1)斷態(tài)重復(fù)峰值電壓UDRM在控制極斷路和晶閘管正向阻斷的條件下，可以重復(fù)加在晶閘管兩端的正向峰值電壓，其數(shù)值比正向轉(zhuǎn)折電壓小100V。(2)反向重復(fù)峰值電壓URRM在控制極斷路時，可以重復(fù)加在晶閘管元件上的反向峰值電壓，此電壓數(shù)值規(guī)定比反向擊穿電壓小100V...

諸如硅砂之類）包圍組成。不同區(qū)域應(yīng)用，熔斷器式樣及安裝方式不盡相同，但熔斷器結(jié)構(gòu)構(gòu)成基本一致，如下所示：圖1.高壓熔斷器結(jié)構(gòu)組成示意圖其中，熔體材質(zhì)、熔體凹口配置、填充物質(zhì)及加工質(zhì)量都影響熔斷器分斷性能。目前，市場上EV/HEV用熔斷器熔體材質(zhì)以銀為主，熔體形...

可控硅的工作原理是什么？ 可控硅分為單向可控硅、雙向可控硅，兩者原理分別是：單向可控硅：單向可控硅能在外部控制信號作用下由關(guān)斷變?yōu)閷?dǎo)通，但一旦導(dǎo)通，外部信號就無法使其關(guān)斷，只能靠去除負載或降低其兩端電壓使其關(guān)斷； 工作原理：可控硅實際上就是一個...

采用電子線路進行保護等。目前常用的是在回路中接入吸收能量的元件，使能量得以消散，常稱之為吸收回路或緩沖電路。（4）阻容吸收回路通常過電壓均具有相對較高的頻率，因此我們常用電容可以作為企業(yè)吸收作用元件，為防止出現(xiàn)振蕩，常加阻尼電阻，構(gòu)成阻容吸收回路。阻容吸收回路...

IGBT模塊的結(jié)溫控制對于延長模塊的壽命具有重要意義。4.溫度對模塊的安全性的影響IGBT模塊的結(jié)溫升高會導(dǎo)致模塊的安全性下降。當結(jié)溫超過一定溫度時，模塊內(nèi)部元器件會出現(xiàn)失效現(xiàn)象，從而導(dǎo)致模塊的短路或開路，總之，IGBT模塊結(jié)溫的變化對模塊的電性能、可靠性、壽...

做出了能適應(yīng)于高頻應(yīng)用的晶閘管，我們將它稱為快速晶閘管。它具有關(guān)斷時間（toff）短、導(dǎo)通速度快．能耐較高的電流上升率（dI／dt）、能耐較高的電壓上升率（dv／dt）、抗干擾能力較好等特點。快速晶閘管的生產(chǎn)和應(yīng)用都進展很快。目前，已有了電流幾百安培、耐壓1千...

一個實施例提供了包括一個或多個以上限定的結(jié)構(gòu)的二極管。根據(jù)一個實施例，該二極管由一個或多個晶體管限定，晶體管具有在兩個溝槽之間延伸的至少一個溝道區(qū)域，一區(qū)域限定晶體管柵極。根據(jù)一個實施例，該二極管包括將溝道區(qū)域電連接到傳導(dǎo)層的接觸區(qū)域。根據(jù)一個實施例，一區(qū)域是...

晶閘管和可控硅，有什么區(qū)別？ 1、概念不一樣：可控硅(SiliconControlledRectifier)簡稱SCR，是一種大功率電孝改器元件，也稱晶閘管。三極管，全稱應(yīng)為半導(dǎo)體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三顫慎猜極管，是一種控制電流的半導(dǎo)體器件...

1)斷態(tài)重復(fù)峰值電壓UDRM在控制極斷路和晶閘管正向阻斷的條件下，可以重復(fù)加在晶閘管兩端的正向峰值電壓，其數(shù)值比正向轉(zhuǎn)折電壓小100V。(2)反向重復(fù)峰值電壓URRM在控制極斷路時，可以重復(fù)加在晶閘管元件上的反向峰值電壓，此電壓數(shù)值規(guī)定比反向擊穿電壓小100V...

而斷路器，只要電流一過其設(shè)定值就會跳閘，時間作用幾乎可以不用考慮。斷路器是低壓配電常用的元件。也有一部分地方適合用熔斷器。熔斷器和斷路器的性能比較：熔斷器：1、熔斷器的主要優(yōu)點和特點1）選擇性好。上下級熔斷器的熔斷體額定電流只要符合國標和IEC標準規(guī)定的過電流...

5、其它要求（1）當模塊控制變壓器負載時，如果變壓器空載，輸出電流可能會小于晶閘管芯片的擎住電流，導(dǎo)致回路中產(chǎn)生較大直流分量，嚴重時會燒掉保險絲。為了避免出現(xiàn)上述情況，可在模塊輸出端接一固定電阻，一般每相輸出電流不小于500mA（具體數(shù)據(jù)可根據(jù)試驗情況確定）。...

因此將引起各元件間電壓分配不均勻而導(dǎo)致發(fā)生損壞器件的事故。影響串聯(lián)運行電壓分配不均勻的因素主要有以下幾個：1、靜態(tài)伏安特性對靜態(tài)均壓的影響。不同元件的伏安特性差異較大，串聯(lián)使用時會使電壓分配不均衡。同時，半導(dǎo)體器件的伏安特性容易受溫度的影響，不同的結(jié)溫也會使均...

可控硅又稱晶閘管（SiliconControlledRectifier,SCR）。自從20世紀50年代問世以來已經(jīng)發(fā)展成了一個大的家族，它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管、可關(guān)斷晶可控硅閘管、快速晶閘管，等等?？煽毓?，是可控硅整流元件...

他發(fā)生在芯片外圓倒角處，有細小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細細金屬物劃痕。這是制造廠家安裝不慎所造成的。它導(dǎo)致電壓擊穿。主要用途/晶閘管編輯普通晶閘管**基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路。如果把二極管換成晶閘管，就可以構(gòu)...

且在門極伏安特性的可靠觸發(fā)區(qū)域之內(nèi)；④應(yīng)有良好的抗干擾能力、溫度穩(wěn)定性及與主電路的電氣隔離；⑤觸發(fā)脈沖型式應(yīng)有助于晶閘管元件的導(dǎo)通時間趨于一致。在高電壓大電流晶閘管串聯(lián)電路中，要求串聯(lián)的元件同一時刻導(dǎo)通，宜采用強觸發(fā)的形式。[1]晶閘管觸發(fā)方式主要有三種：①電...

[熔斷器]負荷開關(guān)與熔斷器配合使用的注意事項日期：2020-07-0808:39:22有關(guān)負荷開關(guān)與熔斷器配合使用的注意事項，熔斷器具有開斷短路電流能力，負荷開關(guān)作為負荷電流的切換，帶有撞擊器的熔斷器，配合具有脫扣裝置的負荷開關(guān)，可解決缺相運行問題。...[熔...

墓他3組上橋臂的控制信號輸入電路與圖2相同，但3組15V直流電源應(yīng)分別供電，而下橋臂的4組則共用一個15V直流電源。圖2控制信號輸入電路(2)緩沖電路緩沖電路（阻容吸收電路）主要用于抑制模塊內(nèi)部的IGBT單元的過電壓和du/出或者過電流和di/dt，同時減小I...

圖1單管，模塊的內(nèi)部等效電路多個管芯并聯(lián)時，柵極已經(jīng)加入柵極電阻，實際的等效電路如圖2所示。不同制造商的模塊，柵極電阻的阻值也不相同；不過，同一個模塊內(nèi)部的柵極電阻，其阻值是相同的。圖2單管模塊內(nèi)部的實際等效電路圖IGBT單管模塊通常稱為1in1模塊，前面的“...

1、模塊電流規(guī)格的選取考慮到電網(wǎng)電壓的波動和負載在起動時一般都比其額定電流大幾倍，且晶閘管芯片抗電流沖擊能力較差，建議您在選取模塊電流規(guī)格時應(yīng)留出適當裕量。推薦選擇如下:阻性負載:模塊標稱電流應(yīng)為負載額定電流的2倍。感性負載:模塊標稱電流應(yīng)為負載額定電流的3倍...

它由電源變壓器、電源穩(wěn)壓電路、三相同步電路及處理模塊、數(shù)字調(diào)節(jié)器、數(shù)字觸發(fā)器、六路相互隔離的脈沖輸出電路、開關(guān)量輸入、故障及報警輸出電路、模擬量處理及A/D轉(zhuǎn)換電路、按鍵參數(shù)設(shè)定及LED指示電路等部分組成。三相晶閘管觸發(fā)板技術(shù)參數(shù)⑴主電路閥側(cè)額定工作線電壓：≤...

電容單位是什么？ 納法。在國際單位制里，電容的單位是法拉，簡稱法，符號是F，由于法拉這個單位太大，所以常用的電容單位有隱配毫法（mF）、微法（μF）、納法（nF）和皮法（pF）等，換算關(guān)系是：1法拉（F）=1000毫法（mF）=1000000微法（μ...

鋰離子電池，超級電容器和燃料電池的區(qū)別?區(qū)別就是鋰電池可以存儲大量電荷，電荷存放時間很長，但是不能大電流放電。超級電容電荷存儲電荷較少，存放時間段，可以大電流放電。燃料電池就是一次性電池不能充電，用完就報廢了。這種電池電壓很低，電流也非常小，好處就是可以用很久...

[1]維持電流I：是指晶閘管維持導(dǎo)通所必需的**小電流，一般為幾十到幾百毫安。IH與結(jié)溫有關(guān)，結(jié)溫越高，則I越小。擎住電流I：是晶閘管剛從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)并移除觸發(fā)信號后，能維持導(dǎo)通所需的**小電流。對同一晶閘管來說，通常I約為I的2～4倍。[1]浪涌電流I：浪涌...

進行逆變器設(shè)計時，IGBT模塊的開關(guān)損耗評估是很重要的一個環(huán)節(jié)。而常見的損耗評估方法都是采用數(shù)據(jù)手冊中IGBT或者Diode的開關(guān)損耗的典型值，這種方法缺乏一定的準確性。本文介紹了一種采用逆變器系統(tǒng)的驅(qū)動板和母排對IGBT模塊進行損耗測試和評估的方法，通過簡單...

了解電容的內(nèi)在關(guān)鍵參數(shù)，才能快速選型，可靠使用，所有的電容的關(guān)鍵參數(shù)都是一樣的，包括電容容值、電容的耐壓值、電容的ESR、電容容值精度、電容允許的工作溫度范圍。在開關(guān)電源設(shè)計中，使用頻率的電容是陶瓷電容、電解電容、鉭電容，需要了解它們的特性差異才能快速的進行選...

超級電容器為何不同于傳統(tǒng)電容器其"超級"在哪？ ◆超級電容器在分離出的電荷中存儲能量，用于存儲電荷的面積越大、分離出的電荷越密集，其電容量越大。 ◆傳統(tǒng)電容器的面積是導(dǎo)體的平板面積，為了獲得較大的容量，導(dǎo)體材料卷制得很長，有時用特殊的組織結(jié)構(gòu)來...

5、其它要求（1）當模塊控制變壓器負載時，如果變壓器空載，輸出電流可能會小于晶閘管芯片的擎住電流，導(dǎo)致回路中產(chǎn)生較大直流分量，嚴重時會燒掉保險絲。為了避免出現(xiàn)上述情況，可在模塊輸出端接一固定電阻，一般每相輸出電流不小于500mA（具體數(shù)據(jù)可根據(jù)試驗情況確定）。...

鋁電解電容器基座的用途？ 電容器基座和絕緣板具體是是用在何用途的~比如電路板還是別的什么精確到行業(yè)！是不是所以的鋁電解電容器都需要基座配合使用?；?個用途：1，減震。大的電解電容體積較大，在運輸過程中會晃動，容易引起引線折斷。為此需要做的工作是加...

一般認為鋁電解電容器容景衰減的原因主要有以下三大原因：1.導(dǎo)針與鋁箔接觸不良導(dǎo)致接觸電阻增大造成容量衰減，如鉚接厚度超標、陽極鋁箔箔粉過多、刺鉚針和刺鉚孔處加油潤滑等原因；2.陽極箔或陰極箔含浸的電解液不足導(dǎo)致容量無法完全引出造成容量衰減，如電解液粘度高滲透能...

上拉電阻的其他作用：作用1、當TTL電路驅(qū)動CMOS電路時，如果電路輸出的高電平低于CMOS電路的高電平（一般為3.5V），這時就需要在TTL的輸出端接上拉電阻，以提高輸出高電平的值。2、OC門電路必須使用上拉電阻，以提高輸出的高電平值。3、為增強輸出引腳的驅(qū)...