晶閘管智能模塊電流規(guī)格的選取方法 考慮到晶閘管智能模塊產(chǎn)品一般都是非正弦電流，存在導通角的問題并且負載電流有一定的波動性和不穩(wěn)定因素，且晶閘管芯片抗電流沖擊能力較差，在選取模塊電流規(guī)格時需要留出一定余量。推薦選擇方法可按照以下公式計算： I>K×I負載×U較大∕U實際 K ：安全系數(shù)，阻性負載K= 1.5，感性負載K= 2； I負載：負載流過的較大電流； U實際：負載上的較大電壓； U較大：模塊能輸出的較大電壓；（三相整流模塊為輸入電壓的1.35倍，單相整流模塊為輸入電壓的0.9倍，其余規(guī)格均為1.0倍）； I：需要選擇模塊的較大電流,模塊標稱的電...

對其它情況電阻值均為無窮大。由此可迅速判定G、K極，剩下的就是A極。2．檢查觸發(fā)能力如圖2(a)所示，首先將表Ⅰ的黑表筆接A極，紅表筆接K極，電阻為無窮大；然后用黑表筆尖也同時接觸G極，加上正向觸發(fā)信號，表針向右偏轉(zhuǎn)到低阻值即表明GTO已經(jīng)導通；脫開G極，只要GTO維持通態(tài)，就說明被測管具有觸發(fā)能力。3．檢查關(guān)斷能力現(xiàn)采用雙表法檢查GTO的關(guān)斷能力，如圖2(b)所示，表Ⅰ的檔位及接法保持不變。將表Ⅱ撥于R×10檔，紅表筆接G極，黑表筆接K極，施以負向觸發(fā)信號，如果表Ⅰ的指針向左擺到無窮大位置，證明GTO具有關(guān)斷能力。4．估測關(guān)斷增益βoff進行到第3步時，先不接入表Ⅱ，記下在GTO導通...

而稱之為主電極T1、T2。[15]檢測單向晶閘管：萬用表置于“R×10Ω”擋，黑表筆接控制極G，紅表筆接陰極K，測量其正向電阻，應有較小的阻值。對調(diào)兩表筆測其反向電阻，應比正向電阻明顯大一些。測量控制極G與陽極A之間的正、反向電阻，均應為無窮大。這是因為G、A間為兩個PN結(jié)反向串聯(lián)，不論正、反向均不應導通，否則晶閘管已壞。[16]檢測雙向晶閘管：萬用表置于“R×1Ω”擋，兩表筆測量控制極G與主電極T1間的正、反向電阻，均應為較小阻值。測量控制極G與主電極T2間的正、反向電阻，均應為無窮大。[17]檢測單向晶閘管導通特性：萬用表置于“R×1Ω”擋，黑表筆接陽極A，紅表筆接陰極K，表針指示...

晶閘管智能模塊過流保護： 加熱爐在實際工作中因加熱絲溫度上升，會導致加熱絲變形，如果加熱絲沒有采取良好的固定措施，會慢慢變形直至兩處加熱絲挨到一塊，形成短路，短路后會使電流增大，電流過大后會超過模塊的額定電流，燒毀模塊，為了限制電流過大，必須采取過流保護措施，一般再模塊的輸入端分別串聯(lián)快速熔斷器來限制比較大電流，熔斷器額定電流值一般取負載的額定電流或略大于負載額定電流，必須保證小于晶閘管智能模塊的額定電流，快速熔斷器額定電流過大將起不到保護作用。 誠摯的歡迎業(yè)界新朋老友走進正高電氣！濟南MTAC150晶閘管智能模塊報價 金屬封裝晶閘管又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封晶閘...

對其它情況電阻值均為無窮大。由此可迅速判定G、K極，剩下的就是A極。2．檢查觸發(fā)能力如圖2(a)所示，首先將表Ⅰ的黑表筆接A極，紅表筆接K極，電阻為無窮大；然后用黑表筆尖也同時接觸G極，加上正向觸發(fā)信號，表針向右偏轉(zhuǎn)到低阻值即表明GTO已經(jīng)導通；脫開G極，只要GTO維持通態(tài)，就說明被測管具有觸發(fā)能力。3．檢查關(guān)斷能力現(xiàn)采用雙表法檢查GTO的關(guān)斷能力，如圖2(b)所示，表Ⅰ的檔位及接法保持不變。將表Ⅱ撥于R×10檔，紅表筆接G極，黑表筆接K極，施以負向觸發(fā)信號，如果表Ⅰ的指針向左擺到無窮大位置，證明GTO具有關(guān)斷能力。4．估測關(guān)斷增益βoff進行到第3步時，先不接入表Ⅱ，記下在GTO導通...

軟啟動器可分為有級和無極兩類，前者的調(diào)節(jié)是分檔的；后者的調(diào)節(jié)是連續(xù)的。傳統(tǒng)的軟起動器均是有級的。下面我們就是主要介紹下無級類，它們是液阻軟起動、磁控軟起動和晶閘管軟起動。在電動機定子回路，通過串入有限流作用的電力電子器件實現(xiàn)軟起動，叫做降壓或者限流軟起動，它是軟起動中的一個重要類別。按限流器件不同可分為：以電解液限流的液阻軟起動，以磁飽和電抗器為限流啟動的磁控軟啟動，以晶閘管為限流器件的晶閘管軟起動。變頻調(diào)速器也是一種軟起動裝置，它是比較理想的一種，它可以在限流同時保持高的起動轉(zhuǎn)矩。價格貴是制約其作為軟起動應用的重要因素，它主要用在變頻調(diào)速系統(tǒng)中。一、液阻軟起動器液阻是一種由電解液形成...

IC1D及其周圍電路構(gòu)成壓控時鐘，其輸出信號的周期隨調(diào)節(jié)器的輸出電壓VK而線性變化。壓控時鐘信號輸入到IC6的11P，作為數(shù)字觸發(fā)的時鐘CL0K0。數(shù)字觸發(fā)的特征是用計數(shù)（時鐘脈沖）的辦法來實現(xiàn)移相，6路整流移相觸發(fā)脈沖均由IC6產(chǎn)生，IC2C、IC2D及其周圍電路組成定輸出脈寬電路。6路整流移相觸發(fā)脈沖經(jīng)IC5晶體管陳列放大后，驅(qū)動整流脈沖變壓器輸出，這里脈沖變壓器采用的是反激工作方式。共設有2個調(diào)節(jié)器：中頻電壓/電流調(diào)節(jié)器、逆變角調(diào)節(jié)器。其中電壓/電流調(diào)節(jié)器（IC3C），是常規(guī)的PI調(diào)節(jié)器，在啟動和運行的整個階段，該環(huán)始終參與工作；逆變角調(diào)節(jié)器（IC3B）用于使逆變橋能在某一θ角下...

是一種具有三個PN結(jié)的功率型半導體器件。常見的晶閘管有塑封式、陶瓷封裝式、金屬殼封裝式和大功率螺栓式等形狀。晶體閘流管可分為：單向晶閘管、雙向晶閘管、可關(guān)斷晶閘管等多種。[12]晶體閘流管的文字符號為“VS”，圖形符號如圖示。晶閘管的主要參數(shù)有：額定通態(tài)平均電流、正反向阻斷峰值電壓、維持電流、控制極觸發(fā)電壓和電流等。使用時應注意不能超過其極限參數(shù)指標，并留有一定余量，以免造成器件損壞。[13]晶閘管具有三個電極。單向晶閘管的三個電極是：陽極A、陰極K、控制極G。雙向晶閘管的三個電極是：兩個主電極T1、T2以及控制極G。使用中應注意識別。[14]晶閘管具有可控的單向?qū)щ娦裕床坏哂幸话?..

晶閘管智能模塊的輸出特性 模塊的控制電壓與控制角α的關(guān)系因負載性質(zhì)和電路形式的不同而有所區(qū)別： 單相交流調(diào)壓模塊用于阻性負載時，α有效范圍為0°～ 180°，控制電壓對應0.5V～9.5V。 單相整流調(diào)壓模塊用于阻性負載時，α有效范圍為0°～180°，控制電壓對應0.5V～9.5V；感性負載時α范圍為0°～90°，控制電壓對應于5V～9.5V。 三相全控整流調(diào)壓模塊用于阻性負載時，α有效范圍為0°～120°，控制電壓對應2V～8V；感性負載時α范圍為0°～90°，控制電壓對應于3.5V～8V。 三相半控整流調(diào)壓模塊用于阻性負載時，α有效范圍為0°～180°，控...

晶閘管智能模塊電流規(guī)格的選取方法 考慮到晶閘管智能模塊產(chǎn)品一般都是非正弦電流，存在導通角的問題并且負載電流有一定的波動性和不穩(wěn)定因素，且晶閘管芯片抗電流沖擊能力較差，在選取模塊電流規(guī)格時需要留出一定余量。推薦選擇方法可按照以下公式計算： I>K×I負載×U較大∕U實際 K ：安全系數(shù)，阻性負載K= 1.5，感性負載K= 2； I負載：負載流過的較大電流； U實際：負載上的較大電壓； U較大：模塊能輸出的較大電壓；（三相整流模塊為輸入電壓的1.35倍，單相整流模塊為輸入電壓的0.9倍，其余規(guī)格均為1.0倍）； I：需要選擇模塊的較大電流,模塊標稱的電...

[1]單結(jié)管即單結(jié)晶體管，又稱為雙基極二極管，是一種具有一個PN結(jié)和兩個歐姆電極的負阻半導體器件。常見的有陶瓷封裝和金屬殼封裝的單結(jié)晶體管。[2]單結(jié)晶體管可分為N型基極單結(jié)管和P型基極單結(jié)管兩大類。單結(jié)晶體管的文字符號為“VT”，圖形符號如圖所示。[3]單結(jié)晶體管的主要參數(shù)有：①分壓比η，指單結(jié)晶體管發(fā)射極E至基極B1間的電壓（不包括PN結(jié)管壓降）在兩基極間電壓中所占的比例。②峰點電壓UP，是指單結(jié)晶體管剛開始導通時的發(fā)射極E與基極B1的電壓，其所對應的發(fā)射極電流叫做峰點電流IP。③谷點電壓UV，是指單結(jié)晶體管由負阻區(qū)開始進入飽和區(qū)時的發(fā)射極E與基極B1間的電壓，其所對應的發(fā)射極電流...

但是在設定電流限值時必須要根據(jù)電動機的初始轉(zhuǎn)矩來設定，否則設置過小會起動失敗或燒壞電機。此種起動方式起動時間相對較長。圖3限流起動4、突跳起動這種起動方式主要應用在負載相對較重的工作環(huán)境下。在轉(zhuǎn)矩控制的基礎(chǔ)下，在起動的瞬間采用一個突跳轉(zhuǎn)矩用來克服負載的靜轉(zhuǎn)矩，然后轉(zhuǎn)矩在逐漸上升，直至電動機到達正常工作狀態(tài)。這種起動方式的優(yōu)點是可以縮短起動時間，起動較重的負載，但在起動的時候會對電網(wǎng)產(chǎn)生一定的沖擊，影響同一電網(wǎng)下其他負荷的工作。圖4突跳起動5、軟停車軟停車的實際上就相當于相反軟起動過程，主要作用是消除了系統(tǒng)的反慣性沖擊，對于泵類負載來講就是克服了“水錘”效應。其主要過程是在電動機實行軟停...

這里的電壓差定義為：晶閘管調(diào)功器的另外一種接法是三角形連接：晶閘管電阻絲串聯(lián)角接兩種方法的控制方式?jīng)]有區(qū)別，不再贅述。電阻星形接法與三角形接法有什么不同假設有三個電阻絲R1，R2，R3，電阻絲的阻值相等，供電電源為220V對稱三相電源，把三個電阻絲分別接成星形和三角形兩種接法，如果供電電源發(fā)出的電流相等，那么，電阻絲的阻值如何選擇？電阻絲星接上圖中，三個阻值相同的阻抗連接成星形結(jié)構(gòu)，它們構(gòu)成了對稱三相負載，對于A相電路來說，電阻R流過的電流為：而對于采用三角形連接的電阻，如下圖所示：電阻絲角接線電流Ia等于流經(jīng)電阻R的電流Iab與流經(jīng)電阻R的Iac的和，當三相對稱電源分別接星形接法的對...

并提高了PNP管的電流放大系數(shù)a1,產(chǎn)生更大的極電極電流Ic1流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié)。這樣強烈的正反饋過程迅速進行。從圖3，當a1和a2隨發(fā)射極電流增加而（a1+a2）≈1時，式（1—1）中的分母1-（a1+a2）≈0,因此提高了晶閘管的陽極電流Ia.這時，流過晶閘管的電流完全由主回路的電壓和回路電阻決定。晶閘管已處于正向?qū)顟B(tài)。式（1—1）中，在晶閘管導通后，1-（a1+a2）≈0,即使此時門極電流Ig=0,晶閘管仍能保持原來的陽極電流Ia而繼續(xù)導通。晶閘管在導通后，門極已失去作用。在晶閘管導通后，如果不斷的減小電源電壓或增大回路電阻，使陽極電流Ia減小到維持電流IH以下時，由于a1...

使設備進入穩(wěn)態(tài)運行。若一次起動不成功，即自動調(diào)頻電路沒有抓住中頻電壓反饋信號，此時，它激信號便會一直掃描到比較低頻率，重復起動電路一旦檢測到它激信號進入到比較低頻段，便進行一次再起動，把它激信號再推到比較高頻率，重新掃描一次，直至起動成功，重復起動的周期約為。由CON2-1和CON2-2輸入的中頻電壓信號，經(jīng)IC1A轉(zhuǎn)換成方波信號，輸入到IC6的30角，由IC6的15P、16P輸出的逆變觸發(fā)信號。經(jīng)IC7A隔離放大后，驅(qū)動逆變觸發(fā)CMOS晶體管Q5、Q6。IC4B和IC4C構(gòu)成逆變壓控時鐘，輸入到IC6的33腳CLOK2；同時又由IC7B進行頻壓轉(zhuǎn)換后用于驅(qū)動頻率表。W6微調(diào)電位器用于...

當C5上的電壓上升到氛管的導通電壓時，雙向晶閘管就會被觸發(fā)導通。另一種是用兩個NPN型三極管反向串聯(lián)（基極開路）代替雙向觸發(fā)二極管，調(diào)壓效果還不錯。再有一種是用RC電路取代雙向觸發(fā)二極管，調(diào)壓效果要差一些，在對調(diào)壓器性能要求不高的情況下可以使用。雙向晶閘管能不能也采用單結(jié)晶體管張弛振蕩器組成的觸發(fā)電路呢？雙向晶閘管的特點是不論給它的控制極加上正的或負的觸發(fā)脈沖都能使它導通，所以，單結(jié)晶體管張弛振蕩器同樣可以作為雙向晶閘管的觸發(fā)電路。這種觸發(fā)電路調(diào)壓效果很好，只是電路比較復雜。由于單結(jié)晶體管張弛振蕩器必須由直流電源供電，所以應用橋式整流電路得到全波脈動直流電壓，再經(jīng)過穩(wěn)壓管VD削波成為梯...

并提高了PNP管的電流放大系數(shù)a1,產(chǎn)生更大的極電極電流Ic1流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié)。這樣強烈的正反饋過程迅速進行。從圖3，當a1和a2隨發(fā)射極電流增加而（a1+a2）≈1時，式（1—1）中的分母1-（a1+a2）≈0,因此提高了晶閘管的陽極電流Ia.這時，流過晶閘管的電流完全由主回路的電壓和回路電阻決定。晶閘管已處于正向?qū)顟B(tài)。式（1—1）中，在晶閘管導通后，1-（a1+a2）≈0,即使此時門極電流Ig=0,晶閘管仍能保持原來的陽極電流Ia而繼續(xù)導通。晶閘管在導通后，門極已失去作用。在晶閘管導通后，如果不斷的減小電源電壓或增大回路電阻，使陽極電流Ia減小到維持電流IH以下時，由于a1...

構(gòu)成一個PNP型三極管和一個NPN型三極管的復合管圖2當晶閘管承受正向陽極電壓時，為使晶閘管導銅，必須使承受反向電壓的PN結(jié)J2失去阻擋作用。圖2中每個晶體管的集電極電流同時就是另一個晶體管的基極電流。因此，兩個互相復合的晶體管電路，當有足夠的門機電流Ig流入時，就會形成強烈的正反饋，造成兩晶體管飽和導通，晶體管飽和導通。設PNP管和NPN管的集電極電流相應為Ic1和Ic2；發(fā)射極電流相應為Ia和Ik；電流放大系數(shù)相應為a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，設流過J2結(jié)的反相漏電電流為Ic0,晶閘管的陽極電流等于兩管的集電極電流和漏電流的總和：Ia=Ic1+Ic2+Ic0或Ia=a1...

過流保護如果想得到較安全的過流保護，建議用戶優(yōu)先使用內(nèi)部帶過流保護功能的模塊。另外還可采用外接快速熔斷器、快速過電流繼電器、傳感器的方法?？焖偃蹟嗥魇?*簡單常用的方法，介紹如下：（1）快速熔斷器的選擇：①、熔斷器的額定電壓應大于模塊輸入端電壓；②、熔斷器的額定電流應為模塊標稱輸入電流的，按照計算值選擇相同電流或稍大一點的熔斷器。模塊輸入、輸出電流的換算關(guān)系參考本本博客有關(guān)文章。用戶也可根據(jù)經(jīng)驗和試驗自行確定熔斷器的額定電流。（2）接線方法：快速熔斷器接在模塊的輸入端，負載接輸出端。2、過壓保護晶閘管承受過電壓的能力較差，當元件承受的反向電壓超過其反向擊穿電壓時，即使時間很短，也會造成元...

晶閘管智能模塊的選擇 晶閘管智能模塊是電加熱爐控制裝置中**關(guān)鍵的功率器件，整機裝置是否工作可靠與正確選擇智能可控硅調(diào)壓模塊的額定電壓、額定電流等參數(shù)有很大關(guān)系，選型的原則是考慮工作可靠性，即電流、電壓必須留有足夠余量。一般加熱爐額定電壓為380V，選擇工作電壓為460V的晶閘管智能模塊，其他電壓的晶閘管智能模塊需要訂做。對晶閘管智能模塊電流的選擇，必須考慮加熱爐爐絲（或加熱件）的額定工作電流及智能可控硅調(diào)壓模塊的比較大輸出電壓值，如果加熱絲為NTC或PTC特性的（即加熱絲額定電流隨溫度變化，開機時溫度很低，額定電流會很大或加熱到比較高溫度時，額定電流會很大或加熱到比較高溫度時，額定電...

晶閘管智能調(diào)壓模塊的使用方法 1、各功能端相對com端必須為正，若com端為負極，極性相反，則晶閘管智能調(diào)壓模塊主回路輸出端可能失控。 2、晶閘管智能調(diào)壓模塊各功能端的控制特性均為正極性，即控制電壓越高，模塊強電主回路輸出電壓越高。 3、晶閘管智能調(diào)壓模塊在某一時刻宜使用一種輸入控制方式，若2種以上方式同時輸入使用，則輸入信號較強的一種起主要作用。 4、晶閘管智能調(diào)壓模塊電源為上進下出，三相交流電路的進線R、S、T無相序要求，導線粗細按實際使用電流選擇。 5、晶閘管智能調(diào)壓模塊N線*為模塊內(nèi)部開關(guān)電源用，用1平方細導線即可，N線與各輸入控制端之間為全隔離絕緣設...

現(xiàn)在想要設計一個硬件電路，用單片機控制晶閘管來控制白熾燈燈光的亮度（220V的）。想問一下，晶閘管怎么連接在電路中？怎么和零線火線連接？單片機怎么和晶閘管連接？晶閘管上有還有...現(xiàn)在想要設計一個硬件電路，用單片機控制晶閘管來控制白熾燈燈光的亮度（220V的）。晶閘管怎么連接在電路中？怎么和零線火線連接？單片機怎么和晶閘管連接？晶閘管上有還有4個接頭，，現(xiàn)代科技理論與生產(chǎn)實踐相結(jié)合的基礎(chǔ)上，依托科研單位的多年技術(shù)積累、深厚的技術(shù)底蘊，是專業(yè)從事智能電網(wǎng)、無功補償、電能質(zhì)量產(chǎn)品研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和服務為一體的高科技企業(yè)；是智能電網(wǎng)、無功補償、電能質(zhì)量整體解決方案前列供應商；目前所提供的產(chǎn)品...

晶閘管模塊的應用方法 1、模塊的控制功能端口定義 +12V： 外接 +12V直流電源正極。 GND： 直流電源地線。 GND1: 控制信號地線，與GND 相通。 CON10V: 0～10V 控制信號輸入。 TESTE： 檢測電源,可外接 4.7K～20K電位器，取出0～10V 信號。 CON20mA：4～20mA控制信號輸入。 2、模塊的控制端口與控制線 模塊控制端接口有5腳、9腳和15腳三種形式，分別對應于5芯、9芯、15芯的控制線。采用電壓信號的產(chǎn)品只用**腳端口，其余為空腳，采用電流信號的9腳為信號輸入，控制線的屏...

滿足晶閘管模塊工作的必要條件 晶閘管模塊使用中一定要具有以下條件： （1）+12V直流電源：模塊內(nèi)部控制電路的工作電源。 ①輸出電壓要求：+12V電源：12±0.5V ，紋波電壓小于20mv 。 ②輸出電流要求：標稱電流小于500安培產(chǎn)品：I+12V＞0.5A，標稱電流大于500安培產(chǎn)品：I+12V＞ 1A。 （2）控制信號： 0～10V或4～20mA控制信號，用于對輸出電壓大小進行調(diào)整的控制信號，正極接CON10V或CON20mA，負極接GND1。 （3）供電電源和負載：供電電源一般為電網(wǎng)電源，電壓460V以下的或者供電變壓器，接模塊的輸入端子；負載為...

由于晶閘管在導通期間，載流子充滿元件內(nèi)部，所以元件在關(guān)斷過程中，正向電壓下降到零時，內(nèi)部仍殘存著載流子。這些積蓄的載流子在反向電壓作用下瞬時出現(xiàn)較大的反向電流，使積蓄載流子迅速消失，這時反向電流消失的極快，即di/dt極大。因此即使和元件串連的線路電感L很小，電感產(chǎn)生的感應電勢L（di/dt）值仍很大，這個電勢與電源電壓串聯(lián)，反向加在已恢復阻斷的元件上，可能導致晶閘管的反向擊穿。這種由于晶閘管關(guān)斷引起的過電壓，稱為關(guān)斷過電壓，其數(shù)值可達工作電壓峰值的5～6倍，所以必須采取措施。阻容吸收電路中電容器把過電壓的電磁能量變成靜電能量存貯，電阻防止電容與電感產(chǎn)生諧振、限制晶閘管開通損耗與電流上...

額定電壓V1mA的下限是線路工作電壓峰值，考慮到電網(wǎng)電壓的波動以及多次承受沖擊電流以后V1mA值可能下降，因此，額定電壓的取值應適當提高。目前通常采用30[%]的余量計算。V1mA≥√2?U式中U――壓敏電阻兩端正常工作電壓的有效值。壓敏電阻的數(shù)量：三相整流模塊和三相交流模塊均為三只、單相整流模塊和單相交流模塊均為一只。全部接在交流輸入端。3、過熱保護晶閘管在電流通過時，會產(chǎn)生一定的壓降，而壓降的存在則會產(chǎn)生一定的功耗，電流越大則功耗越大，產(chǎn)生的熱量也就越大。如果不把這些熱量快速散掉，會造成燒壞晶閘管芯片的問題。因此要求使用晶閘管模塊時，一定要安裝散熱器。散熱條件的好壞，是影響模塊能否...

晶閘管智能模塊的選擇 晶閘管智能模塊是電加熱爐控制裝置中**關(guān)鍵的功率器件，整機裝置是否工作可靠與正確選擇智能可控硅調(diào)壓模塊的額定電壓、額定電流等參數(shù)有很大關(guān)系，選型的原則是考慮工作可靠性，即電流、電壓必須留有足夠余量。一般加熱爐額定電壓為380V，選擇工作電壓為460V的晶閘管智能模塊，其他電壓的晶閘管智能模塊需要訂做。對晶閘管智能模塊電流的選擇，必須考慮加熱爐爐絲（或加熱件）的額定工作電流及智能可控硅調(diào)壓模塊的比較大輸出電壓值，如果加熱絲為NTC或PTC特性的（即加熱絲額定電流隨溫度變化，開機時溫度很低，額定電流會很大或加熱到比較高溫度時，額定電流會很大或加熱到比較高溫度時，額定電...

1)安裝1)按電路元件明細表配齊元件，并對元件進行檢測。2)在面包板上根據(jù)電路圖合理安排元件的位置。3)安裝元件，確認無誤后調(diào)試。(2)調(diào)試安裝完畢的電路經(jīng)檢查確認無誤后，接通電源進行調(diào)試。先調(diào)控制電路，然后再調(diào)試主電路。控制電路的調(diào)試步驟是：在控制電路接上電源后，先用示波器觀察穩(wěn)壓管兩端的電壓波形，應為梯形波；再觀察電容器兩端的電壓波形，應為鋸齒波；調(diào)節(jié)電位器RP，鋸齒波的頻率有均勻的變化。表12—2所示為觸發(fā)電路各點的波形圖。主電路的調(diào)試步驟是：用調(diào)壓器給主電路加一個低電壓(40～50V)，用示波器觀察晶閘管陽、陰極之間的電壓波形。波形上有一部分是一條平線，它是晶閘管的導通部分；調(diào)...

2）要準確測量GTO的關(guān)斷增益βoff，必須有**測試設備。但在業(yè)余條件下可用上述方法進行估測。由于測試條件不同，測量結(jié)果*供參考，或作為相對比較的依據(jù)。逆導晶閘管RCT(Reverse-ConductingThyristir)亦稱反向?qū)ňчl管。其特點是在晶閘管的陽極與陰極之間反向并聯(lián)一只二極管，使陽極與陰極的發(fā)射結(jié)均呈短路狀態(tài)。由于這種特殊電路結(jié)構(gòu)，使之具有耐高壓、耐高溫、關(guān)斷時間短、通態(tài)電壓低等優(yōu)良性能。例如，逆導晶閘管的關(guān)斷時間*幾微秒，工作頻率達幾十千赫，優(yōu)于快速晶閘管（FSCR）。該器件適用于開關(guān)電源、UPS不間斷電源中，一只RCT即可代替晶閘管和續(xù)流二極管各一只，不僅使用...

晶閘管（Thyristor）是晶體閘流管的簡稱，又可稱做可控硅整流器，以前被簡稱為可控硅；1957年美國通用電器公司開發(fā)出世界上晶閘管產(chǎn)品，并于1958年使其商業(yè)化；晶閘管是PNPN四層半導體結(jié)構(gòu)，它有三個極：陽極，陰極和門極；晶閘管工作條件為：加正向電壓且門極有觸發(fā)電流；其派生器件有：快速晶閘管，雙向晶閘管，逆導晶閘管，光控晶閘管等。它是一種大功率開關(guān)型半導體器件，在電路中用文字符號為“V”、“VT”表示（舊標準中用字母“SCR”表示）。晶閘管具有硅整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下工作，且其工作過程可以控制、被應用于可控整流、交流調(diào)壓、無觸點電子開關(guān)、逆變及變頻等電子電路中。...