晶閘管（SCR）是一種半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件。早在1956年，Moll等人就發(fā)表了這種開(kāi)關(guān)器件的理論基礎(chǔ)。盡管低功率器件在當(dāng)***關(guān)領(lǐng)域已基本銷(xiāo)聲匿跡，并被高壓雙極結(jié)型晶體管（BJT）、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）及絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）等...

可用于電壓等級(jí)500V及其以下、電流等級(jí)200A以下的電路中，作短路保護(hù)。封閉式熔斷器：封閉式熔斷器分有填料熔斷器和無(wú)填料熔斷器兩種，如圖3和圖4所示。有填料熔斷器一般用方形瓷管，內(nèi)裝石英砂及熔體，分?jǐn)嗄芰?qiáng)，用于電壓等級(jí)500V以下、電流等級(jí)1KA以下的電路...

晶閘管智能模塊模塊規(guī)格編輯晶閘管智能模塊注意事項(xiàng)編輯1、模塊電流規(guī)格的選取考慮到電網(wǎng)電壓的波動(dòng)和負(fù)載在起動(dòng)時(shí)一般都比其額定電流大幾倍，且晶閘管芯片抗電流沖擊能力較差，建議您在選取模塊電流規(guī)格時(shí)應(yīng)留出適當(dāng)裕量。推薦選擇如下：阻性負(fù)載：模塊標(biāo)稱(chēng)電流應(yīng)為負(fù)載額定電流...

法拉電容為什么又稱(chēng)超級(jí)電容？超級(jí)電容又稱(chēng)為雙層電容、黃金電容、法拉電容。它與普通電容的區(qū)別是它是一種電化學(xué)的物理部件，但本身并不進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，相比普通電容的超級(jí)電容儲(chǔ)電量特別大，達(dá)到法拉級(jí)的電容量(單位：F法拉，F(xiàn)arad)。法拉電容也是超級(jí)電容。超級(jí)電容器是...

可控硅又稱(chēng)晶閘管（SiliconControlledRectifier,SCR）。自從20世紀(jì)50年代問(wèn)世以來(lái)已經(jīng)發(fā)展成了一個(gè)大的家族，它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管、可關(guān)斷晶可控硅閘管、快速晶閘管，等等?？煽毓?，是可控硅整流元件...

因此將引起各元件間電壓分配不均勻而導(dǎo)致發(fā)生損壞器件的事故。影響串聯(lián)運(yùn)行電壓分配不均勻的因素主要有以下幾個(gè)：1、靜態(tài)伏安特性對(duì)靜態(tài)均壓的影響。不同元件的伏安特性差異較大，串聯(lián)使用時(shí)會(huì)使電壓分配不均衡。同時(shí)，半導(dǎo)體器件的伏安特性容易受溫度的影響，不同的結(jié)溫也會(huì)使均...

怎樣檢測(cè)變頻器逆變模塊？（2）判斷IGBT極性及好壞的方法判斷IGBT極性：選擇指針萬(wàn)用表R×100Ω或R×1KΩ檔分別測(cè)量IGBT的任兩個(gè)極之間的正反向電阻，其中一極與其他兩極之間的正反向電阻均為無(wú)窮大，則判定該極為IGBT的柵極（G）。測(cè)量另外兩極的正反向...

或電流）的情況下晶閘管才導(dǎo)通。這時(shí)晶閘管處于正向?qū)顟B(tài)。3.一旦晶閘管開(kāi)始導(dǎo)通，它就被鉗住在導(dǎo)通狀態(tài)，而此時(shí)門(mén)極電流可以取消。晶閘管不能被門(mén)極關(guān)斷，像一個(gè)二極管一樣導(dǎo)通，直到電流降至零和有反向偏置電壓作用在晶閘管上時(shí)，它才會(huì)截止。當(dāng)晶閘管再次進(jìn)入正向阻斷狀態(tài)...

一、概述現(xiàn)階段動(dòng)力電池能量密度越來(lái)越高，單體電芯容量越來(lái)越大，各高壓部件一旦出現(xiàn)短路現(xiàn)象而無(wú)相應(yīng)的保護(hù)措施，輕則部件損壞，重則引起火災(zāi)（尤其動(dòng)力電池），后果將不堪設(shè)想，所以各高壓部件回路的保護(hù)至關(guān)重要，本文將闡述純電動(dòng)汽車(chē)高壓直流熔斷器計(jì)算及選型方法，并實(shí)例說(shuō)...

每月不少于一次夜間巡視，查看有無(wú)放電火花和接觸不良現(xiàn)象，有放電，會(huì)伴有嘶嘶的響聲，要盡早安排處理。(2)在春檢停電檢修時(shí)應(yīng)對(duì)熔斷器做如下內(nèi)容的檢查：①靜、動(dòng)觸頭接觸是否吻合，緊密完好，有否燒傷痕跡。②熔斷器轉(zhuǎn)動(dòng)部位是否靈活，有否銹蝕、轉(zhuǎn)動(dòng)不靈等異常，零部件是否...

什么是超級(jí)電容器?◆超級(jí)電容器（supercapacitor,ultracapacitor），又叫雙電層電容器(ElectricalDoule-LayerCapacitor)、黃金電容、法拉電容，通過(guò)極化電解質(zhì)來(lái)儲(chǔ)能。它是一種電化學(xué)元件，但在其儲(chǔ)能的過(guò)程并不發(fā)...

促使整流管加速老化，并被過(guò)早地?fù)舸p壞。（3）運(yùn)行管理欠佳。值班運(yùn)行人員工作不負(fù)責(zé)任，對(duì)外界負(fù)荷的變化(特別是在深夜零點(diǎn)至第二天上午6點(diǎn)之間)不了解，或是當(dāng)外界發(fā)生了甩負(fù)荷故障，運(yùn)行人員沒(méi)有及時(shí)進(jìn)行相應(yīng)的操作處理，產(chǎn)生過(guò)電壓而將整流管擊穿損壞。（4）設(shè)備安裝或...

Ia與Il成正比，即當(dāng)光電二極管的光電流增大時(shí)，光控晶閘管的輸出電流也相應(yīng)增大，同時(shí)Il的增大，使BGl、BG2的電流放大系數(shù)a1、a2也增大。當(dāng)al與a2之和接近l時(shí)，光控晶閘管的Ia達(dá)到**大，即完全導(dǎo)通。能使光控晶閘管導(dǎo)通的**小光照度，稱(chēng)其為導(dǎo)通光照度...

1.使用萬(wàn)用表進(jìn)行測(cè)試：將萬(wàn)用表調(diào)整到電容測(cè)試模式，將電容的兩個(gè)引腳連接到萬(wàn)用表的兩個(gè)測(cè)試針上，然后觀察萬(wàn)用表的讀數(shù)。如果電容正常，讀數(shù)應(yīng)該在規(guī)定范圍內(nèi)，如果讀數(shù)為0或者無(wú)限大，說(shuō)明電容已經(jīng)損壞。2.使用電容測(cè)試儀進(jìn)行測(cè)試：電容測(cè)試儀是一種專(zhuān)門(mén)用于測(cè)試電容的儀...

所以交流信號(hào)正半周超出部分被去掉（限制），其超出部分信號(hào)其實(shí)降在了集成電路A1的①腳內(nèi)電路中的電阻上（圖中未畫(huà)出）。當(dāng)集成電路A1的①腳直流和交流輸出信號(hào)的幅度小于，這一電壓又不能使3只二極管導(dǎo)通，這樣3只二極管再度從導(dǎo)通轉(zhuǎn)入截止?fàn)顟B(tài)，對(duì)信號(hào)沒(méi)有限幅作用。3．...

因?yàn)楦咚匍_(kāi)斷和關(guān)斷會(huì)產(chǎn)生很高的尖峰電壓,及有可能造成IGBT自身或其他元件擊穿。(3)IGBT開(kāi)通后，驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)提供足夠的電壓、電流幅值，使IGBT在正常工作及過(guò)載情況下不致退出飽和而損壞。(4)IGBT驅(qū)動(dòng)電路中的電阻RG對(duì)工作性能有較大的影響，RG較大，有...

做出了能適應(yīng)于高頻應(yīng)用的晶閘管，我們將它稱(chēng)為快速晶閘管。它具有關(guān)斷時(shí)間（toff）短、導(dǎo)通速度快．能耐較高的電流上升率（dI／dt）、能耐較高的電壓上升率（dv／dt）、抗干擾能力較好等特點(diǎn)?？焖倬чl管的生產(chǎn)和應(yīng)用都進(jìn)展很快。目前，已有了電流幾百安培、耐壓1千...

從而實(shí)際強(qiáng)觸發(fā)，加速了元件的導(dǎo)通，提高了耐電流上升率的能力。三、能耐較高的電壓上升率（dv/dt）晶閘管是由三個(gè)P—N結(jié)組成的。每個(gè)結(jié)相當(dāng)于一個(gè)電容器。結(jié)電壓急劇變化時(shí)，就有很大的位移電流流過(guò)元件，它等效于控制極觸發(fā)電流的作用?？赡苁咕чl管誤導(dǎo)通。這就是普通晶...

載流子雪崩式地增加，致使電流急劇增加，這種擊穿稱(chēng)為雪崩擊穿。無(wú)論哪種擊穿，若對(duì)其電流不加限制，都可能造成PN結(jié)長(zhǎng)久性損壞。[5]二極管反向電流反向電流是指二極管在常溫（25℃）和高反向電壓作用過(guò)二極管的反向電流。反向電流越小，管子的單方向?qū)щ娦阅茉胶?。值得注?..

載流子雪崩式地增加，致使電流急劇增加，這種擊穿稱(chēng)為雪崩擊穿。無(wú)論哪種擊穿，若對(duì)其電流不加限制，都可能造成PN結(jié)長(zhǎng)久性損壞。[5]二極管反向電流反向電流是指二極管在常溫（25℃）和高反向電壓作用過(guò)二極管的反向電流。反向電流越小，管子的單方向?qū)щ娦阅茉胶?。值得注?..

超級(jí)電容器的有點(diǎn)就是在很小的體積下達(dá)到法拉級(jí)的電容量；無(wú)須特別的充電電路和控制放電電路；和電池相比過(guò)充、過(guò)放都不對(duì)其壽命構(gòu)成負(fù)面影響；從環(huán)保的角度考慮，它是一種綠色能源；超級(jí)電容器可焊接，因而不存在像電池接觸不牢固等問(wèn)題。缺點(diǎn)就是如果使用不當(dāng)會(huì)造成電解質(zhì)泄漏等...

故晶閘管的陽(yáng)極電流Ia≈Ic0晶閘管處于正向阻斷狀態(tài)。當(dāng)晶閘管在正向陽(yáng)極電壓下，從門(mén)極G流入電流Ig，由于足夠大的Ig流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié)，從而提高其電流放大系數(shù)a2，產(chǎn)生足夠大的極電極電流Ic2流過(guò)PNP管的發(fā)射結(jié)，并提高了PNP管的電流放大系數(shù)a1，產(chǎn)生更...

濾波電容與電解電容有區(qū)別嗎？濾波電容和電解電容是兩個(gè)不同分類(lèi)標(biāo)準(zhǔn)的概念。濾波電容是按用途的分類(lèi)，表示這個(gè)電容是用來(lái)濾波整流的，與之類(lèi)似的是儲(chǔ)能電容、耦合電容等。電解電容是按原理的毀薯謹(jǐn)分類(lèi)，利用手正鋁鈮鉭等閥金屬氧化物的單向?qū)щ娦运评w基的電容，與之同類(lèi)的是陶...

4．可關(guān)斷晶閘管可關(guān)斷晶閘管亦稱(chēng)門(mén)控晶閘管。其主要特點(diǎn)是，當(dāng)門(mén)極加負(fù)向觸發(fā)信號(hào)時(shí)晶閘管能自行關(guān)斷。它既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優(yōu)點(diǎn)，以具有自關(guān)斷能力，使用方便，是理想的高壓、大電流開(kāi)關(guān)器件。它的容量及使用壽命均超過(guò)巨型晶體管。目前，大功率可關(guān)斷晶閘管已...

晶閘管智能模塊指的是一種特殊的模板，采用了采用全數(shù)字移相觸發(fā)集成電路。中文名晶閘管智能模塊特點(diǎn)三相交流模塊輸出對(duì)稱(chēng)性好等優(yōu)點(diǎn)功耗低，效率高等適用溫度-25℃～+45℃目錄1模塊特點(diǎn)2模塊規(guī)格3注意事項(xiàng)4模塊參數(shù)晶閘管智能模塊模塊特點(diǎn)編輯（1）本產(chǎn)品均采用全數(shù)字...

家用電器中的調(diào)光燈、調(diào)速風(fēng)扇、冷暖空調(diào)器、熱水器、電視、冰箱、洗衣機(jī)、照相機(jī)、音響組合、聲控電路、定時(shí)控制器、感應(yīng)燈、圣誕燈控制器、自動(dòng)門(mén)電路、以及玩具裝置、電動(dòng)工具產(chǎn)品、無(wú)線(xiàn)電遙控電路、攝像機(jī)等工業(yè)控制領(lǐng)域等都大量使用了可控硅器件。在這些技術(shù)應(yīng)用系統(tǒng)電路中，...

晶閘管模塊基本的用途是可控整流。二極管整流電路中用晶閘管代替二極管，就可以形成可控整流電路。在正弦交流電壓U2的正半周內(nèi)，如果vs的控制極不輸入觸發(fā)脈沖UG，vs仍不能接通。只有當(dāng)U2處于正半周時(shí)，當(dāng)觸發(fā)脈沖UG施加到控制極時(shí)，晶閘管才接通?，F(xiàn)在，繪制其波形(...

做出了能適應(yīng)于高頻應(yīng)用的晶閘管，我們將它稱(chēng)為快速晶閘管。它具有關(guān)斷時(shí)間（toff）短、導(dǎo)通速度快．能耐較高的電流上升率（dI／dt）、能耐較高的電壓上升率（dv／dt）、抗干擾能力較好等特點(diǎn)。快速晶閘管的生產(chǎn)和應(yīng)用都進(jìn)展很快。目前，已有了電流幾百安培、耐壓1千...

有無(wú)緩沖區(qū)決定了IGBT具有不同特性。有N*緩沖區(qū)的IGBT稱(chēng)為非對(duì)稱(chēng)型IGBT，也稱(chēng)穿通型IGBT。它具有正向壓降小、犬?dāng)鄷r(shí)間短、關(guān)斷時(shí)尾部電流小等優(yōu)點(diǎn)，但其反向阻斷能力相對(duì)較弱。無(wú)N-緩沖區(qū)的IGBT稱(chēng)為對(duì)稱(chēng)型IGBT，也稱(chēng)非穿通型IGBT。它具有較強(qiáng)的正...

斷態(tài)電壓臨界上升率du/dt：是指在額定結(jié)溫、門(mén)極開(kāi)路的情況下，不能使晶閘管從斷態(tài)到通態(tài)轉(zhuǎn)換的外加電壓**大上升率。通態(tài)電流臨界上升率di/dt：指在規(guī)定條件下，晶閘管能承受的**大通態(tài)電流上升率。如果di/dt過(guò)大，在晶閘管剛開(kāi)通時(shí)會(huì)有很大的電流集中在門(mén)極附...