這種接法就相當(dāng)于給予萬(wàn)用表串接上了，使檢測(cè)電壓增加至3V(發(fā)光二極管的開啟電壓為2V)。檢測(cè)時(shí)，用萬(wàn)用表兩表筆輪換接觸發(fā)光二極管的兩管腳。若管子性能良好，必定有一次能正常發(fā)光，此時(shí)，黑表筆所接的為正極紅表筆所接的為負(fù)極。[8]二極管紅外發(fā)光二極管1.判別紅外發(fā)...

1、模塊電流規(guī)格的選取考慮到電網(wǎng)電壓的波動(dòng)和負(fù)載在起動(dòng)時(shí)一般都比其額定電流大幾倍，且晶閘管芯片抗電流沖擊能力較差，建議您在選取模塊電流規(guī)格時(shí)應(yīng)留出適當(dāng)裕量。推薦選擇如下:阻性負(fù)載:模塊標(biāo)稱電流應(yīng)為負(fù)載額定電流的2倍。感性負(fù)載:模塊標(biāo)稱電流應(yīng)為負(fù)載額定電流的3倍...

中頻爐ABB脈沖可關(guān)斷單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管、可關(guān)斷可控硅晶閘管、快速晶閘管普通可控硅、雙向可控硅、逆導(dǎo)可控硅、門極關(guān)斷可控硅(GTO)、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。 可控硅(SCR: Silicon Cont...

具有單向?qū)щ娞匦?，而?yáng)極A與門極之間有兩個(gè)反極性串聯(lián)的PN結(jié)。因此，通過(guò)用萬(wàn)用表的R×100或R×1kQ檔測(cè)量普通晶閘管各引腳之間的電阻值，即能確定三個(gè)電極。具體方法是：將萬(wàn)用表黑表筆任接晶閘管某一極，紅表筆依次去觸碰另外兩個(gè)電極。若測(cè)量結(jié)果有一次阻值為幾千歐...

載流子雪崩式地增加，致使電流急劇增加，這種擊穿稱為雪崩擊穿。無(wú)論哪種擊穿，若對(duì)其電流不加限制，都可能造成PN結(jié)長(zhǎng)久性損壞。[5]二極管反向電流反向電流是指二極管在常溫（25℃）和高反向電壓作用過(guò)二極管的反向電流。反向電流越小，管子的單方向?qū)щ娦阅茉胶?。值得注?..

穩(wěn)壓源，放大器以及電子儀器的保護(hù)電路等瞬態(tài)電壓抑制二極管又稱瞬變電壓抑制二極管，雙向擊穿二極管，簡(jiǎn)稱TVS。瞬態(tài)抑制二極管不會(huì)被擊穿，它能夠在電壓極高時(shí)降低電阻，使電流分流或控制其流向，從而保護(hù)電路元件在瞬間電壓過(guò)高的情況下不被燒毀。雙向觸發(fā)二極管又稱二端交流...

1.使用萬(wàn)用表進(jìn)行測(cè)試：將萬(wàn)用表調(diào)整到電容測(cè)試模式，將電容的兩個(gè)引腳連接到萬(wàn)用表的兩個(gè)測(cè)試針上，然后觀察萬(wàn)用表的讀數(shù)。如果電容正常，讀數(shù)應(yīng)該在規(guī)定范圍內(nèi)，如果讀數(shù)為0或者無(wú)限大，說(shuō)明電容已經(jīng)損壞。2.使用電容測(cè)試儀進(jìn)行測(cè)試：電容測(cè)試儀是一種專門用于測(cè)試電容的儀...

海外鋁電解電容器制造商紛紛來(lái)中國(guó)大陸投資建廠。鋁電解電容器在傳統(tǒng)消費(fèi)電子領(lǐng)域穩(wěn)步增長(zhǎng)的同時(shí)，其應(yīng)用領(lǐng)域隨著結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)型與技術(shù)進(jìn)步在節(jié)能燈、變頻器、新能源等諸多新興領(lǐng)域得以拓展。國(guó)家“十二五”規(guī)劃中明確提出：推進(jìn)大中小城市交通、通信、供電、給排水等基礎(chǔ)設(shè)施一體化建設(shè)...

[8]2.檢測(cè)性能好壞。用萬(wàn)用表電阻擋測(cè)量紅外接收二極管正、反向電阻，根據(jù)正、反向電阻值的大小，即可初步判定紅外接收二極管的好壞。[8]二極管激光二極管按照檢測(cè)普通二極管正、反向電阻的方法，即可將激光二極管的管腳排列順序確定。但檢測(cè)時(shí)要注意，由于激光二極管的正...

適應(yīng)多于六個(gè)晶閘管元件的各種大型可控整流設(shè)備。具有完善故障、報(bào)警檢測(cè)和保護(hù)功能。實(shí)時(shí)檢測(cè)過(guò)流、過(guò)壓、反饋丟失、控制板內(nèi)部故障。設(shè)有開機(jī)給定回零、軟啟動(dòng)、截流、截壓、急停保護(hù)。調(diào)試簡(jiǎn)便，數(shù)控板調(diào)試不用示波器和萬(wàn)用表。每一塊控制板均經(jīng)過(guò)了嚴(yán)格的軟件測(cè)試、硬件老化，...

1.使用萬(wàn)用表進(jìn)行測(cè)試：將萬(wàn)用表調(diào)整到電容測(cè)試模式，將電容的兩個(gè)引腳連接到萬(wàn)用表的兩個(gè)測(cè)試針上，然后觀察萬(wàn)用表的讀數(shù)。如果電容正常，讀數(shù)應(yīng)該在規(guī)定范圍內(nèi)，如果讀數(shù)為0或者無(wú)限大，說(shuō)明電容已經(jīng)損壞。2.使用電容測(cè)試儀進(jìn)行測(cè)試：電容測(cè)試儀是一種專門用于測(cè)試電容的儀...

金屬封裝晶閘管又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封晶閘管又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。晶閘管按電流容量可分為大功率晶閘管、率晶閘管和小功率晶閘管三種。通常，大功率晶閘管多采用陶瓷封裝，而中、小功率晶閘管則多采用塑封或金屬封裝。晶閘管按其關(guān)斷速度可分為...

它是用來(lái)讓信號(hào)在預(yù)置的電平范圍內(nèi)，有選擇地傳輸一部分信號(hào)。大多數(shù)二極管都可作為限幅使用，但有些時(shí)候需要用到專門限幅二極管，如保護(hù)儀表時(shí)。[6]（3）穩(wěn)壓電路在穩(wěn)壓電路中通常需要使用齊納二極管，它是一種利用特殊工藝制造的面結(jié)型硅把半導(dǎo)體二極管，這種特殊二極管雜質(zhì)...

其**新研制出的IGCT擁有更好的性能，其直徑為英寸，單閥片耐壓值也是。**大通流能力已經(jīng)可以達(dá)到180kA/30us，**高可承受電流上升率di/dt為20kA/us。門極可承受觸發(fā)電流**大值為2000A，觸發(fā)電流上升率di/dt**大為1000A/us。...

采用電子線路進(jìn)行保護(hù)等。目前常用的是在回路中接入吸收能量的元件，使能量得以消散，常稱之為吸收回路或緩沖電路。（4）阻容吸收回路通常過(guò)電壓均具有相對(duì)較高的頻率，因此我們常用電容可以作為企業(yè)吸收作用元件，為防止出現(xiàn)振蕩，常加阻尼電阻，構(gòu)成阻容吸收回路。阻容吸收回路...

按關(guān)斷速度分類：可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅。過(guò)零觸發(fā)-一般是調(diào)功，即當(dāng)正弦交流電交流電電壓相位過(guò)零點(diǎn)觸發(fā)，必須是過(guò)零點(diǎn)才觸發(fā)，導(dǎo)通可控硅。 （1）可控硅一般做成螺栓形和平板形，有三個(gè)電極，用硅半導(dǎo)體材料制成的管芯由PNPN...

晶閘管模塊基本的用途是可控整流。二極管整流電路中用晶閘管代替二極管，就可以形成可控整流電路。在正弦交流電壓U2的正半周內(nèi)，如果vs的控制極不輸入觸發(fā)脈沖UG，vs仍不能接通。只有當(dāng)U2處于正半周時(shí)，當(dāng)觸發(fā)脈沖UG施加到控制極時(shí)，晶閘管才接通?，F(xiàn)在，繪制其波形(...

這種接法就相當(dāng)于給予萬(wàn)用表串接上了，使檢測(cè)電壓增加至3V(發(fā)光二極管的開啟電壓為2V)。檢測(cè)時(shí)，用萬(wàn)用表兩表筆輪換接觸發(fā)光二極管的兩管腳。若管子性能良好，必定有一次能正常發(fā)光，此時(shí)，黑表筆所接的為正極紅表筆所接的為負(fù)極。[8]二極管紅外發(fā)光二極管1.判別紅外發(fā)...

按關(guān)斷速度分類：可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅。過(guò)零觸發(fā)-一般是調(diào)功，即當(dāng)正弦交流電交流電電壓相位過(guò)零點(diǎn)觸發(fā)，必須是過(guò)零點(diǎn)才觸發(fā)，導(dǎo)通可控硅。 （1）可控硅一般做成螺栓形和平板形，有三個(gè)電極，用硅半導(dǎo)體材料制成的管芯由PNPN...

其**新研制出的IGCT擁有更好的性能，其直徑為英寸，單閥片耐壓值也是。**大通流能力已經(jīng)可以達(dá)到180kA/30us，**高可承受電流上升率di/dt為20kA/us。門極可承受觸發(fā)電流**大值為2000A，觸發(fā)電流上升率di/dt**大為1000A/us。...

塑封晶閘管又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。晶閘管晶閘管按電流容量可分為大功率晶閘管、**率晶閘管和小功率晶閘管三種。通常，大功率晶閘管多采用陶瓷封裝，而中、小功率晶閘管則多采用塑封或金屬封裝。晶閘管按其關(guān)斷速度可分為普通晶閘管和快速晶閘管，快速晶閘管包括所...

其**新研制出的IGCT擁有更好的性能，其直徑為英寸，單閥片耐壓值也是。**大通流能力已經(jīng)可以達(dá)到180kA/30us，**高可承受電流上升率di/dt為20kA/us。門極可承受觸發(fā)電流**大值為2000A，觸發(fā)電流上升率di/dt**大為1000A/us。...

金屬封裝晶閘管又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封晶閘管又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。晶閘管按電流容量可分為大功率晶閘管、率晶閘管和小功率晶閘管三種。通常，大功率晶閘管多采用陶瓷封裝，而中、小功率晶閘管則多采用塑封或金屬封裝。晶閘管按其關(guān)斷速度可分為...

因此將引起各元件間電壓分配不均勻而導(dǎo)致發(fā)生損壞器件的事故。影響串聯(lián)運(yùn)行電壓分配不均勻的因素主要有以下幾個(gè)：1、靜態(tài)伏安特性對(duì)靜態(tài)均壓的影響。不同元件的伏安特性差異較大，串聯(lián)使用時(shí)會(huì)使電壓分配不均衡。同時(shí)，半導(dǎo)體器件的伏安特性容易受溫度的影響，不同的結(jié)溫也會(huì)使均...

這種接法就相當(dāng)于給予萬(wàn)用表串接上了，使檢測(cè)電壓增加至3V(發(fā)光二極管的開啟電壓為2V)。檢測(cè)時(shí)，用萬(wàn)用表兩表筆輪換接觸發(fā)光二極管的兩管腳。若管子性能良好，必定有一次能正常發(fā)光，此時(shí)，黑表筆所接的為正極紅表筆所接的為負(fù)極。[8]二極管紅外發(fā)光二極管1.判別紅外發(fā)...

晶閘管智能模塊模塊規(guī)格編輯晶閘管智能模塊注意事項(xiàng)編輯1、模塊電流規(guī)格的選取考慮到電網(wǎng)電壓的波動(dòng)和負(fù)載在起動(dòng)時(shí)一般都比其額定電流大幾倍，且晶閘管芯片抗電流沖擊能力較差，建議您在選取模塊電流規(guī)格時(shí)應(yīng)留出適當(dāng)裕量。推薦選擇如下：阻性負(fù)載：模塊標(biāo)稱電流應(yīng)為負(fù)載額定電流...

按關(guān)斷速度分類：可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅。過(guò)零觸發(fā)-一般是調(diào)功，即當(dāng)正弦交流電交流電電壓相位過(guò)零點(diǎn)觸發(fā)，必須是過(guò)零點(diǎn)才觸發(fā)，導(dǎo)通可控硅。 （1）可控硅一般做成螺栓形和平板形，有三個(gè)電極，用硅半導(dǎo)體材料制成的管芯由PNPN...

二極管是什么類型？二極管是一種電子元件，它具有兩種工作狀態(tài)：正向偏置和反向偏置。在正向偏置狀態(tài)下，二極管允許電流通過(guò)；而在反向偏置狀態(tài)下，二極管阻止電流通過(guò)。這種單向?qū)щ娞匦允沟枚O管成為電子電路中的基本構(gòu)建模塊之一。二極管有多種類型，以下是一些常見的二極管類...

二極管的正向壓降硅管約為(通常取)，鍺管約為(通常取)。·折疊反向特性(外加反向電壓)反向特性即二極管反向偏置時(shí)的電壓與電流的關(guān)系。反向電壓加強(qiáng)了內(nèi)電場(chǎng)對(duì)多子擴(kuò)散的阻礙，多子幾乎不能形成電流，但是少子在電場(chǎng)的作用下漂移，形成很小的漂移電流，且與反向電壓的大小基...

電容C2始終接入電路，此時(shí)振蕩頻率降低。4．同類電路工作原理分析如圖所示，電路中的VD1為開關(guān)二極管，控制電壓通過(guò)R1加到VD1正極，控制電壓是一個(gè)矩形脈沖電壓，波形見圖中所示。當(dāng)控制電壓為0V時(shí)，VD1不能導(dǎo)通，相當(dāng)于開路，這時(shí)對(duì)L1和C1、L2和C2電路沒(méi)...