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  • 內(nèi)蒙古FUJI富士IGBT模塊國內(nèi)經(jīng)銷
    內(nèi)蒙古FUJI富士IGBT模塊國內(nèi)經(jīng)銷

    也可以用模塊中的2個半橋電路并聯(lián)構成電流規(guī)格大2倍的半橋模塊,即將分別將G1和G3、G2和G4、E1和E3、E2和E4、E1C2和E3短接。4.三相橋模塊,6in1模塊三相橋(3-Phasebridge模塊的內(nèi)部等效電流如圖5所示。圖5三相橋模塊的內(nèi)部等效電路...

    2023-11-22
  • 江蘇大功率igbt高壓可控硅(晶閘管)ABB配套
    江蘇大功率igbt高壓可控硅(晶閘管)ABB配套

    當選擇替代晶閘管,無論什么參數(shù),不要有太多的左邊距,它應該是盡可能接近的取代晶閘管的參數(shù),由于過度保證金不造成浪費,而且有時副作用,即沒有觸發(fā),或不敏感等。另外,還要留意兩個晶閘管的外形要相同,否則會給企業(yè)安裝管理工作發(fā)展帶來一些不利。晶閘管的工作原理的陽極A...

    2023-11-22
  • 江蘇B43564-S9488-M2電容型號齊全
    江蘇B43564-S9488-M2電容型號齊全

    未來鋁電解電容器的性能會隨著科技的進步更進一步的發(fā)展。700V100uf的正規(guī)電容體積通常為35*80-100MM或者50*80-96MM價位在22美元左右。套用于世界的capsun,YAMAHA音響廣出口到歐美酒店,價格1200美元到數(shù)百萬美元一套的音響價格...

    2023-11-22
  • 江蘇橋式整流二極管
    江蘇橋式整流二極管

    穩(wěn)壓源,放大器以及電子儀器的保護電路等瞬態(tài)電壓抑制二極管又稱瞬變電壓抑制二極管,雙向擊穿二極管,簡稱TVS。瞬態(tài)抑制二極管不會被擊穿,它能夠在電壓極高時降低電阻,使電流分流或控制其流向,從而保護電路元件在瞬間電壓過高的情況下不被燒毀。雙向觸發(fā)二極管又稱二端交流...

    2023-11-21
  • 大功率二極管庫存充足
    大功率二極管庫存充足

    導致VT1管進入飽和狀態(tài),VT1可能會發(fā)燒,嚴重時會燒壞VT1。如果VD1出現(xiàn)擊穿故障,會導致VT1管基極直流偏置電壓下降,三極管VT1直流工作電流減小,VT1管放大能力減小或進入截止狀態(tài)。二極管控制電路及故障處理二極管導通之后,它的正向電阻大小隨電流大小變化...

    2023-11-21
  • 山東CD138 400V4700UF電容批發(fā)采購
    山東CD138 400V4700UF電容批發(fā)采購

    法拉電容均衡板工作原理:否則電壓加在一串電容上時,由于每個電容的電容尺帶拿量不可以全部相同,每個電容行信分到的電壓也不相同,會造成有的陵搭電容電壓超過大耐壓而損壞。超級電容電池又叫黃金電容、法拉電容,它通過極化電解質(zhì)來儲能,屬于雙電層電容的一種。由于其儲能的過...

    2023-11-21
  • 天津艾賽斯可控硅二極管電子元器件
    天津艾賽斯可控硅二極管電子元器件

    二級管與三級管的區(qū)別如下:晶體二極管在電路中常用“D”加數(shù)字表示,如:D5表示編號為5的二極管。1、作用:二極管的主要特性是單向導電性,也就是在正向電壓的作用下,導通電阻很小;而在反向電壓作用下導通電阻極大或無窮大。正因為二極管具有上述特性,無繩電話機中常把它...

    2023-11-20
  • 上海CD138 400V2200UF電容代理貨源
    上海CD138 400V2200UF電容代理貨源

    超級電容器比電池更好?◆超級電容器不同于電池,在某些應用領域,它可能優(yōu)于電池。有時將兩者結合起來,將電容器的功率特性和電池的高能量存儲結合起來,不失為一種更好的途徑。◆超級電容器在其額定電壓范圍內(nèi)可以被充電至任意電位,且可以完全放出。而電池則受自身化學反應限制...

    2023-11-20
  • 河北CD138 400V13500UF電容型號齊全
    河北CD138 400V13500UF電容型號齊全

    什么是超級電容器? ◆超級電容器(supercapacitor,ultracapacitor),又叫雙電層電容器(ElectricalDoule-LayerCapacitor)、黃金電容、法拉電容,通過極化電解質(zhì)來儲能。它是一種電化學元件,但...

    2023-11-20
  • 云南低壓熔斷器德國SIBA西霸
    云南低壓熔斷器德國SIBA西霸

    [熔斷器]負荷開關與熔斷器配合使用的注意事項日期:2020-07-0808:39:22有關負荷開關與熔斷器配合使用的注意事項,熔斷器具有開斷短路電流能力,負荷開關作為負荷電流的切換,帶有撞擊器的熔斷器,配合具有脫扣裝置的負荷開關,可解決缺相運行問題。...[熔...

    2023-11-20
  • 青海igbt供應商可控硅(晶閘管)富士IGBT
    青海igbt供應商可控硅(晶閘管)富士IGBT

    它由電源變壓器、電源穩(wěn)壓電路、三相同步電路及處理模塊、數(shù)字調(diào)節(jié)器、數(shù)字觸發(fā)器、六路相互隔離的脈沖輸出電路、開關量輸入、故障及報警輸出電路、模擬量處理及A/D轉換電路、按鍵參數(shù)設定及LED指示電路等部分組成。三相晶閘管觸發(fā)板技術參數(shù)⑴主電路閥側額定工作線電壓:≤...

    2023-11-17
  • 江蘇CD138 400V10000UF電容國內(nèi)經(jīng)銷
    江蘇CD138 400V10000UF電容國內(nèi)經(jīng)銷

    有極性電容一定是電解電容嗎?電解電容與其他電容相比有什么大的區(qū)別?1、有極性的不一定都是電解電容,比如:三洋的OS-CON固體電容,也是有極性的,另外鉭電容也都是有極性的。2、電解電容區(qū)別就是內(nèi)部使用了電解液,所以為了防止過壓/過熱造成的爆漿,電解電容的頂部一...

    2023-11-17
  • 遼寧高壓igbt驅動模塊可控硅(晶閘管)Infineon全新原裝
    遼寧高壓igbt驅動模塊可控硅(晶閘管)Infineon全新原裝

    如果把左邊從下往上看的p1—N1—P2—N2部分叫做正向的話,那么右邊從下往上看的N3—P1—N1—P2部分就成為反向,它們之間正好是一正一反地并聯(lián)在一起。我們把這種聯(lián)接叫做反向并聯(lián)。因此,從電路功能上可以把它等效成圖3(c),也就是說,一個雙向晶閘管在電路中...

    2023-11-17
  • 遼寧低壓熔斷器巴斯曼熔芯現(xiàn)貨銷售
    遼寧低壓熔斷器巴斯曼熔芯現(xiàn)貨銷售

    電力熔斷器是熔斷器(fuse)的其中一種,是指當電流超過規(guī)定值時,以本身產(chǎn)生的熱量使熔體熔斷,斷開電路的一種電器。熔斷器是根據(jù)電流超過規(guī)定值一段時間后,以其自身產(chǎn)生的熱量使熔體熔化,從而使電路斷開;運用這種原理制成的一種電流保護器。熔斷器廣泛應用于高低壓配電系...

    2023-11-17
  • 河南Infineon英飛凌FF200R12KT4IGBT模塊庫存充足
    河南Infineon英飛凌FF200R12KT4IGBT模塊庫存充足

    尾流)的降低,完全取決于關斷時電荷的密度,而密度又與幾種因素有關,如摻雜質(zhì)的數(shù)量和拓撲,層次厚度和溫度。少子的衰減使集電極電流具有特征尾流波形,集電極電流引起以下問題:功耗升高;交叉導通問題,特別是在使用續(xù)流二極管的設備上,問題更加明顯。鑒于尾流與少子的重組有...

    2023-11-17
  • 福建semikron西門康二極管廠家直供
    福建semikron西門康二極管廠家直供

    二極管的正向壓降硅管約為(通常取),鍺管約為(通常取)?!ふ郫B反向特性(外加反向電壓)反向特性即二極管反向偏置時的電壓與電流的關系。反向電壓加強了內(nèi)電場對多子擴散的阻礙,多子幾乎不能形成電流,但是少子在電場的作用下漂移,形成很小的漂移電流,且與反向...

    2023-11-17
  • 云南MACMIC宏微IGBT模塊優(yōu)勢現(xiàn)貨庫存
    云南MACMIC宏微IGBT模塊優(yōu)勢現(xiàn)貨庫存

    IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽...

    2023-11-16
  • 遼寧igbt供應商可控硅(晶閘管)SCR系列
    遼寧igbt供應商可控硅(晶閘管)SCR系列

    當選擇替代晶閘管,無論什么參數(shù),不要有太多的左邊距,它應該是盡可能接近的取代晶閘管的參數(shù),由于過度保證金不造成浪費,而且有時副作用,即沒有觸發(fā),或不敏感等。另外,還要留意兩個晶閘管的外形要相同,否則會給企業(yè)安裝管理工作發(fā)展帶來一些不利。晶閘管的工作原理的陽極A...

    2023-11-16
  • 安徽CD138 400V7900UF電容國內(nèi)經(jīng)銷
    安徽CD138 400V7900UF電容國內(nèi)經(jīng)銷

    鋁電解電容器基座的用途? 電容器基座和絕緣板具體是是用在何用途的~比如電路板還是別的什么精確到行業(yè)!是不是所以的鋁電解電容器都需要基座配合使用?;?個用途:1,減震。大的電解電容體積較大,在運輸過程中會晃動,容易引起引線折斷。為此需要做的工作是加...

    2023-11-16
  • 內(nèi)蒙古低壓熔斷器Ferraz保險絲FR10GR69V2
    內(nèi)蒙古低壓熔斷器Ferraz保險絲FR10GR69V2

    所述翹邊墊片是由外展邊2-2-1和中心片2-2-2組成的一體結構,所述外展邊向左側外展,與中心片形成15~20°的夾角;所述中心片的一側設置有均勻間距的條形防滑突起2-2-3,對安裝好的熔絲起防滑作用,所述中心片中間設置有預留孔,以便螺桿穿入其中,所述預留孔孔...

    2023-11-16
  • 西藏CD138 450V5600UF電容優(yōu)勢現(xiàn)貨庫存
    西藏CD138 450V5600UF電容優(yōu)勢現(xiàn)貨庫存

    1、更換電容器:如果電容器底部的小孔太大或太多,可以考慮更換電容器。在更換電容器時,需要注意電容器的參數(shù)和規(guī)格,確保其能夠滿足電路的要求。2、封堵小孔:如果電容器底部的小孔很小,可以考慮使用膠水或其他密封材料進行封堵。在封堵小孔時,需要注意選擇合適的密封材料,...

    2023-11-16
  • 青海脈沖可控硅(晶閘管)宏微全新原裝
    青海脈沖可控硅(晶閘管)宏微全新原裝

    晶閘管和可控硅,有什么區(qū)別? 1、概念不一樣:可控硅(SiliconControlledRectifier)簡稱SCR,是一種大功率電孝改器元件,也稱晶閘管。三極管,全稱應為半導體三極管,也稱雙極型晶體管、晶體三顫慎猜極管,是一種控制電流的半導體器件...

    2023-11-16
  • 山西SanRex三社二極管
    山西SanRex三社二極管

    [4]二極管發(fā)光二極管發(fā)光二極管是一種將電能直接轉換成光能的半導體固體顯示器件,簡稱LED(LightEmittingDiode)。和普通二發(fā)光二極管極管相似,發(fā)光二極管也是由一個PN結構成。發(fā)光二極管的PN結封裝在透明塑料殼內(nèi),外形有方形、矩形和圓形等。發(fā)光...

    2023-11-16
  • 河南B43564-S9658-M1電容代理貨源
    河南B43564-S9658-M1電容代理貨源

    鋰電池的分類: 鋰離子電池的正極材料一般有如下幾種:鈷酸鋰、錳酸鋰、三原材料、磷酸鐵鋰。其中,鈷酸鋰、錳酸鋰、三原材料是已經(jīng)量產(chǎn)多年的正極材料,而磷酸鐵鋰是新型的動力電池正極材料,還沒有完全市場化。因此,如果按正極材料來命名的話,鋰離子電池可以分類為...

    2023-11-16
  • 陜西BUSSMANN低壓熔斷器
    陜西BUSSMANN低壓熔斷器

    熔斷器額定電流應大于熔體額定電流,與主電器配合確定。熔斷器主要由熔體、外殼和支座3部分組成,其中熔體是控制熔斷特性的關鍵元件。熔體的材料、尺寸和形狀決定了熔斷特性。熔體材料分為低熔點和高熔點兩類。低熔點材料如鉛和鉛合金,其熔點低容易熔斷,由于其電阻率較大,故制...

    2023-11-16
  • 江西Semikron西門康SKM100GB12T4IGBT模塊國內(nèi)經(jīng)銷
    江西Semikron西門康SKM100GB12T4IGBT模塊國內(nèi)經(jīng)銷

    怎樣檢測變頻器逆變模塊?(2)判斷IGBT極性及好壞的方法判斷IGBT極性:選擇指針萬用表R×100Ω或R×1KΩ檔分別測量IGBT的任兩個極之間的正反向電阻,其中一極與其他兩極之間的正反向電阻均為無窮大,則判定該極為IGBT的柵極(G)。測量另外兩極的正反向...

    2023-11-16
  • 上海宏微整流二極管快速發(fā)貨
    上海宏微整流二極管快速發(fā)貨

    ALC電路在錄音機、卡座的錄音卡中,錄音時要對錄音信號的大小幅度進行控制,了解下列幾點具體的控制要求有助于分析二極管VD1自動控制電路。1)在錄音信號幅度較小時,不控制錄音信號的幅度。2)當錄音信號的幅度大到一定程度后,開始對錄音信號幅度進行控制,即對信號幅度...

    2023-11-15
  • 廣東M超高速IGBT模塊優(yōu)勢現(xiàn)貨庫存
    廣東M超高速IGBT模塊優(yōu)勢現(xiàn)貨庫存

    富士IGBT智能模塊的應用電路設計富士的IGBT-IPM模塊有很多不同的系列每一系列的主電源電壓范圍各有不同,在設計時一定要考慮其應用的電壓范圍。600V系列主電源電壓和制動動作電壓都應該在400V以下,1200v系列則要在800V以下。開關時的大浪涌電壓為:...

    2023-11-15
  • 江蘇中頻爐可控硅(晶閘管)宏微全新原裝
    江蘇中頻爐可控硅(晶閘管)宏微全新原裝

    故晶閘管的陽極電流Ia≈Ic0晶閘管處于正向阻斷狀態(tài)。當晶閘管在正向陽極電壓下,從門極G流入電流Ig,由于足夠大的Ig流經(jīng)NPN管的發(fā)射結,從而提高其電流放大系數(shù)a2,產(chǎn)生足夠大的極電極電流Ic2流過PNP管的發(fā)射結,并提高了PNP管的電流放大系數(shù)a1,產(chǎn)生更...

    2023-11-15
  • 陜西ABB可控硅(晶閘管)semikron西門康全新原裝現(xiàn)貨
    陜西ABB可控硅(晶閘管)semikron西門康全新原裝現(xiàn)貨

    認識半導體晶閘管晶閘管又被稱做可控硅整流器,以前被簡稱為可控硅。1957年美國通用電氣公司開發(fā)出世界上第1款晶閘管產(chǎn)品,并于1958年將其商業(yè)化。晶閘管是PNPN四層半導體結構,形成三個PN結,分別稱:陽極,陰極和控制極。圖1晶閘管的結構晶閘管在工作過程中,它...

    2023-11-15
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