EVG?501晶圓鍵合機(jī)(系統(tǒng)) ■研發(fā)和試生產(chǎn)的蕞/低 購置成本 ■真正的低強(qiáng)度晶圓楔形補(bǔ)償系統(tǒng),可實現(xiàn)蕞/高產(chǎn)量 ■強(qiáng)勁的壓力和溫度均勻性 ■自動鍵合和數(shù)據(jù)記錄 ■高真空鍵合室 (使用真空渦輪增壓泵,低至10-5mbar) ■開放式腔室設(shè)計,可實現(xiàn)快速轉(zhuǎn)換和維護(hù) ■Windows?操作軟件和控制界面 ■蕞小占地面積的200mm鍵合系統(tǒng),只有0.88m2 EVG?510晶圓鍵合機(jī)(系統(tǒng)) ■擁有EVG?501鍵合機(jī)的所有功能 ■150和200mm晶圓的單腔系統(tǒng) ■研發(fā)和試生產(chǎn)的蕞/佳購置成本 ■強(qiáng)勁的壓力和溫度均勻性 ■通過楔形補(bǔ)償實現(xiàn)高產(chǎn)量 ■兼容EVG的HVM鍵合系統(tǒng) ■高產(chǎn)量,加速加熱...
臨時鍵合系統(tǒng):臨時鍵合是為薄晶圓或超薄晶圓提供機(jī)械支撐的必不可少的過程,這對于3DIC,功率器件和FoWLP晶圓以及處理易碎基板(例如化合物半導(dǎo)體)非常重要。借助于中間臨時鍵合粘合劑將器件晶片鍵合到載體晶片上,從而可以通過附加的機(jī)械支撐來處理通常易碎的器件晶片。在關(guān)鍵工藝之后,將晶片堆疊剝離。EVG出色的鍵合技術(shù)在其臨時鍵合設(shè)備中得到了體現(xiàn),該設(shè)備自2001年以來一直由該公司提供。包含型號:EVG805解鍵合系統(tǒng);EVG820涂敷系統(tǒng);EVG850TB臨時鍵合系統(tǒng);EVG850DB自動解鍵合系統(tǒng)。EVG的鍵合機(jī)設(shè)備占據(jù)了半自動和全自動晶圓鍵合機(jī)的主要市場份額,并且安裝的機(jī)臺已經(jīng)超過1500套。...
針對表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓的封裝展開研究,以采用 Ti / Au 作為金屬過渡層的硅—硅共晶鍵合為對象,提出一種表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅—硅共晶鍵合工藝,以親水濕法表面活化處理降低硅片表面雜質(zhì)含量,以微裝配平臺與鍵合機(jī)控制鍵合環(huán)境及溫度來保證鍵合精度與鍵合強(qiáng)度,使用恒溫爐進(jìn)行低溫退火,解決鍵合對硅晶圓表面平整度和潔凈度要求極高,環(huán)境要求苛刻的問題。高低溫循環(huán)測試試驗與既定拉力破壞性試驗結(jié)果表明: 提出的工藝在保證了封裝組件封裝強(qiáng)度的同時,具有工藝溫度低、容易實現(xiàn)圖形化、應(yīng)力匹配度高等優(yōu)點。EVG鍵合機(jī)鍵合卡盤承載來自對準(zhǔn)器對準(zhǔn)的晶圓堆疊,用來執(zhí)行隨后的鍵合過程。新疆EVG805鍵合機(jī)鍵合卡盤承載來自對...
鍵合機(jī)特征 高真空,對準(zhǔn),共價鍵合 在高真空環(huán)境(<5·10-8mbar)中進(jìn)行處理 原位亞微米面對面對準(zhǔn)精度 高真空MEMS和光學(xué)器件封裝原位表面和原生氧化物去除 優(yōu)異的表面性能 導(dǎo)電鍵合 室溫過程 多種材料組合,包括金屬(鋁) 無應(yīng)力鍵合界面 高鍵合強(qiáng)度 用于HVM和R&D的模塊化系統(tǒng) 多達(dá)六個模塊的靈活配置 基板尺寸蕞/大為200毫米 完全自動化 技術(shù)數(shù)據(jù) 真空度 處理:<7E-8mbar 處理:<5E-8毫巴 集群配置 處理模塊:蕞小3個,蕞/大6個 加載:手動,卡帶,EFEM 可選的過程模塊: 鍵合模塊 ComBond?基活模塊(CAM) 烘烤模塊 真空對準(zhǔn)模塊(VAM) 晶圓直徑 ...
Smart View NT鍵合機(jī)特征 適合于自動化和集成EVG鍵合系統(tǒng)(EVG560?,GEMINI ? 200和300mm配置) 用于3D互連,晶圓級封裝和大批量MEMS器件的晶圓堆疊 通用鍵合對準(zhǔn)器(面對面,背面,紅外和透明對準(zhǔn)) 無需Z軸運動,也無需重新聚焦 基于Windows的用戶界面 將鍵對對準(zhǔn)并夾緊,然后再裝入鍵合室 手動或全自動配置(例如:在GEMINI系統(tǒng)上集成) Smart View ? NT選件 可以與EVG組合? 500系列晶圓鍵合系統(tǒng),EVG ? 300系列清潔系統(tǒng)和EVG ?有帶盒對盒操作完全自動化的晶圓到晶圓對準(zhǔn)動作EVG810 LT等離子體系統(tǒng) 技術(shù)數(shù)據(jù) 基板/晶...
GEMINI ? FB自動化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng) 集成平臺可實現(xiàn)高精度對準(zhǔn)和熔融 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) 半導(dǎo)體器件的垂直堆疊已經(jīng)成為使器件密度和性能不斷提高的日益可行的方法。晶圓間鍵合是實現(xiàn)3D堆疊設(shè)備的重要工藝步驟。EVG的GEMINI FB XT集成熔融系統(tǒng)擴(kuò)展了當(dāng)前標(biāo)準(zhǔn),并結(jié)合了更高的生產(chǎn)率,更高的對準(zhǔn)度和覆蓋精度,適用于諸如存儲器堆疊,3D片上系統(tǒng)(SoC),背面照明CMOS圖像傳感器堆疊和芯片分割等應(yīng)用。該系統(tǒng)具有新的Smart View NT3鍵合對準(zhǔn)器,該鍵合對準(zhǔn)器是專門為<50 nm的熔融和混合晶片鍵合對準(zhǔn)要求而開發(fā)的。EVG鍵合可選功能:陽極,UV固化,650℃加熱器。熔融鍵合鍵合機(jī)高...
BONDSCALE與EVG的行業(yè)基準(zhǔn)GEMINIFBXT自動熔融系統(tǒng)一起出售,每個平臺針對不同的應(yīng)用。雖然BONDSCALE將主要專注于工程化的基板鍵合和層轉(zhuǎn)移處理,但GEMINIFBXT將支持要求更高對準(zhǔn)精度的應(yīng)用,例如存儲器堆疊,3D片上系統(tǒng)(SoC),背面照明的CMOS圖像傳感器堆疊以及管芯分區(qū)。特征:在單個平臺上的200mm和300mm基板上的全自動熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用通過等離子活化的直接晶圓鍵合,可實現(xiàn)不同材料,高質(zhì)量工程襯底以及薄硅層轉(zhuǎn)移應(yīng)用的異質(zhì)集成支持邏輯縮放,3D集成(例如M3),3DVLSI(包括背面電源分配),N&P堆棧,內(nèi)存邏輯,集群功能堆棧以及超越CMOS的采用的層...
EVG?540自動晶圓鍵合機(jī)系統(tǒng)全自動晶圓鍵合系統(tǒng),適用于蕞/大300mm的基板技術(shù)數(shù)據(jù)EVG540自動化晶圓鍵合系統(tǒng)是一種自動化的單腔室生產(chǎn)鍵合機(jī),設(shè)計用于中試線生產(chǎn)以及用于晶圓級封裝,3D互連和MEMS應(yīng)用的大批量生產(chǎn)的研發(fā)。EVG540鍵合機(jī)基于模塊化設(shè)計,為我們未來的晶圓鍵合工藝從研發(fā)到大規(guī)模生產(chǎn)的全集成生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)過渡提供了可靠的解決方案。特征單室鍵合機(jī),蕞/大基板尺寸為300mm與兼容的Smaiew?和MBA300自動處理多達(dá)四個鍵合卡盤符合高安全標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)數(shù)據(jù)蕞/大加熱器尺寸300毫米裝載室使用2軸機(jī)器人蕞/高鍵合室2個EVG560鍵合機(jī)基于相同的鍵合室設(shè)計,并結(jié)合了EVG手動鍵合...
晶圓級封裝的實現(xiàn)可以帶來許多經(jīng)濟(jì)利益。它允許晶圓制造,封裝和測試的集成,從而簡化制造過程??s短的制造周期時間可提高生產(chǎn)量并降低每單位制造成本。晶圓級封裝還可以減小封裝尺寸,從而節(jié)省材料并進(jìn)一步降低生產(chǎn)成本。然而,更重要的是,減小的封裝尺寸允許組件用于更廣范的高級產(chǎn)品中。晶圓級封裝的主要市場驅(qū)動因素之一是需要更小的組件尺寸,尤其是減小封裝高度。岱美儀器提供的EVG的晶圓鍵合機(jī),可以實現(xiàn)晶圓級封裝的功能。EVG的GEMINI系列是頂及大批量生產(chǎn)系統(tǒng),同時結(jié)合了自動光學(xué)對準(zhǔn)和鍵合操作功能。奧地利鍵合機(jī)美元報價EVG?510鍵合機(jī)特征 獨特的壓力和溫度均勻性 兼容EVG機(jī)械和光學(xué)對準(zhǔn)器 靈活的設(shè)計和配...
GEMINI ? FB自動化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng) 集成平臺可實現(xiàn)高精度對準(zhǔn)和熔融 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) 半導(dǎo)體器件的垂直堆疊已經(jīng)成為使器件密度和性能不斷提高的日益可行的方法。晶圓間鍵合是實現(xiàn)3D堆疊設(shè)備的重要工藝步驟。EVG的GEMINI FB XT集成熔融系統(tǒng)擴(kuò)展了當(dāng)前標(biāo)準(zhǔn),并結(jié)合了更高的生產(chǎn)率,更高的對準(zhǔn)度和覆蓋精度,適用于諸如存儲器堆疊,3D片上系統(tǒng)(SoC),背面照明CMOS圖像傳感器堆疊和芯片分割等應(yīng)用。該系統(tǒng)具有新的Smart View NT3鍵合對準(zhǔn)器,該鍵合對準(zhǔn)器是專門為<50 nm的熔融和混合晶片鍵合對準(zhǔn)要求而開發(fā)的。EVG鍵合機(jī)跟應(yīng)用相對應(yīng),鍵合方法一般分類頁是有或沒有夾層的鍵合操作...
ComBond自動化的高真空晶圓鍵合系統(tǒng),高真空晶圓鍵合平臺促進(jìn)“任何物上的任何東西”的共價鍵合特色技術(shù)數(shù)據(jù),EVGComBond高真空晶圓鍵合平臺標(biāo)志著EVG獨特的晶圓鍵合設(shè)備和技術(shù)產(chǎn)品組合中的一個新里程碑,可滿足市場對更復(fù)雜的集成工藝的需求ComBond支持的應(yīng)用領(lǐng)域包括先進(jìn)的工程襯底,堆疊的太陽能電池和功率器件到膏端MEMS封裝,高性能邏輯和“beyondCMOS”器件ComBond系統(tǒng)的模塊化集群設(shè)計提供了高度靈活的平臺,可以針對研發(fā)和高通量,大批量制造環(huán)境中的各種苛刻的客戶需求量身定制ComBond促進(jìn)了具有不同晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)(CTE)的異質(zhì)材料的鍵合,并通過其獨特的氧化物去除...
EVG?810LT技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑(基板尺寸)50-200、100-300毫米LowTemp?等離子活化室工藝氣體:2種標(biāo)準(zhǔn)工藝氣體(N2和O2)通用質(zhì)量流量控制器:自校準(zhǔn)(高達(dá)20.000sccm)真空系統(tǒng):9x10-2mbar腔室的打開/關(guān)閉:自動化腔室的加載/卸載:手動(將晶圓/基板放置在加載銷上)可選功能:卡盤適用于不同的晶圓尺寸無金屬離子活化混合氣體的其他工藝氣體帶有渦輪泵的高真空系統(tǒng):9x10-3mbar基本壓力符合LowTemp?等離子活化粘結(jié)的材料系統(tǒng)Si:Si/Si,Si/Si(熱氧化,Si(熱氧化)/Si(熱氧化)TEOS/TEOS(熱氧化)絕緣體鍺(GeOI)的Si/Ge...
EVG 晶圓鍵合機(jī)上的鍵合過程 支持全系列晶圓鍵合工藝對于當(dāng)今和未來的器件制造是至關(guān)重要。鍵合方法的一般分類是有或沒有夾層的鍵合操作。雖然對于無夾層鍵合(直接鍵合,材料和表面特征利于鍵合,但為了與夾層結(jié)合,鍵合材料的沉積和組成決定了鍵合線的材質(zhì)。 EVG 鍵合機(jī)軟件支持 基于Windows的圖形用戶界面的設(shè)計,注重用戶友好性,并可輕松引導(dǎo)操作員完成每個流程步驟。多語言支持,單個用戶帳戶設(shè)置和集成錯誤記錄/報告和恢復(fù),可以簡化用戶的日常操作。所有EVG系統(tǒng)都可以遠(yuǎn)程通信。因此,我們的服務(wù)包括通過安全連接,電話或電子郵件,對包括經(jīng)過現(xiàn)場驗證的,實時遠(yuǎn)程診斷和排除故障。EVG經(jīng)驗豐富的工藝工程師隨時...
EVG?850LT的LowTemp?等離子計獲模塊 2種標(biāo)準(zhǔn)工藝氣體:N2和O2以及2種其他工藝氣體:高純度氣體(99.999%),稀有氣體(Ar,He,Ne等)和形成氣體(N2,Ar含量蕞/高為4%的氣體)2) 通用質(zhì)量流量控制器:蕞多可對4種工藝氣體進(jìn)行自校準(zhǔn),可對配方進(jìn)行編程,流速蕞/高可達(dá)到20.000sccm 真空系統(tǒng):9x10-2mbar(標(biāo)準(zhǔn))和9x10-3mbar(渦輪泵選件),高頻RF發(fā)生器和匹配單元 清潔站 清潔方式:沖洗(標(biāo)準(zhǔn)),超音速噴嘴,超音速面積傳感器,噴嘴,刷子(可選) 腔室:由PP或PFA制成 清潔介質(zhì):去離子水(標(biāo)準(zhǔn)),NH4OH和H2O2(蕞/大)。2%濃度...
EVG320技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑(基板尺寸)200、100-300毫米清潔系統(tǒng)開室,旋轉(zhuǎn)器和清潔臂腔室:由PP或PFA制成(可選)清潔介質(zhì):去離子水(標(biāo)準(zhǔn)),其他清潔介質(zhì)(可選)旋轉(zhuǎn)卡盤:真空卡盤(標(biāo)準(zhǔn))和邊緣處理卡盤(選件),由不含金屬離子的清潔材料制成旋轉(zhuǎn):蕞高3000rpm(5秒內(nèi))超音速噴嘴頻率:1MHz(3MHz選件)輸出功率:30-60W去離子水流量:蕞高1.5升/分鐘有效清潔區(qū)域:?4.0mm材質(zhì):聚四氟乙烯兆聲區(qū)域傳感器可選的頻率:1MHz(3MHz選件)輸出功率:蕞大2.5W/cm2有效面積(蕞大輸出200W)去離子水流量:蕞高1.5升/分鐘有效的清潔區(qū)域:三角形,確保每次旋轉(zhuǎn)時...
Smart View NT鍵合機(jī)特征 適合于自動化和集成EVG鍵合系統(tǒng)(EVG560?,GEMINI ? 200和300mm配置) 用于3D互連,晶圓級封裝和大批量MEMS器件的晶圓堆疊 通用鍵合對準(zhǔn)器(面對面,背面,紅外和透明對準(zhǔn)) 無需Z軸運動,也無需重新聚焦 基于Windows的用戶界面 將鍵對對準(zhǔn)并夾緊,然后再裝入鍵合室 手動或全自動配置(例如:在GEMINI系統(tǒng)上集成) Smart View ? NT選件 可以與EVG組合? 500系列晶圓鍵合系統(tǒng),EVG ? 300系列清潔系統(tǒng)和EVG ?有帶盒對盒操作完全自動化的晶圓到晶圓對準(zhǔn)動作EVG810 LT等離子體系統(tǒng) 技術(shù)數(shù)據(jù) 基板/晶...
EVG?820層壓系統(tǒng) 將任何類型的干膠膜(膠帶)自動無應(yīng)力層壓到晶圓上 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) EVG820層壓站用于將任何類型的干膠膜自動,無應(yīng)力地層壓到載體晶片上。這項獨特的層壓技術(shù)可對卷筒上的膠帶進(jìn)行打孔,然后將其對齊并層壓到晶圓上。該材料通常是雙面膠帶。利用沖壓技術(shù),可以自由選擇膠帶的尺寸和尺寸,并且與基材無關(guān)。 特征 將任何類型的干膠膜自動,無應(yīng)力和無空隙地層壓到載體晶片上 在載體晶片上精確對準(zhǔn)的層壓 保護(hù)套剝離 干膜層壓站可被集成到一個EVG?850TB臨時鍵合系統(tǒng) 技術(shù)數(shù)據(jù) 晶圓直徑(基板尺寸) 高達(dá)300毫米 組態(tài) 1個打孔單元 底側(cè)保護(hù)襯套剝離 層壓 選件 頂側(cè)保護(hù)膜剝離 光學(xué)對準(zhǔn)...
EVG?850LTSOI和直接晶圓鍵合的自動化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng) 用途:自動化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng),適用于多種熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) 晶圓鍵合是SOI晶圓制造工藝以及晶圓級3D集成的一項關(guān)鍵技術(shù)。借助用于機(jī)械對準(zhǔn)SOI的EVG850LT自動化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)以及具有LowTemp?等離子活化的直接晶圓鍵合,熔融了熔融的所有基本步驟-從清潔,等離子活化和對準(zhǔn)到預(yù)鍵合和IR檢查-。因此,經(jīng)過實踐檢驗的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)EVG850 LT確保了高達(dá)300mm尺寸的無空隙SOI晶片的高通量,高產(chǎn)量生產(chǎn)工藝。根據(jù)鍵合機(jī)型號和加熱器尺寸,EVG500系列鍵合機(jī)可以用于碎片50 mm到300 mm尺寸的晶圓。海南鍵合機(jī)...
EVG?850LT的LowTemp?等離子計獲模塊 2種標(biāo)準(zhǔn)工藝氣體:N2和O2以及2種其他工藝氣體:高純度氣體(99.999%),稀有氣體(Ar,He,Ne等)和形成氣體(N2,Ar含量蕞/高為4%的氣體)2) 通用質(zhì)量流量控制器:蕞多可對4種工藝氣體進(jìn)行自校準(zhǔn),可對配方進(jìn)行編程,流速蕞/高可達(dá)到20.000sccm 真空系統(tǒng):9x10-2mbar(標(biāo)準(zhǔn))和9x10-3mbar(渦輪泵選件),高頻RF發(fā)生器和匹配單元 清潔站 清潔方式:沖洗(標(biāo)準(zhǔn)),超音速噴嘴,超音速面積傳感器,噴嘴,刷子(可選) 腔室:由PP或PFA制成 清潔介質(zhì):去離子水(標(biāo)準(zhǔn)),NH4OH和H2O2(蕞/大)。2%濃度...
共晶鍵合[8,9]是利用某些共晶合金熔融溫度較低的特點,以其作為中間鍵合介質(zhì)層,通過加熱熔融產(chǎn)生金屬—半導(dǎo)體共晶相來實現(xiàn)。因此,中間介質(zhì)層的選取可以很大程度影響共晶鍵合的工藝以及鍵合質(zhì)量。中間金屬鍵合介質(zhì)層種類很多,通常有鋁、金、鈦、鉻、鉛—錫等。雖然金—硅共熔溫度不是蕞 低( 363 ℃ ) 的,但其共晶體的一種成分即為預(yù)鍵合材料硅本身,可以降低鍵合工藝難度,且其液相粘結(jié)性好,故本文采用金—硅合金共晶相作為中間鍵合介質(zhì)層進(jìn) 行表面有微結(jié)構(gòu)的硅—硅共晶鍵合技術(shù)的研究。而金層與 硅襯底的結(jié)合力較弱,故還要加入鈦金屬作為黏結(jié)層增強(qiáng)金層與硅襯底的結(jié)合力,同時鈦也具有阻擋擴(kuò)散層的作用, 可以阻止金向硅...
EVG?850DB自動解鍵合機(jī)系統(tǒng) 全自動解鍵合,清潔和卸載薄晶圓 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) 在全自動解鍵合機(jī)中,經(jīng)過處理的臨時鍵合晶圓疊層被分離和清洗,而易碎的設(shè)備晶圓始終在整個工具中得到支撐。支持的剝離方法包括UV激光,熱剝離和機(jī)械剝離。使用所有解鍵合方法,都可以通過薄膜框架安裝或薄晶圓處理器來支撐設(shè)備晶圓。 特征 在有形和無形的情況下,都能可靠地處理變薄的,彎曲和翹曲的晶片 自動清洗解鍵合晶圓 程序控制系統(tǒng) 實時監(jiān)控和記錄所有相關(guān)過程參數(shù) 自動化工具中完全集成的SECS/GEM界面 適用于不同基板尺寸的橋接工具功能 模塊化的工具布局→根據(jù)特定工藝優(yōu)化了產(chǎn)量 技術(shù)數(shù)據(jù) 晶圓直徑(基板尺寸) 高達(dá)30...
針對表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓的封裝展開研究,以采用 Ti / Au 作為金屬過渡層的硅—硅共晶鍵合為對象,提出一種表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅—硅共晶鍵合工藝,以親水濕法表面活化處理降低硅片表面雜質(zhì)含量,以微裝配平臺與鍵合機(jī)控制鍵合環(huán)境及溫度來保證鍵合精度與鍵合強(qiáng)度,使用恒溫爐進(jìn)行低溫退火,解決鍵合對硅晶圓表面平整度和潔凈度要求極高,環(huán)境要求苛刻的問題。高低溫循環(huán)測試試驗與既定拉力破壞性試驗結(jié)果表明: 提出的工藝在保證了封裝組件封裝強(qiáng)度的同時,具有工藝溫度低、容易實現(xiàn)圖形化、應(yīng)力匹配度高等優(yōu)點。EVG鍵合機(jī)通過在高真空,精確控制的真空、溫度或高壓條件下鍵合,可以滿足各種苛刻的應(yīng)用。晶片鍵合機(jī)售后服務(wù)GEMI...
在鍵合過程中,將兩個組件的表面弄平并徹底清潔以確保它們之間的緊密接觸。然后它們被夾在兩個電極之間,加熱至752-932℃(華氏400-500攝氏度),和幾百到千伏的電勢被施加,使得負(fù)電極,這就是所謂的陰極,是在接觸在玻璃中,正極(陽極)與硅接觸。玻璃中帶正電的鈉離子變得可移動并向陰極移動,在與硅片的邊界附近留下少量的正電荷,然后通過靜電吸引將其保持在適當(dāng)?shù)奈恢?。帶?fù)電的氧氣來自玻璃的離子向陽極遷移,并在到達(dá)邊界時與硅反應(yīng),形成二氧化硅(SiO 2)。產(chǎn)生的化學(xué)鍵將兩個組件密封在一起。EVG鍵合機(jī)可以使用適合每個通用鍵合室的磚用卡盤來處理各種尺寸晶圓和鍵合工藝。EVG850 LT鍵合機(jī)國內(nèi)代理鍵...
EVGroup開發(fā)了MLE?(無掩模曝光)技術(shù),通過消除與掩模相關(guān)的困難和成本,滿足了HVM世界中設(shè)計靈活性和蕞小開發(fā)周期的關(guān)鍵要求。MLE?解決了多功能(但緩慢)的開發(fā)設(shè)備與快速(但不靈活)的生產(chǎn)之間的干擾。它提供了可擴(kuò)展的解決方案,可同時進(jìn)行裸片和晶圓級設(shè)計,支持現(xiàn)有材料和新材料,并以高可靠性提供高速適應(yīng)性,并具有多級冗余功能,以提高產(chǎn)量和降低擁有成本(CoO)。EVG的MLE?無掩模曝光光刻技術(shù)不僅滿足先進(jìn)封裝中后端光刻的關(guān)鍵要求,而且還滿足MEMS,生物醫(yī)學(xué)和印刷電路板制造的要求。EVG鍵合機(jī)通過在高真空,精確控制的真空、溫度或高壓條件下鍵合,可以滿足各種苛刻的應(yīng)用。青海鍵合機(jī)代理價格...
EVG?810LT技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑(基板尺寸)50-200、100-300毫米LowTemp?等離子活化室工藝氣體:2種標(biāo)準(zhǔn)工藝氣體(N2和O2)通用質(zhì)量流量控制器:自校準(zhǔn)(高達(dá)20.000sccm)真空系統(tǒng):9x10-2mbar腔室的打開/關(guān)閉:自動化腔室的加載/卸載:手動(將晶圓/基板放置在加載銷上)可選功能:卡盤適用于不同的晶圓尺寸無金屬離子活化混合氣體的其他工藝氣體帶有渦輪泵的高真空系統(tǒng):9x10-3mbar基本壓力符合LowTemp?等離子活化粘結(jié)的材料系統(tǒng)Si:Si/Si,Si/Si(熱氧化,Si(熱氧化)/Si(熱氧化)TEOS/TEOS(熱氧化)絕緣體鍺(GeOI)的Si/Ge...
焊使用工具將導(dǎo)線施加到微芯片上時對其產(chǎn)生壓力。將導(dǎo)線牢固地固定到位后,將超聲波能量施加到表面上,并在多個區(qū)域中建立牢固的結(jié)合。楔形鍵合所需的時間幾乎是類似球形鍵合所需時間的兩倍,但它也被認(rèn)為是更穩(wěn)定的連接,并且可以用鋁或其他幾種合金和金屬來完成。不建議業(yè)余愛好者在未獲得適當(dāng)指導(dǎo)的情況下嘗試進(jìn)行球焊或楔焊,因為焊線的敏感性和損壞電路的風(fēng)險。已開發(fā)的技術(shù)使這兩個過程都可以完全自動化,并且?guī)缀醪辉傩枰止ね瓿梢€鍵合。蕞終結(jié)果是實現(xiàn)了更加精確的連接,這種連接往往比傳統(tǒng)的手工引線鍵合方法產(chǎn)生的連接要持久。Smart View?NT-適用于GEMINI和GEMINI FB,讓晶圓在晶圓鍵合之前進(jìn)行晶圓對...
EVG?620BA鍵合機(jī)選件 自動對準(zhǔn) 紅外對準(zhǔn),用于內(nèi)部基板鍵對準(zhǔn) NanoAlign?包增強(qiáng)加工能力 可與系統(tǒng)機(jī)架一起使用 掩模對準(zhǔn)器的升級可能性 技術(shù)數(shù)據(jù) 常規(guī)系統(tǒng)配置 桌面 系統(tǒng)機(jī)架:可選 隔振:被動 對準(zhǔn)方法 背面對準(zhǔn):±2μm3σ 透明對準(zhǔn):±1μm3σ 紅外校準(zhǔn):選件 對準(zhǔn)階段 精密千分尺:手動 可選:電動千分尺 楔形補(bǔ)償:自動 基板/晶圓參數(shù) 尺寸:2英寸,3英寸,100毫米,150毫米 厚度:0.1-10毫米 蕞/高堆疊高度:10毫米 自動對準(zhǔn) 可選的 處理系統(tǒng) 標(biāo)準(zhǔn):3個卡帶站 可選:蕞多5個站業(yè)內(nèi)主流鍵合機(jī)使用工藝:黏合劑,陽極,直接/熔融,玻璃料,焊料(含共晶和瞬態(tài)液相...
真空系統(tǒng):9x10-2mbar(標(biāo)準(zhǔn))和9x10-3mbar(渦輪泵選件) 清潔站 清潔方式:沖洗(標(biāo)準(zhǔn)),超音速噴嘴,超音速面積傳感器,噴嘴,刷子(可選) 腔室:由PP或PFA制成(可選) 清潔介質(zhì):去離子水(標(biāo)準(zhǔn)),NH4OH和H2O2(蕞/大)。2%濃度(可選) 旋轉(zhuǎn)卡盤:真空卡盤(標(biāo)準(zhǔn))和邊緣處理卡盤(選件),由不含金屬離子的清潔材料制成 旋轉(zhuǎn):蕞/高3000rpm(5s) 清潔臂:蕞多5條介質(zhì)線(1個超音速系統(tǒng)使用2條線) 可選功能 ISO3mini-environment(根據(jù)ISO14644) LowTemp?等離子活化室 紅外檢查站 以上資料由岱美儀器提供并做技術(shù)支持旋涂模塊-...
EVG鍵合機(jī)加工結(jié)果 除支持晶圓級和先進(jìn)封裝,3D互連和MEMS制造外,EVG500系列晶圓鍵合機(jī)(系統(tǒng))還可用于研發(fā),中試或批量生產(chǎn)。它們通過在高真空,精確控制的準(zhǔn)確的真空,溫度或高壓條件下鍵合來滿足各種苛刻的應(yīng)用。該系列擁有多種鍵合方法,包括陽極,熱壓縮,玻璃料,環(huán)氧樹脂,UV和熔融鍵合。EVG500系列基于獨特的模塊化鍵合室設(shè)計,可實現(xiàn)從研發(fā)到大批量生產(chǎn)的簡單技術(shù)轉(zhuǎn)換。 模塊設(shè)計 各種鍵合對準(zhǔn)(對位)系統(tǒng)配置為各種MEMS和IC應(yīng)用提供了多種優(yōu)勢。使用直接(實時)或間接對準(zhǔn)方法可以支持大量不同的對準(zhǔn)技術(shù)。烘烤/冷卻模塊-適用于GEMINI用于在涂布后和鍵合之前加工粘合劑層。貴州官方授權(quán)經(jīng)...
晶圓級封裝的實現(xiàn)可以帶來許多經(jīng)濟(jì)利益。它允許晶圓制造,封裝和測試的集成,從而簡化制造過程??s短的制造周期時間可提高生產(chǎn)量并降低每單位制造成本。晶圓級封裝還可以減小封裝尺寸,從而節(jié)省材料并進(jìn)一步降低生產(chǎn)成本。然而,更重要的是,減小的封裝尺寸允許組件用于更廣范的高級產(chǎn)品中。晶圓級封裝的主要市場驅(qū)動因素之一是需要更小的組件尺寸,尤其是減小封裝高度。岱美儀器提供的EVG的晶圓鍵合機(jī),可以實現(xiàn)晶圓級封裝的功能。EVG鍵合機(jī)的鍵合室配有通用鍵合蓋,可快速排空,快速加熱和冷卻。GEMINI鍵合機(jī)售后服務(wù)SmartView?NT自動鍵合對準(zhǔn)系統(tǒng),用于通用對準(zhǔn)。全自動鍵合對準(zhǔn)系統(tǒng),采用微米級面對面晶圓對準(zhǔn)的專有...