IGBT(絕緣柵雙極型晶體管），是由BJT(雙極結(jié)型晶體三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型-電壓驅(qū)動(dòng)式-功率半導(dǎo)體器件,其具有自關(guān)斷的特征。簡(jiǎn)單講，是一個(gè)非通即斷的開關(guān)，IGBT沒有放大電壓的功能，導(dǎo)通時(shí)可以看做導(dǎo)線，斷開時(shí)當(dāng)做開路。IGBT...

富士IGBT智能模塊的應(yīng)用電路設(shè)計(jì)富士的IGBT-IPM模塊有很多不同的系列每一系列的主電源電壓范圍各有不同，在設(shè)計(jì)時(shí)一定要考慮其應(yīng)用的電壓范圍。600V系列主電源電壓和制動(dòng)動(dòng)作電壓都應(yīng)該在400V以下，1200v系列則要在800V以下。開關(guān)時(shí)的大浪涌電壓為：...

IGBT模塊的結(jié)溫控制對(duì)于延長(zhǎng)模塊的壽命具有重要意義。4.溫度對(duì)模塊的安全性的影響IGBT模塊的結(jié)溫升高會(huì)導(dǎo)致模塊的安全性下降。當(dāng)結(jié)溫超過一定溫度時(shí)，模塊內(nèi)部元器件會(huì)出現(xiàn)失效現(xiàn)象，從而導(dǎo)致模塊的短路或開路，總之，IGBT模塊結(jié)溫的變化對(duì)模塊的電性能、可靠性、壽...

大功率IGBT模塊及驅(qū)動(dòng)技術(shù)電力電子技術(shù)在當(dāng)今急需節(jié)能降耗的工業(yè)領(lǐng)域里起到了不可替代的作用;而igbt在諸如變頻器、大功率開關(guān)電源等電力電子技術(shù)的能量變換與管理應(yīng)用中，越來越成為各種主回路的優(yōu)先功率開關(guān)器件，因此如何安全可靠地驅(qū)動(dòng)igbt工作，也成為越來越多的...

igbt全電流和半電流的區(qū)別:IGBT工作模式不同、速度不同。1、IGBT工作模式不同。半電流驅(qū)動(dòng)模式意味著在IGBT的步驟過程中，電流為半電流。全電流驅(qū)動(dòng)模式則是在IGBT的步驟過程中將電流提高至其工作電流的最大值。2、速度不同。半電流驅(qū)動(dòng)模式速度較慢，因?yàn)?..

3、任何指針式萬用表皆可用于檢測(cè)IGBT注意判斷IGBT好壞時(shí)，一定要將萬用表撥在R&TImes;10KΩ擋，因R&TImes;1KΩ擋以下各檔萬用表內(nèi)部電池電壓太低，檢測(cè)好壞時(shí)不能使IGBT導(dǎo)通，而無法判斷IGBT的好壞。此方法同樣也可以用于檢測(cè)功率場(chǎng)效應(yīng)晶...

引起了電子雪崩，粒界層迅速變成低阻抗，電流迅速增加，泄漏了能量，抑制了過電壓，從而使晶閘管得到保護(hù)。浪涌過后，粒界層又恢復(fù)為高阻態(tài)。壓敏電阻的特性主要由下面幾個(gè)參數(shù)來表示。標(biāo)稱電壓：當(dāng)參考?jí)好綦娮柚绷?mA電流流動(dòng)，它兩端的電壓值。通流數(shù)據(jù)容量：是用前沿8微秒...

北京時(shí)間10月9日，韓聯(lián)社周一援引韓國(guó)總統(tǒng)辦公室的官方消息報(bào)道稱，韓國(guó)兩大芯片巨頭三星電子、SK海力士將被允許無限期向其中國(guó)工廠供應(yīng)美國(guó)芯片設(shè)備，而無需獲得美國(guó)的單獨(dú)批準(zhǔn)。 韓國(guó)總統(tǒng)府周一表示，美國(guó)已決定允許向三星和SK海力士中國(guó)工廠出口半導(dǎo)...

首先可用在線盤處串接燈泡的辦法大致判斷一下主板驅(qū)動(dòng)等部分是否正常;2、接上線盤先開機(jī)試一下無鍋能否正常報(bào)警，若能則關(guān)機(jī)放上鍋具，采用幾次短時(shí)(1秒左右)開機(jī)試加熱后用手摸散熱板(注意拔掉插頭以防觸電)溫度，若溫升明顯則還有問題，需進(jìn)一步查找發(fā)熱原因?3、IGB...

但是在高電平時(shí)，功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT技術(shù)高出很多。較低的壓降，轉(zhuǎn)換成一個(gè)低VCE（sat）的能力，以及IGBT的結(jié)構(gòu)，同一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)雙極器件相比，可支持更高電流密度，并簡(jiǎn)化IGBT驅(qū)動(dòng)器的原理圖。導(dǎo)通IGBT硅片的結(jié)構(gòu)與功率MOSFET的結(jié)構(gòu)十分相似，主要...

這個(gè)反電動(dòng)勢(shì)可以對(duì)電容進(jìn)行充電。這樣，正極的電壓也不會(huì)上升。如下圖：坦白說，上面的這個(gè)解釋節(jié)我寫得不是很有信心，我希望有高人出來指點(diǎn)一下。歡迎朋友在評(píng)論中留言。我會(huì)在后面寫《變頻器的輸出電流》一節(jié)中，通過實(shí)際的電流照片，驗(yàn)證這個(gè)二極管的作用?，F(xiàn)在來解釋在《變頻...

北京時(shí)間10月9日，韓聯(lián)社周一援引韓國(guó)總統(tǒng)辦公室的官方消息報(bào)道稱，韓國(guó)兩大芯片巨頭三星電子、SK海力士將被允許無限期向其中國(guó)工廠供應(yīng)美國(guó)芯片設(shè)備，而無需獲得美國(guó)的單獨(dú)批準(zhǔn)。 韓國(guó)總統(tǒng)府周一表示，美國(guó)已決定允許向三星和SK海力士中國(guó)工廠出口半導(dǎo)...

措施：在三相變壓器次級(jí)星形中點(diǎn)與地之間并聯(lián)適當(dāng)電容，就可以減小這種過電壓。與整流器并聯(lián)的其它負(fù)載切斷時(shí)，因電源回路電感產(chǎn)生感應(yīng)電勢(shì)的過電壓。變壓器空載且電源電壓過零時(shí)，初級(jí)拉閘，因變壓器激磁電流的突變，在次級(jí)感生出很高的瞬時(shí)電壓，這種電壓尖峰值可達(dá)工作電壓的6...

IGBT裸片是硅基的絕緣柵雙極晶體管芯片。裸片和晶圓級(jí)別的芯片可幫助模塊制造商提高產(chǎn)品集成度和功率密度，并有效節(jié)約電路板空間。另外，英飛凌還提供完善的塑封IGBT系列：IGBT單管。該系列芯片包括單片IGBT，以及和續(xù)流二極管集成封裝的產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于通用逆變...

供電質(zhì)量好，傳輸損耗小，效率高，節(jié)約能源，可靠性高，容易組成N＋1冗余供電系統(tǒng)，擴(kuò)展功率也相對(duì)比較容易。所以采用分布式供電系統(tǒng)可以滿足高可靠性設(shè)備的要求。、單端反激式、雙管正激式、雙單端正激式、雙正激式、推挽式、半橋、全橋等八種拓?fù)洹味苏な?、單端反激式、雙...

對(duì)于IGBT模塊我們還需判斷在有觸發(fā)電壓的情況下能否導(dǎo)通和關(guān)斷。逆變器IGBT模塊檢測(cè):將數(shù)字萬用表撥到二極管測(cè)試檔,測(cè)試IGBT模塊c1e1、c2e2之間以及柵極G與e1、e2之間正反向二極管特性,來判斷IGBT模塊是否完好。以六相模塊為例。將負(fù)載側(cè)U、V、...

晶閘管的正向漏電流比一般硅二極管反向漏電流大，且隨著管子正向陽極電壓升高而增大。當(dāng)陽極電壓升到足夠大時(shí)，會(huì)使晶閘管導(dǎo)通，稱為正向轉(zhuǎn)折或“硬開通”。多次硬開通會(huì)損壞管子。2．晶閘管加上正向陽極電壓后，還必須加上觸發(fā)電壓，并產(chǎn)生足夠的觸發(fā)電流，才能使晶閘管從阻斷轉(zhuǎn)...

當(dāng)散熱風(fēng)扇損壞中散熱片散熱不良時(shí)將導(dǎo)致IGBT模塊發(fā)熱，而發(fā)生故障。因此對(duì)散熱風(fēng)扇應(yīng)定期進(jìn)行檢查，一般在散熱片上靠近IGBT模塊的地方安裝有溫度感應(yīng)器，當(dāng)溫度過高時(shí)將報(bào)警或停止IGBT模塊工作。三、IGBT驅(qū)動(dòng)電路IGBT驅(qū)動(dòng)電路的作用主要是將單片機(jī)脈沖輸出的...

墓他3組上橋臂的控制信號(hào)輸入電路與圖2相同，但3組15V直流電源應(yīng)分別供電，而下橋臂的4組則共用一個(gè)15V直流電源。圖2控制信號(hào)輸入電路(2)緩沖電路緩沖電路（阻容吸收電路）主要用于抑制模塊內(nèi)部的IGBT單元的過電壓和du/出或者過電流和di/dt，同時(shí)減小I...

IGBT在關(guān)斷時(shí)不需要負(fù)柵壓來減少關(guān)斷時(shí)間，但關(guān)斷時(shí)間隨柵極和發(fā)射極并聯(lián)電阻的增加而增加。IGBT的開啟電壓約3～4V，和MOSFET相當(dāng)。IGBT導(dǎo)通時(shí)的飽和壓降比MOSFET低而和GTR接近，飽和壓降隨柵極電壓的增加而降低。查看詳情igbt應(yīng)用作為電力電子...

但是在高電平時(shí)，功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT技術(shù)高出很多。較低的壓降，轉(zhuǎn)換成一個(gè)低VCE（sat）的能力，以及IGBT的結(jié)構(gòu)，同一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)雙極器件相比，可支持更高電流密度，并簡(jiǎn)化IGBT驅(qū)動(dòng)器的原理圖。導(dǎo)通IGBT硅片的結(jié)構(gòu)與功率MOSFET的結(jié)構(gòu)十分相似，主要...

igbt簡(jiǎn)介IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)...

使IGBT導(dǎo)通。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT關(guān)斷。IGBT的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET，所以具有高輸入阻抗特性。當(dāng)MOSFET的溝道形成后，從P+基極注入到N一層的空穴（少子），對(duì)N一層進(jìn)行電導(dǎo)...

大功率IGBT模塊及驅(qū)動(dòng)技術(shù)電力電子技術(shù)在當(dāng)今急需節(jié)能降耗的工業(yè)領(lǐng)域里起到了不可替代的作用;而igbt在諸如變頻器、大功率開關(guān)電源等電力電子技術(shù)的能量變換與管理應(yīng)用中，越來越成為各種主回路的優(yōu)先功率開關(guān)器件，因此如何安全可靠地驅(qū)動(dòng)igbt工作，也成為越來越多的...

怎樣檢測(cè)變頻器逆變模塊？（2）判斷IGBT極性及好壞的方法判斷IGBT極性：選擇指針萬用表R×100Ω或R×1KΩ檔分別測(cè)量IGBT的任兩個(gè)極之間的正反向電阻，其中一極與其他兩極之間的正反向電阻均為無窮大，則判定該極為IGBT的柵極（G）。測(cè)量另外兩極的正反向...

晶閘管等元件通過整流來實(shí)現(xiàn)。除此之外整流器件還有很多，如：可關(guān)斷晶閘管GTO，逆導(dǎo)晶閘管，雙向晶閘管，整流模塊，功率模塊IGBT，SIT，MOSFET等等，這里只探討晶閘管。晶閘管又名可控硅，通常人們都叫可控硅。是一種功率半導(dǎo)體器件，由于它效率高，控制特性好，...

igbt簡(jiǎn)介IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)...

IGBT(絕緣柵雙極型晶體管），是由BJT(雙極結(jié)型晶體三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型-電壓驅(qū)動(dòng)式-功率半導(dǎo)體器件,其具有自關(guān)斷的特征。簡(jiǎn)單講，是一個(gè)非通即斷的開關(guān)，IGBT沒有放大電壓的功能，導(dǎo)通時(shí)可以看做導(dǎo)線，斷開時(shí)當(dāng)做開路。IGBT...

可控硅可控硅簡(jiǎn)稱SCR，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅(qū)動(dòng)器件，實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動(dòng)系統(tǒng)中得到了的應(yīng)用。可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種。...

上）特斯拉IGBT市場(chǎng)商機(jī)三大廠商旗艦產(chǎn)品逐個(gè)看深圳比亞迪微電子近期更名并設(shè)立新公司，要發(fā)威了？簡(jiǎn)介特性應(yīng)用相關(guān)內(nèi)容igbt簡(jiǎn)介IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕...