什么是負(fù)離子,沃壹小編給大家分析一下
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【負(fù)離子科普二】自然界中的負(fù)離子從哪里來的?
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負(fù)離子發(fā)生器的原理是什么呢?
負(fù)離子到底是什么,一般涉及到的行業(yè)、產(chǎn)品有哪些?
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關(guān)于負(fù)離子的常見十問
運(yùn)動(dòng),需要選對(duì)時(shí)間和地點(diǎn)
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江崎二極管,阻尼二極管又稱隧道二極管、穿隧效應(yīng)二極管、穿隧二極管、透納二極管,英文名稱為Tunnel Diode,它是一種可以高速切換的半導(dǎo)體二極管,其切換速度可到達(dá)微波頻率的范圍,其原理是利用量子穿隧效應(yīng)。它是以隧道效應(yīng)電流為主要電流分量的晶體二極管。江崎二極管是采用砷化鎵(GaAs)和銻化鎵(GaSb)等材料混合制成的半導(dǎo)體二極管,其優(yōu)點(diǎn)是開關(guān)特性好,速度快、工作頻率高;缺點(diǎn)是熱穩(wěn)定性較差。一般應(yīng)用于某些開關(guān)電路或高頻振蕩等電路中。二極管的原理是基于PN結(jié)的特性,其中P區(qū)富含正電荷,N區(qū)富含負(fù)電荷。蕪湖二極管廠家
反向偏置(Reverse Bias),在陽極側(cè)施加相對(duì)陰極負(fù)的電壓,就是反向偏置,所加電壓為反向偏置。這種情況下,因?yàn)镹型區(qū)域被注入空穴,P型區(qū)域被注入電子,兩個(gè)區(qū)域內(nèi)的主要載流子都變?yōu)椴蛔?,因此結(jié)合部位的耗盡層變得更寬,內(nèi)部的靜電場(chǎng)也更強(qiáng),擴(kuò)散電位也跟著變大。這個(gè)擴(kuò)散電位與外部施加的電壓互相抵銷,讓反向的電流更難以通過。更多的細(xì)節(jié)請(qǐng)參閱“PN結(jié)”條目。實(shí)際的元件雖然處于反向偏置狀態(tài),也會(huì)有微小的反向電流(漏電流、漂移電流)通過。當(dāng)反向偏置持續(xù)增加時(shí),還會(huì)發(fā)生 隧道擊穿 或 雪崩擊穿 或 崩潰 ,發(fā)生急遽的電流增加。開始產(chǎn)生這種擊穿現(xiàn)象的(反向)電壓被稱為 擊穿電壓 。超過擊穿電壓以后反向電流急遽增加的區(qū)域被稱為 擊穿區(qū) ( 崩潰區(qū) )。在擊穿區(qū)內(nèi),電流在較大的范圍內(nèi)變化而二極管反向壓降變化較小。穩(wěn)壓二極管就利用這個(gè)區(qū)域的動(dòng)作特性而制成,可以作為電壓源使用。蕪湖二極管廠家二極管的導(dǎo)通特性與P-N結(jié)有關(guān)。
二極管的誕生得益于半導(dǎo)體技術(shù),從原理上講它涉及到微觀電子學(xué),所以它的底層原理是比較復(fù)雜的,但我們實(shí)際運(yùn)用時(shí)主要在于根據(jù)我們電路的特點(diǎn)選擇合適的二極管型號(hào),所以底層原理這里沒有說明,之后在實(shí)際電子設(shè)計(jì)中再將進(jìn)一步了解。你是否還記得,很多時(shí)候你媽媽興沖沖的走到你面前,眉飛色舞的要和你說點(diǎn)啥,可是話到嘴邊卻給忘了!然后她會(huì)拍拍腦袋尷尬的說:我這二極管又短路了,雖然她老人家大概率不知道二極管到底是個(gè)啥,有什么作用,但是還是很自然的用二極管短路表達(dá)了當(dāng)前的窘境。因?yàn)槠渌项^老太太碰到這個(gè)情況都是這樣說的,而且大家都能心領(lǐng)神會(huì)!而你也一定會(huì)會(huì)心的一笑,表示理解和認(rèn)同。不好意思忘了,可是,你真的了解媽媽口中的二極管嗎?如果不了解,或者一知半解,這里我們就一起來聊一聊關(guān)于二極管的前世今生和功能作用吧!
二極管是否損壞如何判斷:單負(fù)導(dǎo)電性能的檢測(cè)及好壞的判斷,通常,鍺材料二極管的正向電阻值為1kΩ左右,反向電阻值為300左右。硅材料二極管的電阻值為5kΩ左右,反向電阻值為(無窮大)。正向電阻越小越好,反向電阻越大越好。正、反向電阻值相差越懸殊,說明二極管的單向?qū)щ娞匦栽胶?。若測(cè)得二極管的正、反向電阻值均接近0或阻值較小,則說明該二極管內(nèi)部已擊穿短路或漏電損壞。若測(cè)得二極管的正、反向電阻值均為無窮大,則說明該二極管已開路損壞。二極管是一種半導(dǎo)體器件,具有導(dǎo)通方向和截止方向的特性。
反向擊穿按機(jī)理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下,因勢(shì)壘區(qū)寬度很小,反向電壓較大時(shí),破壞了勢(shì)壘區(qū)內(nèi)共價(jià)鍵結(jié)構(gòu),使價(jià)電子脫離共價(jià)鍵束縛,產(chǎn)生電子-空穴對(duì),致使電流急劇增大,這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低,勢(shì)壘區(qū)寬度較寬,不容易產(chǎn)生齊納擊穿。雪崩擊穿,另一種擊穿為雪崩擊穿。當(dāng)反向電壓增加到較大數(shù)值時(shí),外加電場(chǎng)使電子漂移速度加快,從而與共價(jià)鍵中的價(jià)電子相碰撞,把價(jià)電子撞出共價(jià)鍵,產(chǎn)生新的電子-空穴對(duì)。新產(chǎn)生的電子-空穴被電場(chǎng)加速后又撞出其它價(jià)電子,載流子雪崩式地增加,致使電流急劇增加,這種擊穿稱為雪崩擊穿。無論哪種擊穿,若對(duì)其電流不加限制,都可能造成PN結(jié)長久性損壞。反向偏置時(shí),PN結(jié)的耗盡區(qū)增大,導(dǎo)致電流截止。蕪湖二極管廠家
二極管可用于電池充電和放電保護(hù),防止過充和過放。蕪湖二極管廠家
快恢復(fù)二極管英文名稱為Fast Recovery Diodes,簡稱FRD,是一種具有開關(guān)特性好、反向恢復(fù)時(shí)間短特點(diǎn)的半導(dǎo)體二極管,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、PWM脈寬調(diào)制器、變頻器等電子電路中,作為高頻整流二極管、續(xù)流二極管或阻尼二極管使用??旎謴?fù)二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與普通PN結(jié)二極管不同,它屬于PIN結(jié)型二極管,即在P型硅材料與N型硅材料中間增加了基區(qū)I,構(gòu)成PIN硅片。因基區(qū)很薄,反向恢復(fù)電荷很小,所以快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)時(shí)間較短,正向壓降較低,反向擊穿電壓(耐壓值)較高。快恢復(fù)二極管的外形和普通二極管相同,原理圖和PCB庫的參照整流二極管。蕪湖二極管廠家