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氮化鋁粉體制備技術發(fā)展趨勢：AlN粉體作為一種性能優(yōu)異的粉體原料，國內外研究者通過不斷的科技創(chuàng)新來解決現有工藝存在的技術問題，同時也在不斷探索新的、更高效的制備技術。在微米級AlN粉體合成方面，目前很主要的工藝仍是碳熱還原法和直接氮化法，這兩種工藝具有技術成熟、設備簡單、得到產品質量好等特點，已在工業(yè)中得到大規(guī)模應用。獲得更高純度、粒度可控、形貌均勻分散的高性能粉體是AlN制備技術的發(fā)展方向，針對不同應用領域應開發(fā)多種規(guī)格的粉體，以滿足導熱陶瓷基板、AlN單晶半導體、高純靶材、導熱填料等領域對AlN粉體原料的要求。同時，在生產中也需要對現有技術及裝備進行不斷優(yōu)化，進一步提高產品的批次穩(wěn)定性，增加產出效率，降低生產成本。結晶氮化鋁主要用于情密鑄造模殼的硬化劑，木材防腐劑，造紙施膠沉淀劑。大連片狀氧化鋁廠家直銷

氮化鋁粉體的制備工藝：原位自反應合成法：原位自反應合成法的原理與直接氮化法的原理基本類同，以鋁及其它金屬形成的合金為原料，合金中其它金屬先在高溫下熔出，與氮氣發(fā)生反應生成金屬氮化物，繼而金屬Al取代氮化物的金屬，生產AlN。其優(yōu)點是工藝簡單、原料豐富、反應溫度低，合成粉體的氧雜質含量低。其缺點是金屬雜質難以分離，導致其絕緣性能較低。等離子化學合成法：等離子化學合成法是使用直流電弧等離子發(fā)生器或高頻等離子發(fā)生器，將Al粉輸送到等離子火焰區(qū)內，在火焰高溫區(qū)內，粉末立即融化揮發(fā)，與氮離子迅速化合而成為AlN粉體。其優(yōu)點是團聚少、粒徑小。其缺點是該方法為非定態(tài)反應，只能小批量處理，難于實現工業(yè)化生產，且其氧含量高、所需設備復雜和反應不完全。衢州微米氧化鋁哪家好氮化鋁由于造價高，只能用于磨損嚴重的部位。

氮化鋁（AlN）陶瓷作為一種新型的電子器件封裝基板材料，具有熱導率高、強度高、熱膨脹系數低、介電損耗小、耐高溫及化學腐蝕，絕緣性好，而且無毒環(huán)保等優(yōu)良性能，是被國內外一致看好很具有發(fā)展前景的陶瓷材料之一。作為一種非常適合用于高功率、高引線和大尺寸芯片封裝基板材料，氮化鋁陶瓷基板的熱導率一直是行業(yè)內關注研究的難題，目前商用氮化鋁基板的熱導率距離其理論熱導率還有很大的差距，因此，在降低氮化鋁陶瓷燒結溫度的同時研制出更高熱導率的氮化鋁陶瓷基板，對于電子器件的快速發(fā)展有著重大意義。要想制備出熱導率更高的氮化鋁基板，就要從其導熱原理出發(fā)，探究究竟哪些因素影響了熱導率。

氮化鋁于1877年合成。至1980年代，因氮化鋁是一種陶瓷絕緣體(聚晶體物料為 70-210 W?m?1?K?1，而單晶體更可高達 275 W?m?1?K?1 )，使氮化鋁有較高的傳熱能力，至使氮化鋁被大量應用于微電子學。與氧化鈹不同的是氮化鋁無毒。氮化鋁用金屬處理，能取代礬土及氧化鈹用于大量電子儀器。氮化鋁可通過氧化鋁和碳的還原作用或直接氮化金屬鋁來制備。氮化鋁是一種以共價鍵相連的物質，它有六角晶體結構，與硫化鋅、纖維鋅礦同形。此結構的空間組為P63mc。要以熱壓及焊接式才可制造出工業(yè)級的物料。物質在惰性的高溫環(huán)境中非常穩(wěn)定。在空氣中，溫度高于700℃時，物質表面會發(fā)生氧化作用。在室溫下，物質表面仍能探測到5-10納米厚的氧化物薄膜。直至1370℃，氧化物薄膜仍可保護物質。但當溫度高于1370℃時，便會發(fā)生大量氧化作用。直至980℃，氮化鋁在氫氣及二氧化碳中仍相當穩(wěn)定。礦物酸通過侵襲粒狀物質的界限使它慢慢溶解，而強堿則通過侵襲粒狀氮化鋁使它溶解。物質在水中會慢慢水解。氮化鋁可以抵抗大部分融解的鹽的侵襲，包括氯化物及冰晶石〔即六氟鋁酸鈉〕。氮化鋁可以抵抗大部分融解的鹽的侵襲，包括氯化物及冰晶石〔即六氟鋁酸鈉〕。

氮化鋁陶瓷的流延成型：料漿均勻流到或涂到支撐板上，或用刀片均勻的刷到支撐面上，形成漿膜，經干燥形成一定厚度的均勻的素坯膜的一種料漿成型方法。流延成型工藝包括漿料制備、流延成型、干燥及基帶脫離等過程。溶劑和分散劑，高固相含量的流延漿料是流延成型制備高性能氮化鋁陶瓷的關鍵因素之一。溶劑和分散劑是高固相含量的流延漿料的關鍵。溶劑必須滿足以下條件：必須與其他添加成分相溶，如分散劑、粘結劑和增塑劑等；化學性質穩(wěn)定，不與粉料發(fā)生化學反應；對粉料顆粒的潤濕性能好；易于揮發(fā)與燒除；使用安全、衛(wèi)生且對環(huán)境污染小。坯體強度高、坯體整體均勻性好、可做近凈尺寸成型、適于制備復雜形狀陶瓷部件和工業(yè)化推廣、無排膠困難、成本低等。氮化鋁具有高絕緣耐壓、熱膨脹系數、與硅匹配好等特性，不但用作結構陶瓷的燒結助劑或增強相。廣州電絕緣氧化鋁廠家

在氮化鋁一系列重要的性質中，很為明顯的是高的熱導率。大連片狀氧化鋁廠家直銷

氮化鋁陶瓷基板作為一種新型陶瓷基板，具有導熱效率高、力學性能好、耐腐蝕、電性能優(yōu)、可焊接等特點，是理想的大規(guī)模集成電路散熱基板和封裝材料。作為DPC、DBC、AMB等陶瓷覆銅板的陶瓷基板之一，氮化鋁陶瓷基板用量十分巨大。因制備難度較大，目前國內氮化鋁陶瓷基板仍以進口為主。氮化鋁具有六方纖鋅礦晶體結構，具有密度低、強度高、耐熱性好、導熱系數高、耐腐蝕等優(yōu)點。由于鋁和氮的原子序數小，氮化鋁本身具有很高的熱導率，其理論熱導率可達319W/m·K。然而，在實際產品中，氮化鋁的晶體結構不能完全均均勻分布，并且存在許多雜質和缺陷，使得其熱導率低至170-230W/m·K。大連片狀氧化鋁廠家直銷