樣做的原因很簡(jiǎn)單，是要把邏輯設(shè)...

重復(fù)步驟6至步驟9,設(shè)置Memory器件U101、U102、U103和U104的模型為 memory.ibs模型文件中的Generic器件。 在所要仿真的時(shí)鐘網(wǎng)絡(luò)中含有上拉電阻(R515和R518),在模型賦置界面中找到 這兩個(gè)電阻，其Device Type都是R0402 47R,可以選中R0402 47R對(duì)這類模型統(tǒng)一進(jìn)行設(shè)置, (12) 選中R0402 47R后,選擇Create ESpice Model...按鈕,在彈出的界面中單擊OK按 鈕，在界面中設(shè)置電阻模型后，單擊OK按鈕賦上電阻模型。 同步驟11、步驟12,將上拉電源處的電容(C583)賦置的電容模型。 ...

每個(gè) DDR 芯片獨(dú)享 DQS，DM 信號(hào)；四片 DDR 芯片共享 RAS#，CAS#，CS#，WE#控制信號(hào)?！DR 工作頻率為 133MHz?！DR 控制器選用 Xilinx 公司的 FPGA，型號(hào)為 XC2VP30_6FF1152C。得到這個(gè)設(shè)計(jì)需求之后，我們首先要進(jìn)行器件選型，然后根據(jù)所選的器件，準(zhǔn)備相關(guān)的設(shè)計(jì)資料。一般來(lái)講，對(duì)于經(jīng)過(guò)選型的器件，為了使用這個(gè)器件進(jìn)行相關(guān)設(shè)計(jì)，需要有如下資料。 · 器件數(shù)據(jù)手冊(cè) Datasheet：這個(gè)是必須要有的。如果沒(méi)有器件手冊(cè)，是沒(méi)有辦法進(jìn)行設(shè)計(jì)的（一般經(jīng)過(guò)選型的器件，設(shè)計(jì)工程師一定會(huì)有數(shù)據(jù)手冊(cè)）。 DDR3一致性測(cè)試是否對(duì)不同廠商的...