深圳實時光電轉換器

來源: 發(fā)布時間:2024-02-23

雪崩光電二極管的主要用途是破壞,電纜,插頭,光纖終端,通訊電纜等,通過它可以快速捕捉和抑制電纜,插頭和光纖終端等容易破壞電路中的脈沖,從而保護電路信號的完整性。此外,由于其高速特性,雪崩光電二極管也可以應用于高速連接器和網絡設備領域,可以幫助提高設備的性能。它具有較高的電壓可編輯性,能夠滿足不同的應用要求,并可以在不同的系統(tǒng)中使用,從而極大降低成本。因此,它非常適用于PC端的低成本應用。綜上所述,雪崩光電二極管具有簡單的電路結構,高速、高抗干擾性能,自動的跳閘功能和低成本,在承受高速脈沖信號方面表現(xiàn)特別出色,是一種普遍使用的PC端特殊光電探測器。綿陽微安光電生產廠家推薦成都意科科技有限責任公司。深圳實時光電轉換器

激光二極管是一種將電能轉換為激光的半導體激光器件。發(fā)展歷史可以追溯到1962年,在近代隨著機器視覺技術和通訊技術的發(fā)展,支撐起足夠龐大的應用市場,被更多的人所了解,你又是從哪里了解到激光二極管的呢?學業(yè)上,還是工作上。結構組成和原理:激光二極管由透明蓋片、LD芯片、金屬管帽、金屬管座、Pin針、光電二極管、熱沉等結構組成。各結構的作用透明蓋片:防灰塵的LD芯片:主要作用發(fā)射激光的金屬管帽:起到保護內部結構組件金屬管座:固定內部結構組件Pin針:連接內外通電光電二極管:也叫PD,檢測激光功率,實時穩(wěn)定 功率,防止燒管作用熱沉:散熱的我們常說到激光器是由工作物質、泵浦源、光學諧振腔三大結構組成,放到激光二極管這類半導體激光器中來看,工作物質和光學諧振腔都被封裝到LD芯片中,通過銅絲連接LD芯片上的正負極提供電能。深圳實時光電轉換器成都直流光電生產廠家推薦成都意科科技有限責任公司。

為了在千兆赫茲區(qū)域獲得特別高的檢測帶寬,需要使用先進的光電二極管設計。例如,一些器件在薄的吸收部分周圍包含一個光學諧振器。通過這種方式,人們可以實現(xiàn)有效的吸收,從而獲得高的量子效率,盡管本征區(qū)的厚度相當小,這是為減少漂移時間所選擇的。所謂的波導光電二極管包含一個光波導,它將光沿著其路徑限制在吸收區(qū)。然后,該區(qū)域可以再次非常薄,盡管如此,人們可以在很短的長度內獲得有效的吸收。通過限度地減少有源區(qū)的長度,我們也可以限度地減少電容量,并達到一個非常高的帶寬。在某些情況下,電極結構被制作成形成一個電波導,其中電波可以與光波導中的光波平行傳播。這種行波光電二極管的帶寬可以達到遠遠超過100GHz。

光電二極管的基本輸出是從陰極流過器件到陽極的電流,與照度大致成線性比例。(不過請記住,光電流的大小也受入射光波長的影響——在下一篇文章中將對此進行更多介紹。)光電流通過串聯(lián)電阻或電流轉換為電壓以進行進一步的信號處理- 電壓放大器。光電流光電二極管的基本輸出是從陰極流過器件到陽極的電流,與照度大致成線性比例。(不過請記住,光電流的大小也受入射光波長的影響——在下一篇文章中將對此進行更多介紹。)光電流通過串聯(lián)電阻或電流轉換為電壓以進行進一步的信號處理- 電壓放大器。光電二極管的光電流關系的細節(jié)將根據二極管的偏置條件而變化。這是光伏模式和光電導模式之間區(qū)別的本質:在光伏實施中,光電二極管周圍的電路使陽極和陰極保持相同的電位;換句話說,二極管是零偏置的。在光電導實施中,光電二極管周圍的電路施加反向偏壓,這意味著陰極的電勢高于陽極。小信號光電生產廠家推薦成都意科科技有限責任公司。

雪崩二極管能以多種模式產生振蕩,其中主要有碰撞雪崩渡越時間( IMPA TT)模式,簡稱崩越模式。其基本工作原理是:利用半導體PN結中載流子的碰撞電離和渡越時間效應產生微波頻率下的負阻,從而產生振蕩。另一種重要的工作模式是俘獲等離子體雪崩觸發(fā)渡越時間(TRAPATT)模式,簡稱俘越模式。這種模式的工作過程是在電路中產生電壓過激以觸發(fā)器件,使二極管勢壘區(qū)充滿電子-空穴等離子體,造成器件內部電場突然降低,而等離子體在低場下逐漸漂移出勢壘區(qū)。因此這種模式工作頻率較低,但輸出功率和效率則大得多。除上述兩種主要工作模式以外,雪崩二極管還能以諧波模式、參量模式、靜態(tài)模式以及熱模式工作。成都紅外光電生產廠家推薦成都意科科技有限責任公司。廣州直流光電工程

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光電二極管是經常使用的光電探測器,它在很大程度上已經取代了以前使用的真空光管。它們是含有p-n結的半導體器件,通常在n層和p層之間還有一個內在(未摻雜)層。具有內在層的器件被稱為p-i-n或PIN光電二極管。在耗盡區(qū)或本征區(qū)吸收的光會產生電子-空穴對,其中大部分有助于產生光電流。在很寬的光功率范圍內,光電流可以相當精確地與吸收(或入射)的光強度成正比。人們在n摻雜區(qū)和p摻雜區(qū)之間有一個固有的區(qū)域,大部分的電載流子在這里產生。通過電接觸(陽極和陰極),可以獲得產生的光電流。陽極可以有一個環(huán)形,這樣光就可以通過孔注入。一個大的活性區(qū)域可以通過一個相應的大環(huán)來獲得,但這往往會增加電容,從而降低檢測帶寬,并增加暗電流;另外,如果產生的載流子離電極太遠,效率可能會下降。深圳實時光電轉換器