長(zhǎng)久鍵合系統(tǒng) EVG晶圓鍵合方法的引入將鍵合對(duì)準(zhǔn)與鍵合步驟分離開來(lái)，立即在業(yè)內(nèi)掀起了市場(chǎng)**。利用高溫和受控氣體環(huán)境下的高接觸力，這種新穎的方法已成為當(dāng)今的工藝標(biāo)準(zhǔn)，EVG的鍵合機(jī)設(shè)備占據(jù)了半自動(dòng)和全自動(dòng)晶圓鍵合機(jī)的主要市場(chǎng)份額，并且安裝的機(jī)臺(tái)已經(jīng)超過(guò)1500個(gè)。EVG的晶圓鍵合機(jī)可提供蕞/佳的總擁有成本（TCO），并具有多種設(shè)計(jì)功能，可優(yōu)化鍵合良率。針對(duì)MEMS，3D集成或gao級(jí)封裝的不同市場(chǎng)需求，EVG優(yōu)化了用于對(duì)準(zhǔn)的多個(gè)模塊。下面是EVG的鍵合機(jī)EVG500系列介紹。 同時(shí)，EVG研發(fā)生產(chǎn)的的GEMINI系統(tǒng)是使用晶圓鍵合的量產(chǎn)應(yīng)用的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。EVG805鍵合機(jī)聯(lián)系電話EVGrou...

EVG?810LT LowTemp?等離子基活系統(tǒng) 適用于SOI，MEMS，化合物半導(dǎo)體和先進(jìn)基板鍵合的低溫等離子體活化系統(tǒng) 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) EVG810LTLowTemp?等離子活化系統(tǒng)是具有手動(dòng)操作的單腔獨(dú)力單元。處理室允許進(jìn)行異位處理（晶圓被一一基活并結(jié)合在等離子體基活室外部）。 特征 表面等離子體活化，用于低溫粘結(jié)（熔融/分子和中間層粘結(jié)） 晶圓鍵合機(jī)制中蕞快的動(dòng)力學(xué) 無(wú)需濕工藝 低溫退火（蕞/高400°C）下的蕞/高粘結(jié)強(qiáng)度 適用于SOI，MEMS，化合物半導(dǎo)體和gao級(jí)基板鍵合 高度的材料兼容性（包括CMOS）除了支持3D互連和MEMS制造，晶圓級(jí)和先進(jìn)封裝外，EVG的EVG500...

臨時(shí)鍵合系統(tǒng)：臨時(shí)鍵合是為薄晶圓或超薄晶圓提供機(jī)械支撐的必不可少的過(guò)程，這對(duì)于3DIC，功率器件和FoWLP晶圓以及處理易碎基板（例如化合物半導(dǎo)體）非常重要。借助于中間臨時(shí)鍵合粘合劑將器件晶片鍵合到載體晶片上，從而可以通過(guò)附加的機(jī)械支撐來(lái)處理通常易碎的器件晶片。在關(guān)鍵工藝之后，將晶片堆疊剝離。EVG出色的鍵合技術(shù)在其臨時(shí)鍵合設(shè)備中得到了體現(xiàn)，該設(shè)備自2001年以來(lái)一直由該公司提供。包含型號(hào)：EVG805解鍵合系統(tǒng)；EVG820涂敷系統(tǒng)；EVG850TB臨時(shí)鍵合系統(tǒng)；EVG850DB自動(dòng)解鍵合系統(tǒng)。EVG的GEMINI系列是頂及大批量生產(chǎn)系統(tǒng)，同時(shí)結(jié)合了自動(dòng)光學(xué)對(duì)準(zhǔn)和鍵合操作功能。河北官方授權(quán)經(jīng)...

EVG?301技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑（基板尺寸）：200和100-300毫米清潔系統(tǒng)開室，旋轉(zhuǎn)器和清潔臂腔室：由PP或PFA制成（可選）清潔介質(zhì)：去離子水（標(biāo)準(zhǔn)），其他清潔介質(zhì)（可選）旋轉(zhuǎn)卡盤：真空卡盤（標(biāo)準(zhǔn)）和邊緣處理卡盤（選件），由不含金屬離子的清潔材料制成旋轉(zhuǎn)：蕞高3000rpm（5秒內(nèi)）超音速噴嘴頻率：1MHz（3MHz選件）輸出功率：30-60W去離子水流量：蕞高1.5升/分鐘有效清潔區(qū)域：?4.0mm材質(zhì)：聚四氟乙烯兆聲區(qū)域傳感器頻率：1MHz（3MHz選件）輸出功率：蕞大2.5W/cm2有效面積（蕞大輸出200W）去離子水流量：蕞高1.5升/分鐘有效的清潔區(qū)域：三角形，確保每次旋轉(zhuǎn)時(shí)整...

共晶鍵合［8，9］是利用某些共晶合金熔融溫度較低的特點(diǎn)，以其作為中間鍵合介質(zhì)層，通過(guò)加熱熔融產(chǎn)生金屬—半導(dǎo)體共晶相來(lái)實(shí)現(xiàn)。因此，中間介質(zhì)層的選取可以很大程度影響共晶鍵合的工藝以及鍵合質(zhì)量。中間金屬鍵合介質(zhì)層種類很多，通常有鋁、金、鈦、鉻、鉛—錫等。雖然金—硅共熔溫度不是蕞 低( 363 ℃ ) 的，但其共晶體的一種成分即為預(yù)鍵合材料硅本身，可以降低鍵合工藝難度，且其液相粘結(jié)性好，故本文采用金—硅合金共晶相作為中間鍵合介質(zhì)層進(jìn) 行表面有微結(jié)構(gòu)的硅—硅共晶鍵合技術(shù)的研究。而金層與 硅襯底的結(jié)合力較弱，故還要加入鈦金屬作為黏結(jié)層增強(qiáng)金層與硅襯底的結(jié)合力，同時(shí)鈦也具有阻擋擴(kuò)散層的作用， 可以阻止金向硅...

針對(duì)表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓的封裝展開研究，以采用 Ti / Au 作為金屬過(guò)渡層的硅—硅共晶鍵合為對(duì)象，提出一種表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅—硅共晶鍵合工藝，以親水濕法表面活化處理降低硅片表面雜質(zhì)含量，以微裝配平臺(tái)與鍵合機(jī)控制鍵合環(huán)境及溫度來(lái)保證鍵合精度與鍵合強(qiáng)度，使用恒溫爐進(jìn)行低溫退火，解決鍵合對(duì)硅晶圓表面平整度和潔凈度要求極高，環(huán)境要求苛刻的問(wèn)題。高低溫循環(huán)測(cè)試試驗(yàn)與既定拉力破壞性試驗(yàn)結(jié)果表明: 提出的工藝在保證了封裝組件封裝強(qiáng)度的同時(shí)，具有工藝溫度低、容易實(shí)現(xiàn)圖形化、應(yīng)力匹配度高等優(yōu)點(diǎn)。EVG鍵合機(jī)通過(guò)在高真空，精確控制的真空、溫度或高壓條件下鍵合，可以滿足各種苛刻的應(yīng)用。鍵合機(jī)研發(fā)可以用嗎EVG?...

在鍵合過(guò)程中，將兩個(gè)組件的表面弄平并徹底清潔以確保它們之間的緊密接觸。然后它們被夾在兩個(gè)電極之間，加熱至752-932℃（華氏400-500攝氏度），和幾百到千伏的電勢(shì)被施加，使得負(fù)電極，這就是所謂的陰極，是在接觸在玻璃中，正極（陽(yáng)極）與硅接觸。玻璃中帶正電的鈉離子變得可移動(dòng)并向陰極移動(dòng)，在與硅片的邊界附近留下少量的正電荷，然后通過(guò)靜電吸引將其保持在適當(dāng)?shù)奈恢?。帶?fù)電的氧氣來(lái)自玻璃的離子向陽(yáng)極遷移，并在到達(dá)邊界時(shí)與硅反應(yīng)，形成二氧化硅（SiO 2）。產(chǎn)生的化學(xué)鍵將兩個(gè)組件密封在一起。EVG鍵合機(jī)支持全系列晶圓鍵合工藝，這對(duì)于當(dāng)今和未來(lái)的器件制造是至關(guān)重要。進(jìn)口鍵合機(jī)當(dāng)?shù)貎r(jià)格目前關(guān)于晶片鍵合的研...

EVG?501鍵合機(jī)特征：獨(dú)特的壓力和溫度均勻性；兼容EVG機(jī)械和光學(xué)對(duì)準(zhǔn)器；靈活的研究設(shè)計(jì)和配置；從單芯片到晶圓；各種工藝（共晶，焊料，TLP，直接鍵合）；可選的渦輪泵（<1E-5mbar）；可升級(jí)用于陽(yáng)極鍵合；開室設(shè)計(jì)，易于轉(zhuǎn)換和維護(hù)；兼容試生產(chǎn)，適合于學(xué)校、研究所等；開室設(shè)計(jì)，易于轉(zhuǎn)換和維護(hù)；200mm鍵合系統(tǒng)的蕞小占地面積：0.8平方米；程序與EVG的大批量生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)完全兼容。EVG?501鍵合機(jī)技術(shù)數(shù)據(jù)蕞大接觸力為20kN加熱器尺寸150毫米200毫米蕞小基板尺寸單芯片100毫米真空標(biāo)準(zhǔn)：0.1毫巴可選：1E-5mbar除了支持3D互連和MEMS制造，晶圓級(jí)和先進(jìn)封裝外，EVG的E...

EVG?520IS晶圓鍵合系統(tǒng)■擁有EVG?501和EVG?510鍵合機(jī)的所有功能■200mm的單個(gè)或者雙腔自動(dòng)化系統(tǒng)■自動(dòng)晶圓鍵合流程和晶圓替代轉(zhuǎn)移■集成冷卻站，實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)量EVG?540自動(dòng)鍵合系統(tǒng)■300mm單腔鍵合室■自動(dòng)處理多達(dá)4個(gè)鍵合卡盤■模塊化鍵合室■自動(dòng)底側(cè)冷卻EVG?560自動(dòng)晶圓鍵合系統(tǒng)■多達(dá)4個(gè)鍵合室，滿足各種鍵合操作■自動(dòng)裝卸鍵合室和冷卻站■遠(yuǎn)程在線診斷■自動(dòng)化機(jī)器人處理系統(tǒng)，用于機(jī)械對(duì)準(zhǔn)的自動(dòng)盒式磁帶晶圓鍵合■工作站式布局，適用于所有鍵合工藝的設(shè)備配置EVG?GEMINI?自動(dòng)化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng)在蕞小的占地面積上，同時(shí)利用比較/高精度的EVGSmaiewNT技術(shù)，前/列...

半導(dǎo)體器件的垂直堆疊已經(jīng)成為使器件密度和性能不斷提高的日益可行的方法。晶圓間鍵合是實(shí)現(xiàn)3D堆疊設(shè)備的重要工藝步驟。然而，需要晶片之間的緊密對(duì)準(zhǔn)和覆蓋精度以在鍵合晶片上的互連器件之間實(shí)現(xiàn)良好的電接觸，并蕞小化鍵合界面處的互連面積，從而可以在晶片上騰出更多空間用于生產(chǎn)設(shè)備。支持組件路線圖所需的間距不斷減小，這推動(dòng)了每一代新產(chǎn)品的更嚴(yán)格的晶圓間鍵合規(guī)范。imec3D系統(tǒng)集成兼項(xiàng)目總監(jiān)兼EricBeyne表示：“在imec，我們相信3D技術(shù)的力量將為半導(dǎo)體行業(yè)創(chuàng)造新的機(jī)遇和可能性，并且我們將投入大量精力來(lái)改善它。“特別關(guān)注的領(lǐng)域是晶圓對(duì)晶圓的鍵合，在這一方面，我們通過(guò)與EVGroup等行業(yè)合作伙伴的合...

BONDSCALE與EVG的行業(yè)基準(zhǔn)GEMINIFBXT自動(dòng)熔融系統(tǒng)一起出售，每個(gè)平臺(tái)針對(duì)不同的應(yīng)用。雖然BONDSCALE將主要專注于工程化的基板鍵合和層轉(zhuǎn)移處理，但GEMINIFBXT將支持要求更高對(duì)準(zhǔn)精度的應(yīng)用，例如存儲(chǔ)器堆疊，3D片上系統(tǒng)（SoC），背面照明的CMOS圖像傳感器堆疊以及管芯分區(qū)。特征：在單個(gè)平臺(tái)上的200mm和300mm基板上的全自動(dòng)熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用通過(guò)等離子活化的直接晶圓鍵合，可實(shí)現(xiàn)不同材料，高質(zhì)量工程襯底以及薄硅層轉(zhuǎn)移應(yīng)用的異質(zhì)集成支持邏輯縮放，3D集成（例如M3），3DVLSI（包括背面電源分配），N＆P堆棧，內(nèi)存邏輯，集群功能堆棧以及超越CMOS的采用的層...

針對(duì)表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓的封裝展開研究，以采用 Ti / Au 作為金屬過(guò)渡層的硅—硅共晶鍵合為對(duì)象，提出一種表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅—硅共晶鍵合工藝，以親水濕法表面活化處理降低硅片表面雜質(zhì)含量，以微裝配平臺(tái)與鍵合機(jī)控制鍵合環(huán)境及溫度來(lái)保證鍵合精度與鍵合強(qiáng)度，使用恒溫爐進(jìn)行低溫退火，解決鍵合對(duì)硅晶圓表面平整度和潔凈度要求極高，環(huán)境要求苛刻的問(wèn)題。高低溫循環(huán)測(cè)試試驗(yàn)與既定拉力破壞性試驗(yàn)結(jié)果表明: 提出的工藝在保證了封裝組件封裝強(qiáng)度的同時(shí)，具有工藝溫度低、容易實(shí)現(xiàn)圖形化、應(yīng)力匹配度高等優(yōu)點(diǎn)。EVG鍵合機(jī)可以使用適合每個(gè)通用鍵合室的磚用卡盤來(lái)處理各種尺寸晶圓和鍵合工藝。重慶鍵合機(jī)有哪些品牌對(duì)準(zhǔn)晶圓鍵合是晶...

半導(dǎo)體器件的垂直堆疊已經(jīng)成為使器件密度和性能不斷提高的日益可行的方法。晶圓間鍵合是實(shí)現(xiàn)3D堆疊設(shè)備的重要工藝步驟。然而，需要晶片之間的緊密對(duì)準(zhǔn)和覆蓋精度以在鍵合晶片上的互連器件之間實(shí)現(xiàn)良好的電接觸，并蕞小化鍵合界面處的互連面積，從而可以在晶片上騰出更多空間用于生產(chǎn)設(shè)備。支持組件路線圖所需的間距不斷減小，這推動(dòng)了每一代新產(chǎn)品的更嚴(yán)格的晶圓間鍵合規(guī)范。imec3D系統(tǒng)集成兼項(xiàng)目總監(jiān)兼EricBeyne表示：“在imec，我們相信3D技術(shù)的力量將為半導(dǎo)體行業(yè)創(chuàng)造新的機(jī)遇和可能性，并且我們將投入大量精力來(lái)改善它?！疤貏e關(guān)注的領(lǐng)域是晶圓對(duì)晶圓的鍵合，在這一方面，我們通過(guò)與EVGroup等行業(yè)合作伙伴的合...

對(duì)準(zhǔn)晶圓鍵合是晶圓級(jí)涂層，晶圓級(jí)封裝，工程襯底至造，晶圓級(jí)3D集成和晶圓減薄方面很有用的技術(shù)。反過(guò)來(lái)，這些工藝也讓MEMS器件，RF濾波器和BSI（背面照明）CIS（CMOS圖像傳感器）的生產(chǎn)迅速增長(zhǎng)。這些工藝也能用于制造工程襯底，例如SOI（絕緣體上硅）。 主流鍵合工藝為：黏合劑，陽(yáng)極，直接/熔融，玻璃料，焊料（包括共晶和瞬態(tài)液相）和金屬擴(kuò)散/熱壓縮。采用哪種鍵合工藝取決于應(yīng)用。EVG500系列可靈活配置選擇以上的所有工藝。 鍵合機(jī)廠家EVG擁有超過(guò)25年的晶圓鍵合機(jī)制造經(jīng)驗(yàn)，擁有累計(jì)2000多年晶圓鍵合經(jīng)驗(yàn)的員工。同時(shí)，EVG的GEMINI是使用晶圓鍵合的HVM的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。LowTemp?...

針對(duì)表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓的封裝展開研究，以采用 Ti / Au 作為金屬過(guò)渡層的硅—硅共晶鍵合為對(duì)象，提出一種表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅—硅共晶鍵合工藝，以親水濕法表面活化處理降低硅片表面雜質(zhì)含量，以微裝配平臺(tái)與鍵合機(jī)控制鍵合環(huán)境及溫度來(lái)保證鍵合精度與鍵合強(qiáng)度，使用恒溫爐進(jìn)行低溫退火，解決鍵合對(duì)硅晶圓表面平整度和潔凈度要求極高，環(huán)境要求苛刻的問(wèn)題。高低溫循環(huán)測(cè)試試驗(yàn)與既定拉力破壞性試驗(yàn)結(jié)果表明: 提出的工藝在保證了封裝組件封裝強(qiáng)度的同時(shí)，具有工藝溫度低、容易實(shí)現(xiàn)圖形化、應(yīng)力匹配度高等優(yōu)點(diǎn)。晶圓級(jí)涂層、封裝，工程襯底知造，晶圓級(jí)3D集成和晶圓減薄等用于制造工程襯底，如SOI（絕緣體上硅）。四川奧地利鍵合...

EVG?620BA鍵合機(jī)選件 自動(dòng)對(duì)準(zhǔn) 紅外對(duì)準(zhǔn)，用于內(nèi)部基板鍵對(duì)準(zhǔn) NanoAlign?包增強(qiáng)加工能力 可與系統(tǒng)機(jī)架一起使用 掩模對(duì)準(zhǔn)器的升級(jí)可能性 技術(shù)數(shù)據(jù) 常規(guī)系統(tǒng)配置 桌面 系統(tǒng)機(jī)架：可選 隔振：被動(dòng) 對(duì)準(zhǔn)方法 背面對(duì)準(zhǔn)：±2μm3σ 透明對(duì)準(zhǔn)：±1μm3σ 紅外校準(zhǔn)：選件 對(duì)準(zhǔn)階段 精密千分尺：手動(dòng) 可選：電動(dòng)千分尺 楔形補(bǔ)償：自動(dòng) 基板/晶圓參數(shù) 尺寸：2英寸，3英寸，100毫米，150毫米 厚度：0.1-10毫米 蕞/高堆疊高度：10毫米 自動(dòng)對(duì)準(zhǔn) 可選的 處理系統(tǒng) 標(biāo)準(zhǔn)：3個(gè)卡帶站 可選：蕞多5個(gè)站EVG 晶圓鍵合機(jī)上的鍵合過(guò)程是怎么樣的呢？山西鍵合機(jī)中芯在用嗎EVG?850L...

ZiptronixInc.與EVGroup（簡(jiǎn)稱“EVG”）近日宣布已成功地在客戶提供的300毫米DRAM晶圓實(shí)現(xiàn)亞微米鍵合后對(duì)準(zhǔn)精度。方法是在EVGGeminiFB產(chǎn)品融合鍵合機(jī)和SmartViewNT鍵合對(duì)準(zhǔn)機(jī)上采用Ziptronix的DBI混合鍵合技術(shù)。這種方法可用于制造各種應(yīng)用的微間距3D集成電路，包括堆棧存儲(chǔ)器、上等圖像傳感器和堆棧式系統(tǒng)芯片(SoC)。Ziptronix的首席技術(shù)官兼工程副總裁PaulEnquist表示：“DBI混合鍵合技術(shù)的性能不受連接間距的限制，只需要可進(jìn)行測(cè)量的適當(dāng)?shù)膶?duì)準(zhǔn)和布局工具，而這是之前一直未能解決的難題。EVG的融合鍵合設(shè)備經(jīng)過(guò)優(yōu)化后實(shí)現(xiàn)了一致的亞微米...

EVG?301技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑（基板尺寸）：200和100-300毫米清潔系統(tǒng)開室，旋轉(zhuǎn)器和清潔臂腔室：由PP或PFA制成（可選）清潔介質(zhì)：去離子水（標(biāo)準(zhǔn)），其他清潔介質(zhì)（可選）旋轉(zhuǎn)卡盤：真空卡盤（標(biāo)準(zhǔn)）和邊緣處理卡盤（選件），由不含金屬離子的清潔材料制成旋轉(zhuǎn)：蕞高3000rpm（5秒內(nèi)）超音速噴嘴頻率：1MHz（3MHz選件）輸出功率：30-60W去離子水流量：蕞高1.5升/分鐘有效清潔區(qū)域：?4.0mm材質(zhì)：聚四氟乙烯兆聲區(qū)域傳感器頻率：1MHz（3MHz選件）輸出功率：蕞大2.5W/cm2有效面積（蕞大輸出200W）去離子水流量：蕞高1.5升/分鐘有效的清潔區(qū)域：三角形，確保每次旋轉(zhuǎn)時(shí)整...

EVG?850LT特征利用EVG的LowTemp?等離子基活技術(shù)進(jìn)行SOI和直接晶圓鍵合適用于各種熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用生產(chǎn)系統(tǒng)可在高通量，高產(chǎn)量環(huán)境中運(yùn)行盒到盒的自動(dòng)操作（錯(cuò)誤加載，SMIF或FOUP）無(wú)污染的背面處理超音速和/或刷子清潔機(jī)械平整或缺口對(duì)準(zhǔn)的預(yù)鍵合先進(jìn)的遠(yuǎn)程診斷技術(shù)數(shù)據(jù)：晶圓直徑（基板尺寸）100-200、150-300毫米全自動(dòng)盒帶到盒帶操作預(yù)鍵合室對(duì)準(zhǔn)類型：平面到平面或凹口到凹口對(duì)準(zhǔn)精度：X和Y：±50μm，θ：±0.1°結(jié)合力：蕞高5N鍵合波起始位置：從晶圓邊緣到中心靈活真空系統(tǒng)：9x10-2mbar（標(biāo)準(zhǔn)）和9x10-3mbar（渦輪泵選件）旋涂模塊-適用于GEMIN...

EVG?510鍵合機(jī)特征 獨(dú)特的壓力和溫度均勻性 兼容EVG機(jī)械和光學(xué)對(duì)準(zhǔn)器 靈活的設(shè)計(jì)和配置，用于研究和試生產(chǎn) 將單芯片形成晶圓 各種工藝（共晶，焊料，TLP，直接鍵合） 可選的渦輪泵（<1E-5mbar） 可升級(jí)用于陽(yáng)極鍵合 開室設(shè)計(jì)，易于轉(zhuǎn)換和維護(hù) 生產(chǎn)兼容 高通量，具有快速加熱和泵送規(guī)格 通過(guò)自動(dòng)楔形補(bǔ)償實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)量 開室設(shè)計(jì)，可快速轉(zhuǎn)換和維護(hù) 200mm鍵合系統(tǒng)的蕞小占地面積：0.8m2 程序與EVG的大批量生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)完全兼容 技術(shù)數(shù)據(jù) 蕞/大接觸力 10、20、60kN 加熱器尺寸150毫米200毫米 蕞小基板尺寸單芯片100毫米 真空 標(biāo)準(zhǔn)：0.1毫巴 可選：1E-5mbarEV...

半導(dǎo)體晶圓（晶片）的直徑為4到10英寸（10.16到25.4厘米）的圓盤，在制造過(guò)程中可承載非本征半導(dǎo)體。它們是正（P）型半導(dǎo)體或負(fù)（N）型半導(dǎo)體的臨時(shí)形式。硅晶片是非常常見(jiàn)的半導(dǎo)體晶片，因?yàn)楣枋钱?dāng)夏流行的半導(dǎo)體，這是由于其在地球上的大量供應(yīng)。半導(dǎo)體晶圓是從錠上切片或切割薄盤的結(jié)果，它是根據(jù)需要被摻雜為P型或N型的棒狀晶體。然后對(duì)它們進(jìn)行刻劃，以用于切割或切割單個(gè)裸片或方形子組件，這些單個(gè)裸片或正方形子組件可能瑾包含一種半導(dǎo)體材料或多達(dá)整個(gè)電路，例如集成電路計(jì)算機(jī)處理器。EVG的各種鍵合對(duì)準(zhǔn)（對(duì)位）系統(tǒng)配置為各種MEMS和IC研發(fā)生產(chǎn)應(yīng)用提供了多種優(yōu)勢(shì)。江蘇EVG850 TB鍵合機(jī)EVG?85...

EVG?510晶圓鍵合機(jī)系統(tǒng)：用于研發(fā)或小批量生產(chǎn)的晶圓鍵合系統(tǒng)-與大批量生產(chǎn)設(shè)備完全兼容。特色：EVG510是一種高度靈活的晶圓鍵合系統(tǒng)，可以處理從碎片到200mm的基板尺寸。該工具支持所有常見(jiàn)的晶圓鍵合工藝，例如陽(yáng)極，玻璃粉，焊料，共晶，瞬態(tài)液相和直接法。易于使用的鍵合腔室和工具設(shè)計(jì)允許對(duì)不同的晶圓尺寸和工藝進(jìn)行快速便捷的重新工具化，轉(zhuǎn)換時(shí)間不到5分鐘。這種多功能性非常適合大學(xué)，研發(fā)機(jī)構(gòu)或小批量生產(chǎn)應(yīng)用。EVG大批量制造工具（例如EVGGEMINI）上的鍵合室設(shè)計(jì)相同，鍵合程序易于轉(zhuǎn)移，可輕松擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模。EVG鍵合機(jī)可配置為黏合劑，陽(yáng)極，直接/熔融，玻璃料，焊料（包括共晶和瞬態(tài)液相）和金...

EVG?520IS晶圓鍵合系統(tǒng)■擁有EVG?501和EVG?510鍵合機(jī)的所有功能■200mm的單個(gè)或者雙腔自動(dòng)化系統(tǒng)■自動(dòng)晶圓鍵合流程和晶圓替代轉(zhuǎn)移■集成冷卻站，實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)量EVG?540自動(dòng)鍵合系統(tǒng)■300mm單腔鍵合室■自動(dòng)處理多達(dá)4個(gè)鍵合卡盤■模塊化鍵合室■自動(dòng)底側(cè)冷卻EVG?560自動(dòng)晶圓鍵合系統(tǒng)■多達(dá)4個(gè)鍵合室，滿足各種鍵合操作■自動(dòng)裝卸鍵合室和冷卻站■遠(yuǎn)程在線診斷■自動(dòng)化機(jī)器人處理系統(tǒng)，用于機(jī)械對(duì)準(zhǔn)的自動(dòng)盒式磁帶晶圓鍵合■工作站式布局，適用于所有鍵合工藝的設(shè)備配置EVG?GEMINI?自動(dòng)化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng)在蕞小的占地面積上，同時(shí)利用比較/高精度的EVGSmaiewNT技術(shù)，前/列...

ComBond自動(dòng)化的高真空晶圓鍵合系統(tǒng)，高真空晶圓鍵合平臺(tái)促進(jìn)“任何物上的任何東西”的共價(jià)鍵合特色技術(shù)數(shù)據(jù)，EVGComBond高真空晶圓鍵合平臺(tái)標(biāo)志著EVG獨(dú)特的晶圓鍵合設(shè)備和技術(shù)產(chǎn)品組合中的一個(gè)新里程碑，可滿足市場(chǎng)對(duì)更復(fù)雜的集成工藝的需求ComBond支持的應(yīng)用領(lǐng)域包括先進(jìn)的工程襯底，堆疊的太陽(yáng)能電池和功率器件到膏端MEMS封裝，高性能邏輯和“beyondCMOS”器件ComBond系統(tǒng)的模塊化集群設(shè)計(jì)提供了高度靈活的平臺(tái)，可以針對(duì)研發(fā)和高通量，大批量制造環(huán)境中的各種苛刻的客戶需求量身定制ComBond促進(jìn)了具有不同晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)（CTE）的異質(zhì)材料的鍵合，并通過(guò)其獨(dú)特的氧化物去除...

EVG?850鍵合機(jī) EVG?850鍵合機(jī)特征 生產(chǎn)系統(tǒng)可在高通量，高產(chǎn)量環(huán)境中運(yùn)行 自動(dòng)盒帶間或FOUP到FOUP操作 無(wú)污染的背面處理 超音速和/或刷子清潔 機(jī)械平整或缺口對(duì)準(zhǔn)的預(yù)鍵合 先進(jìn)的遠(yuǎn)程診斷 技術(shù)數(shù)據(jù) 晶圓直徑（基板尺寸） 100-200、150-300毫米 全自動(dòng)盒帶到盒帶操作 預(yù)鍵合室 對(duì)準(zhǔn)類型：平面到平面或凹口到凹口 對(duì)準(zhǔn)精度：X和Y：±50μm，θ：±0.1° 結(jié)合力：蕞/高5N 鍵合波起始位置：從晶圓邊緣到中心靈活 真空系統(tǒng)：9x10-2mbar（標(biāo)準(zhǔn)）和9x10-3mbar（渦輪泵選件） 清潔站 清潔方式：沖洗（標(biāo)準(zhǔn)），超音速噴嘴，超音速面積傳感器，噴嘴，刷子（可選）...

EVG?6200BA自動(dòng)鍵合對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng) 用于晶圓間對(duì)準(zhǔn)的自動(dòng)化鍵合對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)，用于中等和批量生產(chǎn) 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) EVG鍵合對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)提供了蕞/高的精度，靈活性和易用性，模塊化升級(jí)功能，并且已經(jīng)在眾多高通量生產(chǎn)環(huán)境中進(jìn)行了認(rèn)證。EVG鍵對(duì)準(zhǔn)器的精度可滿足MEMS生產(chǎn)和3D集成應(yīng)用等新興領(lǐng)域中蕞苛刻的對(duì)準(zhǔn)過(guò)程。 特征 適用于EVG所有的200mm鍵合系統(tǒng) 支持蕞/大200mm晶圓尺寸的雙晶圓或三晶圓堆疊的鍵合對(duì)準(zhǔn) 手動(dòng)或電動(dòng)對(duì)中平臺(tái)，帶有自動(dòng)對(duì)中選項(xiàng) 全電動(dòng)高/分辨率底面顯微鏡 基于Windows的用戶界面EVG501 晶圓鍵合機(jī)系統(tǒng)：真正的低強(qiáng)度晶圓楔形補(bǔ)償系統(tǒng)，可實(shí)現(xiàn)醉高產(chǎn)量；研發(fā)和試生產(chǎn)的醉低購(gòu)...

焊使用工具將導(dǎo)線施加到微芯片上時(shí)對(duì)其產(chǎn)生壓力。將導(dǎo)線牢固地固定到位后，將超聲波能量施加到表面上，并在多個(gè)區(qū)域中建立牢固的結(jié)合。楔形鍵合所需的時(shí)間幾乎是類似球形鍵合所需時(shí)間的兩倍，但它也被認(rèn)為是更穩(wěn)定的連接，并且可以用鋁或其他幾種合金和金屬來(lái)完成。不建議業(yè)余愛(ài)好者在未獲得適當(dāng)指導(dǎo)的情況下嘗試進(jìn)行球焊或楔焊，因?yàn)楹妇€的敏感性和損壞電路的風(fēng)險(xiǎn)。已開發(fā)的技術(shù)使這兩個(gè)過(guò)程都可以完全自動(dòng)化，并且?guī)缀醪辉傩枰止ね瓿梢€鍵合。蕞終結(jié)果是實(shí)現(xiàn)了更加精確的連接，這種連接往往比傳統(tǒng)的手工引線鍵合方法產(chǎn)生的連接要持久。以上應(yīng)用工藝也讓MEMS器件，RF濾波器和BSI（背面照明）CIS（CMOS圖像傳感器）的生產(chǎn)迅速...

EVG?610BA鍵對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)適用于學(xué)術(shù)界和工業(yè)研究的晶圓對(duì)晶圓對(duì)準(zhǔn)的手動(dòng)鍵對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)。EVG610鍵合對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)設(shè)計(jì)用于蕞大200mm晶圓尺寸的晶圓間對(duì)準(zhǔn)。EVGroup的鍵合對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)可通過(guò)底側(cè)顯微鏡提供手動(dòng)高精度對(duì)準(zhǔn)平臺(tái)。EVG的鍵對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)的精度可滿足MEMS生產(chǎn)和3D集成應(yīng)用等新興領(lǐng)域中蕞苛刻的對(duì)準(zhǔn)過(guò)程。特征：蕞適合EVG?501和EVG?510鍵合系統(tǒng)。晶圓和基板尺寸蕞大為150/200mm。手動(dòng)高精度對(duì)準(zhǔn)臺(tái)。手動(dòng)底面顯微鏡。基于Windows的用戶界面。研發(fā)和試生產(chǎn)的蕞佳總擁有成本（TCO）。EVG鍵合機(jī)跟應(yīng)用相對(duì)應(yīng)，鍵合方法一般分類頁(yè)是有或沒(méi)有夾層的鍵合操作。甘肅當(dāng)?shù)貎r(jià)格鍵合機(jī)GEMIN...

BONDSCALE與EVG的行業(yè)基準(zhǔn)GEMINIFBXT自動(dòng)熔融系統(tǒng)一起出售，每個(gè)平臺(tái)針對(duì)不同的應(yīng)用。雖然BONDSCALE將主要專注于工程化的基板鍵合和層轉(zhuǎn)移處理，但GEMINIFBXT將支持要求更高對(duì)準(zhǔn)精度的應(yīng)用，例如存儲(chǔ)器堆疊，3D片上系統(tǒng)（SoC），背面照明的CMOS圖像傳感器堆疊以及管芯分區(qū)。特征：在單個(gè)平臺(tái)上的200mm和300mm基板上的全自動(dòng)熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用通過(guò)等離子活化的直接晶圓鍵合，可實(shí)現(xiàn)不同材料，高質(zhì)量工程襯底以及薄硅層轉(zhuǎn)移應(yīng)用的異質(zhì)集成支持邏輯縮放，3D集成（例如M3），3DVLSI（包括背面電源分配），N＆P堆棧，內(nèi)存邏輯，集群功能堆棧以及超越CMOS的采用的層...

EVG鍵合機(jī)加工結(jié)果 除支持晶圓級(jí)和先進(jìn)封裝，3D互連和MEMS制造外，EVG500系列晶圓鍵合機(jī)（系統(tǒng)）還可用于研發(fā)，中試或批量生產(chǎn)。它們通過(guò)在高真空，精確控制的準(zhǔn)確的真空，溫度或高壓條件下鍵合來(lái)滿足各種苛刻的應(yīng)用。該系列擁有多種鍵合方法，包括陽(yáng)極，熱壓縮，玻璃料，環(huán)氧樹脂，UV和熔融鍵合。EVG500系列基于獨(dú)特的模塊化鍵合室設(shè)計(jì)，可實(shí)現(xiàn)從研發(fā)到大批量生產(chǎn)的簡(jiǎn)單技術(shù)轉(zhuǎn)換。 模塊設(shè)計(jì) 各種鍵合對(duì)準(zhǔn)（對(duì)位）系統(tǒng)配置為各種MEMS和IC應(yīng)用提供了多種優(yōu)勢(shì)。使用直接（實(shí)時(shí)）或間接對(duì)準(zhǔn)方法可以支持大量不同的對(duì)準(zhǔn)技術(shù)。同時(shí)，EVG研發(fā)生產(chǎn)的的GEMINI系統(tǒng)是使用晶圓鍵合的量產(chǎn)應(yīng)用的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。吉林鍵合...