我們都知道在選擇快恢復(fù)二極管時(shí)，主要看它的正向?qū)▔航?、反向耐壓、反向漏電流等。但我們卻很少知道其在不同電流、不同反向電壓、不同環(huán)境溫度下的關(guān)系是怎樣的，在電路設(shè)計(jì)中知道這些關(guān)系對(duì)選擇合適的快恢復(fù)二極管顯得極為重要，尤其是在功率電路中。在快恢復(fù)二極管兩端加正向偏置電壓時(shí)，其內(nèi)部電場(chǎng)區(qū)域變窄，可以有較大的正向擴(kuò)散電流通過PN結(jié)。只有當(dāng)正向電壓達(dá)到某一數(shù)值（這一數(shù)值稱為“門檻電壓”，鍺管約為，硅管約為）以后，快恢復(fù)二極管才能真正導(dǎo)通。但快恢復(fù)二極管的導(dǎo)通壓降是恒定不變的嗎？它與正向擴(kuò)散電流又存在什么樣的關(guān)系？通過下圖1的測(cè)試電路在常溫下對(duì)型號(hào)為快恢復(fù)二極管進(jìn)行導(dǎo)通電流與導(dǎo)通壓降的關(guān)系測(cè)...

快恢復(fù)二極管是指反向恢復(fù)時(shí)間很短的二極管(5us以下)，工藝上多采用摻金措施，結(jié)構(gòu)上有采用PN結(jié)型結(jié)構(gòu)，有的采用改進(jìn)的PIN結(jié)構(gòu)。其正向壓降高于普通二極管(1-2V)，反向耐壓多在1200V以下。從性能上可分為快恢復(fù)和超快恢復(fù)兩個(gè)等級(jí)。前者反向恢復(fù)時(shí)間為數(shù)百納秒或更長(zhǎng)，后者則在100納秒以下。 肖特基二極管是以金屬和半導(dǎo)體接觸形成的勢(shì)壘為基礎(chǔ)的二極管，簡(jiǎn)稱肖特基二極管(Schottky Barrier Diode)，具有正向壓降低(0.4--0.5V)、反向恢復(fù)時(shí)間很短(10-40納秒)，而且反向漏電流較大，耐壓低，一般低于150V，多用于低電壓場(chǎng)合。 這兩種管子通常用于開關(guān)電源。MURB...

快速恢復(fù)整流二極管屬于整流二極管中的高頻整流二極管，之所以稱其為快速恢復(fù)二極管，這是因?yàn)槠胀ㄕ鞫O管一般工作于低頻(如市電頻率為50Hz)，其工作頻率低于3kHz，當(dāng)工作頻率在幾十至幾百kHz時(shí)，正反向電壓變化的時(shí)間慢于恢復(fù)時(shí)間，普通整流二極管就不能正常實(shí)現(xiàn)單向?qū)?，這時(shí)就要用快恢速?gòu)?fù)整流二極管。 快速恢復(fù)二極管的特點(diǎn)就是它的恢復(fù)時(shí)間很短，這一特點(diǎn)使其適合高頻(如電視機(jī)中的行頻)整流。快速恢復(fù)二極管有一個(gè)決定其性能的重要參數(shù)——反向恢復(fù)時(shí)間。反向恢復(fù)時(shí)間的定義是，二極管從正向?qū)顟B(tài)急劇轉(zhuǎn)換到截止?fàn)顟B(tài)，從輸出脈沖下降到零線開始，到反向電源恢復(fù)到IRM的10%所需要的時(shí)間，常用符號(hào)trr表示...

20世紀(jì)80年代初，絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和功率M0S場(chǎng)效應(yīng)管(P0WERM0SFET)的研制成功，并得到急劇發(fā)展和商業(yè)化，這不僅對(duì)電力電子逆變器向高頻化發(fā)展提供了堅(jiān)實(shí)的器件基礎(chǔ)，同時(shí)，為用電設(shè)備高頻化(20kHz以上)和高頻設(shè)備固態(tài)化，為高效、節(jié)電、節(jié)材，實(shí)現(xiàn)機(jī)電體化，小型輕量化和智能化提供了重要的技術(shù)基礎(chǔ)。與此同時(shí)，給IGBT,功率MOSFET等高頻逆變裝置配套的、且不可缺少的FRED也得到了很快的發(fā)展。因?yàn)?，隨著裝置工作開關(guān)頻率的提高，若沒有FRED給高頻逆變裝置的開關(guān)器件作續(xù)流、吸收、箝位、隔離輸出整流器和輸入整流器。那么IGBT、功率MOSFET、IGCT等開關(guān)器件就不...

確保模塊的出力。2)DBC基板：它是在高溫下將氧化鋁(Al2O3)或氮化鋁(AlN)基片與銅箔直接雙面鍵合而成，它有著優(yōu)良的導(dǎo)熱性、絕緣性和易焊性，并有與硅材質(zhì)較相近的熱線性膨脹系數(shù)(硅為4．2×10-6／℃，DBC為5．6×10-6／℃)，因而可以與硅芯片直接焊接，從而簡(jiǎn)化模塊焊接工藝和下降熱阻。同時(shí)，DBC基板可按功率電路單元要求刻蝕出各式各樣的圖形，以當(dāng)作主電路端子和支配端子的焊接支架，并將銅底板和電力半導(dǎo)體芯片相互電氣絕緣，使模塊有著有效值為2．5kV以上的絕緣耐壓。3)電力半導(dǎo)體芯片：超快恢復(fù)二極管(FRED)和晶閘管(SCR)芯片的PN結(jié)是玻璃鈍化保護(hù)，并在模塊制作過程中再...

GPP和OJ芯片工藝的區(qū)別就在P-N結(jié)的保護(hù)上。OJ結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品，采用涂膠保護(hù)結(jié)，然后在200度左右溫度進(jìn)行固化。保護(hù)P-N結(jié)獲得電壓。GPP結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品，芯片的P-N結(jié)是在鈍化玻璃的保護(hù)之下，玻璃是將玻璃粉采用800度左右的燒結(jié)熔化，冷卻后形成玻璃層。這玻璃層和芯片熔為一體，無法用機(jī)械的方法分開。而OJ的保護(hù)膠，是覆蓋在P-N結(jié)的表面。3．特性比較1）由于結(jié)構(gòu)的不同，當(dāng)有外界應(yīng)力產(chǎn)生（比如進(jìn)行彎角處理），器件進(jìn)行冷熱沖擊，如果塑料封裝體有漏氣，等等情況下。OJ的產(chǎn)品，其保護(hù)膠和硅片結(jié)合的不牢固，就會(huì)出現(xiàn)保護(hù)不好的情況，使器件出現(xiàn)一定比率的失效。GPP產(chǎn)品則不會(huì)出現(xiàn)類似的情況。2）GP...

肖特基二極管和快恢復(fù)二極管兩種二極管都是單向?qū)щ?，可用于整流?chǎng)合。區(qū)別是普通硅二極管的耐壓可以做得較高，但是它的恢復(fù)速度低，只能用在低頻的整流上，如果是高頻的就會(huì)因?yàn)闊o法快速恢復(fù)而發(fā)生反向漏電，將導(dǎo)致管子嚴(yán)重發(fā)熱燒毀;肖特基二極管的耐壓能常較低，但是它的恢復(fù)速度快，可以用在高頻場(chǎng)合，故開關(guān)電源采用此種二極管作為整流輸出用，盡管如此，開關(guān)電源上的整流管溫度還是很高的。快恢復(fù)二極管是指反向恢復(fù)時(shí)間很短的二極管(5us以下)，工藝上多采用摻金措施，結(jié)構(gòu)上有采用PN結(jié)型結(jié)構(gòu)，有的采用改進(jìn)的PIN結(jié)構(gòu)。其正向壓降高于普通二極管(1-2V)，反向耐壓多在1200V以下。從性能上可分為快恢復(fù)和超...

以及逆變器和焊接電源中的功率開關(guān)的保護(hù)二極管和續(xù)流二極管。2．迅速軟恢復(fù)二極管的一種方法使用緩沖層構(gòu)造明顯改善了二極管的反向恢復(fù)屬性。為了縮短二極管的反向恢復(fù)時(shí)間，提高反向回復(fù)軟度，同時(shí)使二極管具備較高的耐壓，使用了緩沖層構(gòu)造，即運(yùn)用雜質(zhì)控制技術(shù)由輕摻雜的N1區(qū)及較重?fù)诫s的N2區(qū)構(gòu)成N基區(qū)；二極管的正極使用由輕摻雜的P區(qū)與重?fù)诫s的P＋區(qū)鑲嵌構(gòu)成，該P(yáng)－P＋構(gòu)造可以操縱空穴的注入效應(yīng)，從而達(dá)到支配自調(diào)節(jié)發(fā)射效率和縮短反向回復(fù)時(shí)間的目的。圖4使用緩沖層構(gòu)造二極管示意圖芯片設(shè)計(jì)原始硅片根據(jù)二極管電壓要求，同常規(guī)低導(dǎo)通壓降二極管設(shè)計(jì)參數(shù)相同。使用正三角形P+短路點(diǎn)構(gòu)造，輕摻雜的P區(qū)表面濃度約為...

電力電子器件的緩沖電路(snubbercircuit)又稱吸收電路，它是電力電子器件的一種重要的保護(hù)電路，不僅用于半控型器件的保護(hù)，而且在全控型器件(如GTR、GTO、功率MOSFET和IGBT等)的應(yīng)用技術(shù)中起著重要的作用。晶閘管開通時(shí)，為了防止過大的電流上升率而燒壞器件，往往在主電路中串入一個(gè)扼流電感，以限制過大的di/dt，串聯(lián)電感及其配件組成了開通緩沖電路，或稱串聯(lián)緩沖電路。晶閘管關(guān)斷時(shí)，電源電壓突加在管子上，為了抑制瞬時(shí)過電壓和過大的電壓上升率，以防止晶閘管內(nèi)部流過過大的結(jié)電容電流而誤觸發(fā)，需要在晶閘管的兩端并聯(lián)一個(gè)RC網(wǎng)絡(luò)，構(gòu)成關(guān)斷緩沖電路，或稱并聯(lián)緩沖電路。IGBT的...

快恢復(fù)二極管(簡(jiǎn)稱FRD)是一種具有開關(guān)特性好、反向恢復(fù)時(shí)間短特點(diǎn)的半導(dǎo)體二極管，主要應(yīng)用于開關(guān)電源、PWM脈寬調(diào)制器、變頻器等電子電路中，作為高頻整流二極管、續(xù)流二極管或阻尼二極管使用。 快恢復(fù)二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與普通PN結(jié)二極管不同，它屬于PIN結(jié)型二極管，即在P型硅材料與N型硅材料中間增加了基區(qū)I，構(gòu)成PIN硅片。因基區(qū)很薄，反向恢復(fù)電荷很小，所以快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)時(shí)間較短，正向壓降較低，反向擊穿電壓(耐壓值)較高。采用TO–220或TO–3P封裝的大功率快恢復(fù)二極管，有單管和雙管之分。雙管的管腳引出方式又分為共陽(yáng)和共陰。MUR2060CTR是什么類型的管子？北京快恢復(fù)二極管MURB8...

其型號(hào)為MFST)，由于這種模塊與使用3～5平常整流二極管相比之下具反向回復(fù)時(shí)間(trr)短，反向回復(fù)峰值電流(IRM)小和反向回復(fù)電荷(Qrr)低的FRED，因而使變頻的噪聲減低，從而使變頻器的EMI濾波電路內(nèi)的電感和電容大小減少，價(jià)位下滑，使變頻器更易合乎國(guó)內(nèi)外抗電磁干擾(EMI)規(guī)范。1模塊的構(gòu)造及特征FRED整流橋開關(guān)模塊是由六個(gè)超快恢復(fù)二極管芯片和一個(gè)大功率高壓晶閘管芯片按一定電路連成后聯(lián)合封裝在一個(gè)PPS(加有40％玻璃纖維)外殼內(nèi)制成，模塊內(nèi)部的電聯(lián)接方法如圖1所示。圖中VD1～VD6為六個(gè)FRED芯片，互相聯(lián)成三相整流橋、晶閘管T串接在電橋的正輸出端上。圖2示出了模塊外...

繼電器并聯(lián)快恢復(fù)二極管電路形式見圖1，其作用主要是為了保護(hù)晶體管等驅(qū)動(dòng)元器件。流經(jīng)線圈的電流變化時(shí)，線圈會(huì)產(chǎn)生自激電壓來抑制電流的變化，當(dāng)線圈中的電流變化越快時(shí)，所產(chǎn)生的電壓越高。在繼電器開通到關(guān)斷的瞬間，由于線圈有電感的性質(zhì)，所以瞬間會(huì)在繼電器的線圈的低電壓端產(chǎn)生一個(gè)瞬間電壓尖峰,通常能高達(dá)數(shù)十倍的線圈額定工作電壓。當(dāng)圖中晶體管VT由導(dǎo)通變?yōu)榻刂箷r(shí)，流經(jīng)繼電器線圈的電流將迅速減小，這時(shí)線圈會(huì)產(chǎn)生很高的自感電動(dòng)勢(shì)與電源電壓疊加后加在VT的c、e兩極間，會(huì)使晶體管擊穿，并聯(lián)上快恢復(fù)二極管后，即可將線圈的自感電動(dòng)勢(shì)鉗位于快恢復(fù)二極管的正向?qū)妷?，此值硅管約，鍺管約，從而避免擊穿晶體管...

在開機(jī)的瞬間，濾波電容的電壓尚未建立，由于要對(duì)大電容充電．通過PFC電感的電流相對(duì)比較大。如果在電源開關(guān)接通的瞬間是在正弦波的最大值時(shí)，對(duì)電容充電的過程中PFC電感L有可能會(huì)出現(xiàn)磁飽和的情況，此時(shí)PFC電路工作就麻煩了，在磁飽和的情況，流過PFC開關(guān)管的電流就會(huì)失去限制，燒壞開關(guān)管。為防止悲劇發(fā)生，一種方法是對(duì)PFC電路工作的工作時(shí)序加以控制，即當(dāng)對(duì)大電容的充電完成以后，再啟動(dòng)PFC電路：另一種比較簡(jiǎn)單的辦法就是在PFC線圈到升壓二極管上并聯(lián)一只二極管旁路。啟動(dòng)的瞬間，給大電容的充電提供另一個(gè)支路，防止大電流流過PFC線圈造成飽和，過流損壞開關(guān)管，保護(hù)開關(guān)管，同時(shí)該保護(hù)二極管也分流...

這種銅底板尚存在一定弧度的焊成品，當(dāng)模塊壓裝在散熱器上時(shí)，能保證它們之間的充分接觸，有利于熱傳導(dǎo)，從而使模塊的接觸熱阻降低，有利于模塊的出力和可靠性。(3)由于FRED模塊工作于高頻(20kHZ以上)，因此，必須在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)要充分考慮消除寄生電感等問題，為此，在電磁等原理基礎(chǔ)上，充分考慮三個(gè)主電極形狀、布局和走向，同時(shí)對(duì)鍵合鋁絲長(zhǎng)短和走向也作了合適安排。以減少模塊內(nèi)部的分布電感，確保二單元的分布電感一致，從而解決模塊的噪音和發(fā)熱問題，提高裝置效率。3.主要技術(shù)參數(shù)圖3是FRED模塊導(dǎo)通和關(guān)斷期間的電流和電壓波形圖，它顯示了FRED器件從正向?qū)ǖ椒聪蚧謴?fù)的全過程。其主要關(guān)斷特性參數(shù)為：反...

快恢復(fù)二極管-ITO-220ACUF801F~UF810FVRM;100-1000V,IF;8A快恢復(fù)二極管-ITO-220ACSF1505F~SF1560FVRM;50-600V,IF;15A快恢復(fù)二極管-ITO-220ACSF1005CT~SF1060CTVRM;50-600V,IF;10A快恢復(fù)二極管-ITO-220ACMUR1001FCT~MUR1010FCTVRM;100-600V,IF;10A快恢復(fù)二極管-ITO-220ACMUR805~MUR8100VRM;50-1000V,IF;8A快恢復(fù)二極管-ITO-220ABUF1000FCT-UF1008FCTVRM;50-80...

確保模塊的出力。2)DBC基板：它是在高溫下將氧化鋁(Al2O3)或氮化鋁(AlN)基片與銅箔直接雙面鍵合而成，它有著優(yōu)良的導(dǎo)熱性、絕緣性和易焊性，并有與硅材質(zhì)較相近的熱線性膨脹系數(shù)(硅為4．2×10-6／℃，DBC為5．6×10-6／℃)，因而可以與硅芯片直接焊接，從而簡(jiǎn)化模塊焊接工藝和下降熱阻。同時(shí)，DBC基板可按功率電路單元要求刻蝕出各式各樣的圖形，以當(dāng)作主電路端子和支配端子的焊接支架，并將銅底板和電力半導(dǎo)體芯片相互電氣絕緣，使模塊有著有效值為2．5kV以上的絕緣耐壓。3)電力半導(dǎo)體芯片：超快恢復(fù)二極管(FRED)和晶閘管(SCR)芯片的PN結(jié)是玻璃鈍化保護(hù)，并在模塊制作過程中再...

并能提高產(chǎn)品質(zhì)量和勞動(dòng)生產(chǎn)率的高頻逆變裝置將逐步替代目前我國(guó)正在大量生產(chǎn)、體積龐大、效率低和對(duì)電網(wǎng)污染嚴(yán)重的晶閘管工頻電源，對(duì)加速我國(guó)電力電子產(chǎn)品的更新?lián)Q代周期將起到?jīng)Q定性作用。現(xiàn)以高頻逆變焊機(jī)和高頻逆變開關(guān)型電鍍整流裝置為例，說明FRED的應(yīng)用情況。(1))FRED模塊在高頻逆變焊機(jī)內(nèi)使用情況圖5是高頻逆變焊機(jī)的方框圖。FRED模塊主要用于輸出整流器環(huán)節(jié)和IGBT逆變器內(nèi)。為了降低高頻逆變器內(nèi)由于高的開關(guān)頻率所產(chǎn)生的諧波和波形畸變，縮小EMI濾波器的電容器和電感器的尺寸、有時(shí)，輸入橋式整流器亦采用FRED模塊，當(dāng)然采用FRED替代普通整流管作輸入三相整流橋，價(jià)格將比普通整流橋貴，但有...

電解用整流器的輸出功率極大，每個(gè)整流臂往往由十幾個(gè)乃至數(shù)十個(gè)整流元件并聯(lián)組成，均流問題十分突出。關(guān)于電流不平衡的產(chǎn)生原因和解決措施，可參看本站有關(guān)電力電子快恢復(fù)二極管串、并聯(lián)技術(shù)的文章，此處提示結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)中的一些注意點(diǎn)。1)當(dāng)并聯(lián)快恢復(fù)二極管數(shù)很多，在結(jié)構(gòu)上形成分支并聯(lián)回路時(shí)，可以將快恢復(fù)二極管按正向壓降接近程度分級(jí)分組，在可能流過較大電流的支路里，裝配正向壓降稍大的元件組。2)在快恢復(fù)二極管開通前后陽(yáng)極-陰極間電壓較高、開通后電流上升率較大時(shí)，常選用開通時(shí)間盡量一致的快恢復(fù)二極管。但由于快恢復(fù)二極管參數(shù)可選擇的自由度太小，為了經(jīng)濟(jì)和維修更換方便，常和電路補(bǔ)償方法結(jié)合使用。采用補(bǔ)償后...

下降開關(guān)速度或采用緩沖電路可以減低尖峰電壓。增加緩沖電路會(huì)增加電路成本并且使電路設(shè)計(jì)變繁復(fù)。這都是我們所不期望的。本文介紹了迅速軟恢復(fù)二極管及其模塊。該模塊電壓范圍從400V到1200V，額定電流從60A～400A不等。設(shè)計(jì)上該模塊使用外延二極管芯片，該芯片使用平面結(jié)終止結(jié)構(gòu)，玻璃鈍化(圖1)并有硅橡膠維護(hù)?；謴?fù)特點(diǎn)如圖2所示。圖1圖2快速軟恢復(fù)二極管的基區(qū)和正極之間使用緩沖層構(gòu)造，使得在空間電荷區(qū)擴(kuò)張后的剩余基區(qū)內(nèi)駐留更多的殘存電荷，并且駐留時(shí)間更長(zhǎng)，提高了二極管的軟度?？旎貜?fù)二極管的軟度由圖2定義。軟度因子反向峰值電壓由下式確定：VR為加在二極管上的反向電壓。二極管道軟度因子越大，...

其型號(hào)為MFST)，由于這種模塊與使用3～5平常整流二極管相比之下具反向回復(fù)時(shí)間(trr)短，反向回復(fù)峰值電流(IRM)小和反向回復(fù)電荷(Qrr)低的FRED，因而使變頻的噪聲減低，從而使變頻器的EMI濾波電路內(nèi)的電感和電容大小減少，價(jià)位下滑，使變頻器更易合乎國(guó)內(nèi)外抗電磁干擾(EMI)規(guī)范。1模塊的構(gòu)造及特征FRED整流橋開關(guān)模塊是由六個(gè)超快恢復(fù)二極管芯片和一個(gè)大功率高壓晶閘管芯片按一定電路連成后聯(lián)合封裝在一個(gè)PPS(加有40％玻璃纖維)外殼內(nèi)制成，模塊內(nèi)部的電聯(lián)接方法如圖1所示。圖中VD1～VD6為六個(gè)FRED芯片，互相聯(lián)成三相整流橋、晶閘管T串接在電橋的正輸出端上。圖2示出了模塊外...

緩沖電路的形式很多，如圖1所示的電路是基本的也是行之有效的一種緩沖保護(hù)電路。緩沖電路由電感LS、電容CS、電阻RS和二極管VDS組成。其中LS是串聯(lián)電感。用來限制晶體管VT開通時(shí)的電流上升率，由CS、RS、VDS構(gòu)成并聯(lián)緩沖電路，主要用來在VT關(guān)斷時(shí)限制集電極電壓Uce上升率，使大功率晶體管的工作點(diǎn)軌跡遠(yuǎn)離安全工作區(qū)的為界。當(dāng)晶體管VT開通時(shí)，直流電動(dòng)機(jī)由電源經(jīng)晶體管供電，其左端為正，右端為負(fù)，電動(dòng)機(jī)正向旋轉(zhuǎn)；當(dāng)晶體管VT關(guān)斷時(shí),由于電樞電感的影響，電樞電流不能突變，電動(dòng)機(jī)將產(chǎn)生感生電動(dòng)勢(shì)，其左端為負(fù)，右端為正，如果沒有續(xù)流二極管VD，此電動(dòng)勢(shì)將與電源電壓US相加，一起加在晶體管V...

模塊化構(gòu)造提高了產(chǎn)品的密集性、安全性和可靠性，同時(shí)也可下降設(shè)備的生產(chǎn)成本，縮短新產(chǎn)品進(jìn)入市場(chǎng)的周期，提高企業(yè)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。由于電路的聯(lián)線已在模塊內(nèi)部完成，因此，縮短了電子器件之間的連線，可實(shí)現(xiàn)優(yōu)化布線和對(duì)稱性構(gòu)造的設(shè)計(jì)，使設(shè)備線路的寄生電感和電容參數(shù)下降，有利實(shí)現(xiàn)設(shè)備的高頻化。此外，模塊化構(gòu)造與同容量分立器件構(gòu)造相比之下，還兼具體積小、重量輕、構(gòu)造連貫、外接線簡(jiǎn)便、便于維護(hù)和安裝等優(yōu)點(diǎn)，因而縮小了設(shè)備的何種，減低設(shè)備的重量和成本，且模塊的主電極端子、操縱端子和輔助端子與銅底板之間具備2．5kV以上有效值的絕緣耐壓，使之能與設(shè)備內(nèi)各種模塊一同安裝在一個(gè)接地的散熱器上，有利設(shè)備體積的更進(jìn)一...

電解用整流器的輸出功率極大，每個(gè)整流臂往往由十幾個(gè)乃至數(shù)十個(gè)整流元件并聯(lián)組成，均流問題十分突出。關(guān)于電流不平衡的產(chǎn)生原因和解決措施，可參看本站有關(guān)電力電子快恢復(fù)二極管串、并聯(lián)技術(shù)的文章，此處提示結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)中的一些注意點(diǎn)。1)當(dāng)并聯(lián)快恢復(fù)二極管數(shù)很多，在結(jié)構(gòu)上形成分支并聯(lián)回路時(shí)，可以將快恢復(fù)二極管按正向壓降接近程度分級(jí)分組，在可能流過較大電流的支路里，裝配正向壓降稍大的元件組。2)在快恢復(fù)二極管開通前后陽(yáng)極-陰極間電壓較高、開通后電流上升率較大時(shí)，常選用開通時(shí)間盡量一致的快恢復(fù)二極管。但由于快恢復(fù)二極管參數(shù)可選擇的自由度太小，為了經(jīng)濟(jì)和維修更換方便，常和電路補(bǔ)償方法結(jié)合使用。采用補(bǔ)償后...

3—二極管芯片，4一下過渡層，5—連接橋，6—主電極，61—過孔，7—絕緣體，8—軟彈性膠，9一外殼，91一定位凹槽，具體實(shí)施方式見圖1所示的非絕緣雙塔型二極管模塊，包括底板l、二極管芯片3、主電極6以及外殼9，底板1使用鍍鎳銅板或其它導(dǎo)電板，而二極管芯片3的下端面通過下過渡層4固定連接在底板1上，二極管芯片3的上端面通過上過渡層2與連結(jié)橋板5的一側(cè)固定連接，上過渡層2和下過渡層4均是能與二極管芯片3、底板1以及連通橋板5連通的鉬片、鎢片或可伐片等，通過上、下過渡層使二極管芯片3確實(shí)地與底板1和聯(lián)接橋板5連結(jié)，該連接可使用焊接或粘接等固定方法，特別是鉬片的熱膨脹系數(shù)接近于二極管芯片，減...

6)的內(nèi)側(cè)與連接橋板(5)固定連通，主電極(6)的另一側(cè)穿出外殼(9)并覆在外殼(9)頂部，且覆在外殼(9)頂部的主電極(6)上設(shè)有過孔(61)并與殼體(9)上的定位凹槽(91)對(duì)應(yīng)，下過渡層(4)、二極管芯片(3)、上過渡層(2)、連結(jié)橋板(5)、絕緣體(7)的外周以及主電極(6)的一側(cè)灌注軟彈性膠(8)密封。2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的非絕緣雙塔型二極管模塊，其特點(diǎn)在于所述的連接橋板(5)為兩端平板中部突起的梯形。3、根據(jù)權(quán)利要求1所述的非絕緣雙塔型二極管模塊，其特點(diǎn)在于所述的連接橋板(5)為兩邊平板且中部突起弓形。4、根據(jù)權(quán)利要求1所述的非絕緣雙塔型二極管模塊，其特性在于所述外殼(9...

2）快恢復(fù)、超快恢復(fù)二極管的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)快恢復(fù)二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與普通二極管不同，它是在P型、N型硅材料中間增加了基區(qū)I，構(gòu)成P-I-N硅片。由于基區(qū)很薄，反向恢復(fù)電荷很小，大大減小了trr值，還降低了瞬態(tài)正向壓降，使管子能承受很高的反向工作電壓?？旎謴?fù)二極管的反向恢復(fù)時(shí)間一般為幾百納秒，正向壓降約為，正向電流是幾安培至幾千安培，反向峰值電壓可達(dá)幾百到幾千伏。超快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)電荷進(jìn)一步減小，使其trr可低至幾十納秒。20A以下的快恢復(fù)及超快恢復(fù)二極管大多采用TO-220封裝形式。從內(nèi)部結(jié)構(gòu)看，可分成單管、對(duì)管（亦稱雙管）兩種。對(duì)管內(nèi)部包含兩只快恢復(fù)二極管，根據(jù)兩只二極管接法的不同，又...

快恢復(fù)二極管的優(yōu)點(diǎn)包括超高的開關(guān)速度、低反向恢復(fù)時(shí)間、與傳統(tǒng)二極管相比的改進(jìn)效率和降低的損耗。然而，缺點(diǎn)是當(dāng)通過添加金來增加復(fù)合中心時(shí)，它們具有較高的反向電流。 快恢復(fù)二極管的應(yīng)用包括整流器（尤其是高頻整流器）、各種工業(yè)和商業(yè)領(lǐng)域的電子電路以及汽車行業(yè)、用于檢測(cè)高頻射頻波的無線電信號(hào)檢測(cè)器，以及模擬和數(shù)字通信電路中用于整流和調(diào)制的目的。快恢復(fù)二極管之所以被稱為快恢復(fù)二極管，是因?yàn)槠浞聪蚧謴?fù)時(shí)間極短，能夠快速?gòu)姆聪蚰Ｊ角袚Q到正向模式。MUR1620CTR是什么類型的管子？山東快恢復(fù)二極管MUR2040CTR 電解用整流器的輸出功率極大，每個(gè)整流臂往往由十幾個(gè)乃至數(shù)十個(gè)整流元件并聯(lián)組成...

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繼電器并聯(lián)快恢復(fù)二極管電路形式見圖1，其作用主要是為了保護(hù)晶體管等驅(qū)動(dòng)元器件。流經(jīng)線圈的電流變化時(shí)，線圈會(huì)產(chǎn)生自激電壓來抑制電流的變化，當(dāng)線圈中的電流變化越快時(shí)，所產(chǎn)生的電壓越高。在繼電器開通到關(guān)斷的瞬間，由于線圈有電感的性質(zhì)，所以瞬間會(huì)在繼電器的線圈的低電壓端產(chǎn)生一個(gè)瞬間電壓尖峰,通常能高達(dá)數(shù)十倍的線圈額定工作電壓。當(dāng)圖中晶體管VT由導(dǎo)通變?yōu)榻刂箷r(shí)，流經(jīng)繼電器線圈的電流將迅速減小，這時(shí)線圈會(huì)產(chǎn)生很高的自感電動(dòng)勢(shì)與電源電壓疊加后加在VT的c、e兩極間，會(huì)使晶體管擊穿，并聯(lián)上快恢復(fù)二極管后，即可將線圈的自感電動(dòng)勢(shì)鉗位于快恢復(fù)二極管的正向?qū)妷海酥倒韫芗s，鍺管約，從而避免擊穿晶體管...

但由于環(huán)境的影響，特別是在濕度大或帶粉塵的環(huán)境下，往往會(huì)使觸頭毀損，另外接觸器接通和斷開時(shí)產(chǎn)生電弧，導(dǎo)致接觸器壽命縮短而毀壞，從而嚴(yán)重影響變頻器的安定精確工作。為了化解上述存在的疑問，常州瑞華電力電子器件有限公司使用FRED替代平常整流二極管，使用晶閘管替代機(jī)器接觸器，制成如圖1所示的“三相FRED整流橋開關(guān)模塊”，這種模塊用以變頻器后，能使變頻器性能提高、體積縮小、重量減輕、工作安定確實(shí)。本公司生產(chǎn)的“三相FRED整流橋開關(guān)模塊”(型號(hào)為MFST)的主要參數(shù)見表1。4結(jié)束語(yǔ)2006年常州瑞華電力電子器件有限公司研發(fā)成功的“三相整流二極管整流橋開關(guān)模塊”(型號(hào)為MDST)是由六個(gè)平常整...