上拉電阻的其他作用：作用1、當(dāng)TTL電路驅(qū)動CMOS電路時，如果電路輸出的高電平低于CMOS電路的高電平（一般為3.5V），這時就需要在TTL的輸出端接上拉電阻，以提高輸出高電平的值。2、OC門電路必須使用上拉電阻，以提高輸出的高電平值。3、為增強(qiáng)輸出引腳的驅(qū)...

故晶閘管的陽極電流Ia≈Ic0晶閘管處于正向阻斷狀態(tài)。當(dāng)晶閘管在正向陽極電壓下，從門極G流入電流Ig，由于足夠大的Ig流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié)，從而提高其電流放大系數(shù)a2，產(chǎn)生足夠大的極電極電流Ic2流過PNP管的發(fā)射結(jié)，并提高了PNP管的電流放大系數(shù)a1，產(chǎn)生更...

熔斷器（fuse）是指當(dāng)電流超過規(guī)定值時，以本身產(chǎn)生的熱量使熔體熔斷，斷開電路的一種電器。熔斷器是根據(jù)電流超過規(guī)定值一段時間后，以其自身產(chǎn)生的熱量使熔體熔化，從而使電路斷開；運(yùn)用這種原理制成的一種電流保護(hù)器，利用金屬導(dǎo)體作為熔體串聯(lián)于電路中，當(dāng)過載或短路電流通...

一個實(shí)施例提供了包括一個或多個以上限定的結(jié)構(gòu)的二極管。根據(jù)一個實(shí)施例，該二極管由一個或多個晶體管限定，晶體管具有在兩個溝槽之間延伸的至少一個溝道區(qū)域，一區(qū)域限定晶體管柵極。根據(jù)一個實(shí)施例，該二極管包括將溝道區(qū)域電連接到傳導(dǎo)層的接觸區(qū)域。根據(jù)一個實(shí)施例，一區(qū)域是...

除了考慮通過元件的平均電流外，還應(yīng)注意正常工作時導(dǎo)通角的大小、散熱通風(fēng)條件等因素。在工作中還應(yīng)注意管殼溫度不超過相應(yīng)電流下的允許值。2、使用可控硅之前，應(yīng)該用萬用表檢查可控硅是否良好。發(fā)現(xiàn)有短路或斷路現(xiàn)象時，應(yīng)立即更換。3、嚴(yán)禁用兆歐表（即搖表）檢查元件的絕緣...

下面分別介紹利用萬用表判定GTO電極、檢查GTO的觸發(fā)能力和關(guān)斷能力、估測關(guān)斷增益βoff的方法。判定GTO的電極將萬用表撥至R×1檔，測量任意兩腳間的電阻，*當(dāng)黑表筆接G極，紅表筆接K極時，電阻呈低阻值，對其它情況電阻值均為無窮大。由此可迅速判定G、K極，剩...

一個空穴電流（雙極）。當(dāng)UCE大于開啟電壓UCE(th），MOSFET內(nèi)形成溝道，為晶體管提供基極電流，IGBT導(dǎo)通。2)導(dǎo)通壓降電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)使電阻RN減小，通態(tài)壓降小。所謂通態(tài)壓降，是指IGBT進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)的管壓降UDS，這個電壓隨UCS上升而下降。3)關(guān)斷...

超級電容器取代鋰電池是有前提性的，如果不考慮體積，超級電容器取代鋰電池的時間不會很長，因?yàn)樗^之于鋰電池有儲存容量大，可以大電流放點(diǎn)，這是鋰電池不可比擬的。但是要想做得像鋰電池那樣小，特別是用于手機(jī)等移動產(chǎn)品，那應(yīng)該是很遙遠(yuǎn)的事了。超級電容器的儲能原理不同于蓄...

茗熔熔斷器RO30C NT00C NH00C 25A-160A用途：本系列熔斷體適用于交流50HZ,額定電壓至690V，額定電流至1600A，主要用在電氣線路中作為半導(dǎo)體設(shè)備的短路保護(hù)（aR）。本系列熔斷體額定分段能力至100KA。本系列熔斷體符合國家標(biāo)準(zhǔn)G...

IXYS艾賽斯可控硅三相橋式整流器VUO82-18NO7 可控硅有多種分類方法。按關(guān)斷QS3861QG、導(dǎo)通及控制方式不同，可控硅可以分為普通單向可控硅、雙向可控硅、特種可控硅，特種可控硅又分為逆導(dǎo)型可控硅、門極關(guān)斷可控硅（GTO）、BTG可控硅、...

茗熔快速熔斷器MRO RGS4 32A40A50A63A75A80A85A100A110A 660GH 用途：本系列熔斷體適用于交流50HZ,額定電壓至690V，額定電流至1600A，主要用在電氣線路中作為半導(dǎo)體設(shè)備的短路保護(hù)（aR）。本系列熔斷體額定分段能力...

α和θ都是用來表示晶閘管在承受正向電壓的半個周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或?qū)ń铅?，改變?fù)載上脈沖直流電壓的平均值UL，實(shí)現(xiàn)了可控整流。晶閘管晶體閘流管（英語：Thyristor），簡稱晶閘管，指的是具有四層交錯P、N層的半導(dǎo)體裝置。**早出現(xiàn)與主...

定義/晶閘管編輯晶閘管導(dǎo)通條件為：加正向電壓且門極有觸發(fā)電流；其派生器件有：快速晶閘管，雙向晶閘管，逆導(dǎo)晶閘管，光控晶閘管等。它是一種大功率開關(guān)型半導(dǎo)體器件，在電路中用文字符號為“V”、“VT”表示（舊標(biāo)準(zhǔn)中用字母“SCR”表示）。晶閘管（Thyristor）...

大電容和小電容的作用是什么？電容器是電路中非常重要的元件之一，其重要的作用就在于儲存電荷。根據(jù)其儲存電荷的數(shù)量不同，可分為大電容和小電容。這兩種電容器在電路中各有不同的應(yīng)用，下面詳細(xì)討論它們的作用。一、大電容的作用大電容通常指電容值在數(shù)百微法以上的電容器，其作...

這種接法就相當(dāng)于給予萬用表串接上了，使檢測電壓增加至3V(發(fā)光二極管的開啟電壓為2V)。檢測時，用萬用表兩表筆輪換接觸發(fā)光二極管的兩管腳。若管子性能良好，必定有一次能正常發(fā)光，此時，黑表筆所接的為正極紅表筆所接的為負(fù)極。[8]二極管紅外發(fā)光二極管1.判別紅外發(fā)...

對于常用的硅二極管而言導(dǎo)通后正極與負(fù)極之間的電壓降為。根據(jù)二極管的這一特性，可以很方便地分析由普通二極管構(gòu)成的簡易直流穩(wěn)壓電路工作原理。3只二極管導(dǎo)通之后，每只二極管的管壓降是，那么3只串聯(lián)之后的直流電壓降是×3=。3．故障檢測方法檢測這一電路中的3只二極管為...

晶閘管（SCR）是一種半導(dǎo)體開關(guān)器件。早在1956年，Moll等人就發(fā)表了這種開關(guān)器件的理論基礎(chǔ)。盡管低功率器件在當(dāng)***關(guān)領(lǐng)域已基本銷聲匿跡，并被高壓雙極結(jié)型晶體管（BJT）、金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）及絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）等...

[4]二極管大整流電流大整流電流是指二極管長期連續(xù)工作時，允許通過的大正向平均電流值，其值與PN結(jié)面積及外部散熱條件等有關(guān)。因?yàn)殡娏魍ㄟ^管子時會使管芯發(fā)熱，溫度上升，溫度超過容許限度（硅管為141℃左右，鍺管為90℃左右）時，就會使管芯過熱而損壞。所以在規(guī)定散...

否則將遭至徹底損壞。當(dāng)晶閘管中流過大于額定值的電流時，熱量來不及散發(fā)，使得結(jié)溫迅速升高，終將導(dǎo)致結(jié)層被燒壞。產(chǎn)生過電流的原因是多種多樣的，例如，變流裝置本身晶閘管損壞，觸發(fā)電路發(fā)生故障，控制系統(tǒng)發(fā)生故障等，以及交流電源電壓過高、過低或缺相，負(fù)載過載或短路，相鄰...

類型鋁電解電容器可以分為四類：1.引線型鋁電解電容器；2.牛角型鋁電解電容器；3.螺栓式鋁電解電容器；4.固態(tài)鋁電散磨解電容器。特點(diǎn)1.單位體積的電容量非常大，比其它種類的電容大幾十到數(shù)百倍。2.額定的容量可以做到非常大，可以輕易做到幾萬μf甚至幾f（但不能和...

圖簡單地給出了晶閘管開通和關(guān)斷過程的電壓與電流波形。圖中開通過程描述的是晶閘管門極在坐標(biāo)原點(diǎn)時刻開始受到理想階躍觸發(fā)電流觸發(fā)的情況；而關(guān)斷過程描述的是對已導(dǎo)通的晶閘管，在外電路所施加的電壓在某一時刻突然由正向變?yōu)榉聪虻那闆r（如圖中點(diǎn)劃線波形）。開通過程晶閘管的...

IGBT兩單元:SKM75GB128DSKM100GB128DSKM145GB128DSKM150GB128DSKM200GB128DSKM300GB128DGAL斬波：SKM145GAL128DSKM300GAL128DSKM400GAL128DGAR斬波：...

Ia與Il成正比，即當(dāng)光電二極管的光電流增大時，光控晶閘管的輸出電流也相應(yīng)增大，同時Il的增大，使BGl、BG2的電流放大系數(shù)a1、a2也增大。當(dāng)al與a2之和接近l時，光控晶閘管的Ia達(dá)到**大，即完全導(dǎo)通。能使光控晶閘管導(dǎo)通的**小光照度，稱其為導(dǎo)通光照度...

圖簡單地給出了晶閘管開通和關(guān)斷過程的電壓與電流波形。圖中開通過程描述的是晶閘管門極在坐標(biāo)原點(diǎn)時刻開始受到理想階躍觸發(fā)電流觸發(fā)的情況；而關(guān)斷過程描述的是對已導(dǎo)通的晶閘管，在外電路所施加的電壓在某一時刻突然由正向變?yōu)榉聪虻那闆r（如圖中點(diǎn)劃線波形）。開通過程晶閘管的...

電容從物理學(xué)上講，它是一種靜態(tài)電荷存儲介質(zhì)，可能電荷會長久存在，這是它的特征，它的用途較廣，它是電子、電力領(lǐng)域中不可缺少的電子元件。主要用于電源濾波、信號濾波、信號耦合、諧振、濾波、補(bǔ)償、充放電、儲能、隔直流等電路中。 10uF就是106。在表示電...

斷態(tài)電壓臨界上升率du/dt：是指在額定結(jié)溫、門極開路的情況下，不能使晶閘管從斷態(tài)到通態(tài)轉(zhuǎn)換的外加電壓**大上升率。通態(tài)電流臨界上升率di/dt：指在規(guī)定條件下，晶閘管能承受的**大通態(tài)電流上升率。如果di/dt過大，在晶閘管剛開通時會有很大的電流集中在門極附...

鋁電解電容器的工作原理:具有較高的單位體積電容值，而且?guī)缀蹩捎糜谌魏坞娮酉到y(tǒng)，包括用于過濾不需要的交流頻率，以及在一些應(yīng)用中用于儲存能量。此外，由于它提供高電容值和低阻抗，因此也常用于DC-DC變換器、逆變器和電源之中。2、出于效率方面的考慮，人們一直非常關(guān)注...

電解電容其作用是：隔直流：作用是阻止直流通過而讓交流通過。旁路（去耦）：為交流電路中某些并聯(lián)的元件提供低阻抗通路。耦合：作為兩個電路之間的連接，允許交流信號通過并傳輸?shù)较乱患夒娐?。濾波：將整流以后的鋸齒波變?yōu)槠交拿}動波，接近于直流。儲能：儲存電能，用于必須要...

可控硅有多種分類方法。按關(guān)斷QS3861QG、導(dǎo)通及控制方式不同，可控硅可以分為普通單向可控硅、雙向可控硅、特種可控硅，特種可控硅又分為逆導(dǎo)型可控硅、門極關(guān)斷可控硅（GTO）、BTG可控硅、溫控可控硅及光控可控硅等多種；按電流容量大小不同，可控硅可分為大...

人們在制造工藝和結(jié)構(gòu)上采取了一些改進(jìn)措施，做出了能適應(yīng)于高頻應(yīng)用的晶閘管，我們將它稱為快速晶閘管。它具有以下幾個特點(diǎn)。一、關(guān)斷時間（toff）短導(dǎo)通的晶閘管，當(dāng)切斷正向電流時。并不能馬上“關(guān)斷”，這時如立即加上正向電壓，它還會繼續(xù)導(dǎo)通。從切斷正向電流直到控制極...