官方光刻機試用

來源: 發(fā)布時間:2024-11-19

我們可以根據您的需求提供進行優(yōu)化的多用途系統(tǒng)。我們的掩模對準系統(tǒng)設計用于從掩模對準到鍵合對準的快速簡便轉換。此外,可以使用用于壓印光刻的可選工具集,例如UV-納米壓印光刻,熱壓印或微接觸印刷。所有系統(tǒng)均支持原位對準驗證軟件,以提高手動操作系統(tǒng)的對準精度和可重復性。EVG620NT/EVG6200NT可從手動到自動基片處理,實現(xiàn)現(xiàn)場升級。此外,所有掩模對準器都支持EVG專有的NIL技術。如果您需要納米壓印設備,請訪問岱美一起官網,或者直接聯(lián)系我們。EVG?620NT/EVG?6200NT掩模對準系統(tǒng)(自動化和半自動化)支持的晶圓尺寸:150mm/200mm。官方光刻機試用

官方光刻機試用,光刻機

EVG®610曝光源:汞光源/紫外線LED光源;楔形補償全自動軟件控制;晶圓直徑(基板尺寸)高達100/150/200毫米;曝光設定:真空接觸/硬接觸/軟接觸/接近模式;曝光選項:間隔曝光/洪水曝光/扇區(qū)曝光;先進的對準功能:手動對準/原位對準驗證手動交叉校正大間隙對準;EVG®610光刻機系統(tǒng)控制:操作系統(tǒng):Windows文件共享和備份解決方案/無限制程序和參數(shù)多語言用戶GUI和支持:CN,DE,F(xiàn)R,IT,JP,KR實時遠程訪問,診斷和故障排除使用的納米壓印光刻技術為“無紫外線”。IQ Aligner光刻機研發(fā)生產HERCULES以蕞小的占地面積結合了EVG精密對準和光刻膠處理系統(tǒng)的所有優(yōu)勢。

官方光刻機試用,光刻機

EVG®150特征:晶圓尺寸可達300毫米多達6個過程模塊可自定義的數(shù)量-多達20個烘烤/冷卻/汽化堆多達四個FOUP裝載端口或盒式磁帶裝載可用的模塊包括旋轉涂層,噴涂,NanoCoat?,顯影,烘烤/冷卻/蒸氣/上等EV集團專有的OmniSpray®超聲波霧化技術提供了****的處理結果,當涉及到極端地形的保形涂層可選的NanoSpray?模塊實現(xiàn)了300微米深圖案的保形涂層,長寬比*高為1:10,垂直側壁廣范的支持材料烘烤模塊溫度高達250°CMegasonic技術用于清潔,聲波化學處理和顯影,可提高處理效率并將處理時間從數(shù)小時縮短至數(shù)分鐘。

EVG620NT特征2:自動原點功能,用于對準鍵的精確居中具有實時偏移校正功能的動態(tài)對準功能支持蕞新的UV-LED技術返工分揀晶圓管理和靈活的盒式系統(tǒng)自動化系統(tǒng)上的手動基板裝載功能可以從半自動版本升級到全自動版本蕞小化系統(tǒng)占地面積和設施要求多用戶概念(無限數(shù)量的用戶帳戶和程序,可分配的訪問權限,不同的用戶界面語言)先進的軟件功能以及研發(fā)與權面生產之間的兼容性便捷處理和轉換重組遠程技術支持和SECS/GEM兼容性EVG620NT附加功能:鍵對準紅外對準納米壓印光刻(NIL)。光刻機的工作原理是將光刻膠涂覆在硅片上,然后將掩模放置在光刻膠上方,通過光學系統(tǒng)將光線聚焦在掩模上。

官方光刻機試用,光刻機

EVG®610曝光源:汞光源/紫外線LED光源;楔形補償全自動軟件控制;晶圓直徑(基板尺寸)高達100/150/200毫米;曝光設定:真空接觸/硬接觸/軟接觸/接近模式;曝光選項:間隔曝光/洪水曝光/扇區(qū)曝光;先進的對準功能:手動對準/原位對準驗證手動交叉校正大間隙對準;EVG®610光刻機系統(tǒng)控制:操作系統(tǒng):Windows文件共享和備份解決方案/無限制程序和參數(shù)多語言用戶GUI和支持:CN,DE,F(xiàn)R,IT,JP,KR實時遠程訪問,診斷和故障排除使用的納米壓印光刻技術是“無紫外線”。HERCULES對準精度:上側對準:≤±0.5μm;底側對準:≤±1,0μm;紅外校準:≤±2,0μm/具體取決于基材。EVG6200 NT光刻機國內代理

光刻機利用光學原理將光線聚焦在光刻膠上,通過光刻膠的曝光和顯影過程,將芯片設計圖案轉移到硅片上。官方光刻機試用

EVG®610掩模對準系統(tǒng)■晶圓規(guī)格:100mm/150mm/200mm■頂/底部對準精度達到±0.5μm/±1.0μm■用于雙面對準高/分辨率頂部和底部分裂場顯微鏡■軟件,硬件,真空和接近式曝光■自動楔形補償■鍵合對準和NIL可選■支持蕞新的UV-LED技術EVG®620NT/EVG®6200NT掩模對準系統(tǒng)(自動化和半自動化)■晶圓產品規(guī)格:150mm/200mm■接近式楔形錯誤補償■多種規(guī)格晶圓轉換時間少于5分鐘■初次印刷高達180wph/自動對準模式為140wph■可選獨力的抗震型花崗巖平臺■動態(tài)對準實時補償偏移■支持蕞新的UV-LED技術官方光刻機試用