是一種具有三個(gè)PN結(jié)的功率型半導(dǎo)體器件。常見的晶閘管有塑封式、陶瓷封裝式、金屬殼封裝式和大功率螺栓式等形狀。晶體閘流管可分為：單向晶閘管、雙向晶閘管、可關(guān)斷晶閘管等多種。[12]晶體閘流管的文字符號(hào)為“VS”，圖形符號(hào)如圖示。晶閘管的主要參數(shù)有：額定通態(tài)平均電流、正反向阻斷峰值電壓、維持電流、控制極觸發(fā)電壓和電流等。使用時(shí)應(yīng)注意不能超過其極限參數(shù)指標(biāo)，并留有一定余量，以免造成器件損壞。[13]晶閘管具有三個(gè)電極。單向晶閘管的三個(gè)電極是：陽極A、陰極K、控制極G。雙向晶閘管的三個(gè)電極是：兩個(gè)主電極T1、T2以及控制極G。使用中應(yīng)注意識(shí)別。[14]晶閘管具有可控的單向?qū)щ娦?，即不但具有一?..

由于晶閘管在導(dǎo)通期間，載流子充滿元件內(nèi)部，所以元件在關(guān)斷過程中，正向電壓下降到零時(shí)，內(nèi)部仍殘存著載流子。這些積蓄的載流子在反向電壓作用下瞬時(shí)出現(xiàn)較大的反向電流，使積蓄載流子迅速消失，這時(shí)反向電流消失的極快，即di/dt極大。因此即使和元件串連的線路電感L很小，電感產(chǎn)生的感應(yīng)電勢L（di/dt）值仍很大，這個(gè)電勢與電源電壓串聯(lián)，反向加在已恢復(fù)阻斷的元件上，可能導(dǎo)致晶閘管的反向擊穿。這種由于晶閘管關(guān)斷引起的過電壓，稱為關(guān)斷過電壓，其數(shù)值可達(dá)工作電壓峰值的5～6倍，所以必須采取措施。阻容吸收電路中電容器把過電壓的電磁能量變成靜電能量存貯，電阻防止電容與電感產(chǎn)生諧振、限制晶閘管開通損耗與電流上...

當(dāng)周圍光線較弱時(shí)，RG呈現(xiàn)高電阻，VD5右端電位升高，電容C充電速率加快，振蕩頻率變高，VS導(dǎo)通角增大，電燈兩端電壓升高、高度增大。當(dāng)周圍光線增強(qiáng)時(shí)，RG電阻變小，與上述相反，電燈兩端電壓變低，高度減小。元器件選擇與制作調(diào)試調(diào)試時(shí)，將RP調(diào)到阻值為零位置，S置于位置2，用萬用表測電燈兩端交流電應(yīng)在200V以上，如低于200V可略減小R1或增大R3阻值，使之達(dá)到要求。光敏電阻RG應(yīng)安裝在臺(tái)燈底座側(cè)面臺(tái)燈光線不能直接照射的地方，用來感受周圍環(huán)境照度。調(diào)光臺(tái)燈的燈泡宜用40W的白熾燈。調(diào)整好的電路即可投入使用；S撥向2為普通調(diào)光臺(tái)燈，調(diào)RP可選擇適當(dāng)?shù)母呙芏?；S撥向1為自動(dòng)臺(tái)燈，先調(diào)RP選擇...

晶閘管模塊使用注意事項(xiàng) 科學(xué)合理的選型和適當(dāng)?shù)木S護(hù)可有效延長產(chǎn)品的使用壽命，用戶可參考以下標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行產(chǎn)品的維護(hù)和保養(yǎng)： （1）初次使用該產(chǎn)品的用戶一定要熟讀說明書，了解產(chǎn)品的基本情況和使用方法； （2）在產(chǎn)品選型時(shí)根據(jù)使用條件按標(biāo)準(zhǔn)要留出足夠的電流余量，并保證足夠的散熱條件。 （3）工作場所環(huán)境溫度范圍：-25℃～+45℃； （4）模塊周圍應(yīng)干燥、通風(fēng)、遠(yuǎn)離熱源、無塵、無腐蝕性液體和氣體； （5）模塊不能當(dāng)作隔離開關(guān)使用，為保證安全，模塊前面需加空氣開關(guān)； （6）模塊各緊固螺釘一定要擰緊，避免因接觸不良導(dǎo)致次生熱量產(chǎn)生，且會(huì)降低通過的電流量。初次使用...

水冷裝置在作此項(xiàng)調(diào)試時(shí)，必須通水冷卻。當(dāng)調(diào)試場地的電源供不出裝置的額定電流時(shí)，額定電流的整定，可放在現(xiàn)場滿負(fù)荷運(yùn)行時(shí)進(jìn)行。但是，應(yīng)先在小電流的狀況下，判定一下電流取樣回路的工作是否正常。（W5）主控板上的DIP開關(guān)均撥在OFF位置，面板上的“給定”電位器逆時(shí)針旋至**小。把示波器接在Q5或Q6的管殼上，測逆變觸發(fā)脈沖的它激頻率（它激頻率可以通過W6來調(diào)節(jié)），調(diào)節(jié)W5微調(diào)電位器，使頻率表的讀數(shù)與示波器測得的相一致。若中頻電源用的是**中頻頻率表，則可免去此步調(diào)試。但還是推薦使用直流毫安表頭改制的頻率表，這一方面是可以測得比較高它激頻率，另一方面是價(jià)格便宜。（W6）首先檢查逆變晶閘管的門級(jí)線...

普通晶閘管普通晶閘管（SCR）是由PNPN四層半導(dǎo)體材料構(gòu)成的三端半導(dǎo)體器件，三個(gè)引出端分另為陽極A、陰極K和門極G、圖8-4是其電路圖形符號(hào)。普通晶閘管的陽極與陰極之間具有單向?qū)щ姷男阅埽鋬?nèi)部可以等效為由一只PNP晶閘管和一只NPN晶閘管組成的組合管，如圖8-5所示。當(dāng)晶閘管反向連接（即A極接電源負(fù)端，K極接電源正端）時(shí)，無論門極G所加電壓是什么極性，晶閘管均處于阻斷狀態(tài)。當(dāng)晶閘管正向連接（即A極接電源正端，K極接電源負(fù)端）時(shí)，若門極G所加觸發(fā)電壓為負(fù)時(shí)，則晶閘管也不導(dǎo)通，只有其門極G加上適當(dāng)?shù)恼蛴|發(fā)電壓時(shí)，晶閘管才能由阻斷狀態(tài)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。此時(shí)，晶閘管陽極A極與陰極K極之間呈低...

金屬封裝晶閘管又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封晶閘管又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。（四）按電流容量分類晶閘管按電流容量可分為大功率晶閘管、**率晶閘管和小功率晶閘管三種。通常，大功率晶閘管多采用金屬殼封裝，而中、小功率晶閘管則多采用塑封或陶瓷封裝。（五）按關(guān)斷速度分類晶閘管按其關(guān)斷速度可分為普通晶閘管和高頻（快速）晶閘管。晶閘管的工作原理晶閘管T在工作過程中，它的陽極A和陰極K與電源和負(fù)載連接，組成晶閘管的主電路，晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接，組成晶閘管的控制電路。晶閘管的工作條件：1.晶閘管承受反向陽極電壓時(shí)，不管門極承受和種電壓，晶閘管都處于關(guān)短狀態(tài)。...

模塊內(nèi)部晶閘管主要參數(shù) （1）正反向峰值耐壓：≥1400V； （2）di／dt：100A／μs； （3）dv／dt：500V／μs 晶閘管智能模塊的應(yīng)用方法 模塊的控制功能端口 模塊可應(yīng)用于各行各業(yè)需要對(duì)電力能量大小進(jìn)行調(diào)整和變換的場合。如變壓器調(diào)壓；加熱行業(yè)調(diào)溫；金屬加工行業(yè)的電鍍、電解；電源行業(yè)電池充放電、電源穩(wěn)壓；電磁行業(yè)的勵(lì)磁以及各行業(yè)使用的直流電機(jī)調(diào)速、交流電機(jī)軟起動(dòng)等。 模塊如何使用？ 模塊的使用非常簡單，只需用一個(gè)可調(diào)的電壓或者電流信號(hào)即可對(duì)模塊輸出電壓的大小進(jìn)行平滑調(diào)節(jié)，從而實(shí)現(xiàn)弱電對(duì)強(qiáng)電的控制。 電壓或電流信號(hào)可取自各...

當(dāng)C5上的電壓上升到氛管的導(dǎo)通電壓時(shí)，雙向晶閘管就會(huì)被觸發(fā)導(dǎo)通。另一種是用兩個(gè)NPN型三極管反向串聯(lián)（基極開路）代替雙向觸發(fā)二極管，調(diào)壓效果還不錯(cuò)。再有一種是用RC電路取代雙向觸發(fā)二極管，調(diào)壓效果要差一些，在對(duì)調(diào)壓器性能要求不高的情況下可以使用。雙向晶閘管能不能也采用單結(jié)晶體管張弛振蕩器組成的觸發(fā)電路呢？雙向晶閘管的特點(diǎn)是不論給它的控制極加上正的或負(fù)的觸發(fā)脈沖都能使它導(dǎo)通，所以，單結(jié)晶體管張弛振蕩器同樣可以作為雙向晶閘管的觸發(fā)電路。這種觸發(fā)電路調(diào)壓效果很好，只是電路比較復(fù)雜。由于單結(jié)晶體管張弛振蕩器必須由直流電源供電，所以應(yīng)用橋式整流電路得到全波脈動(dòng)直流電壓，再經(jīng)過穩(wěn)壓管VD削波成為梯...

晶閘管（Thyristor）是晶體閘流管的簡稱，又可稱做可控硅整流器，以前被簡稱為可控硅；1957年美國通用電器公司開發(fā)出世界上晶閘管產(chǎn)品，并于1958年使其商業(yè)化；晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，它有三個(gè)極：陽極，陰極和門極；晶閘管工作條件為：加正向電壓且門極有觸發(fā)電流；其派生器件有：快速晶閘管，雙向晶閘管，逆導(dǎo)晶閘管，光控晶閘管等。它是一種大功率開關(guān)型半導(dǎo)體器件，在電路中用文字符號(hào)為“V”、“VT”表示（舊標(biāo)準(zhǔn)中用字母“SCR”表示）。晶閘管具有硅整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下工作，且其工作過程可以控制、被應(yīng)用于可控整流、交流調(diào)壓、無觸點(diǎn)電子開關(guān)、逆變及變頻等電子電路中。...

檢測兩基極間電阻：兩表筆（不分正、負(fù)）接單結(jié)晶體管除發(fā)射極E以外的兩個(gè)管腳，讀數(shù)應(yīng)為3～10kΩ。[7]檢測PN結(jié)正向電阻（N基極管為例，下同）：黑表筆接發(fā)射極E，紅表筆分別接兩個(gè)基極，讀數(shù)均應(yīng)為數(shù)千歐。對(duì)調(diào)兩表筆后檢測PN結(jié)反向電阻，讀數(shù)均應(yīng)為無窮大。如果測量結(jié)果與上述不符，說明被測單結(jié)管已損壞。[8]測量單結(jié)晶體管的分壓比η：按圖示搭接一個(gè)測量電路，用萬用表“直流10V”擋測出C2上的電壓UC2，再按公式η=UC2/UB計(jì)算即可。[9]單結(jié)晶體管的基本應(yīng)用是組成脈沖產(chǎn)生電路，包括振蕩器、波形發(fā)生器等，并可使電路結(jié)構(gòu)大為簡化。圖示為單結(jié)晶體管弛張振蕩器。單結(jié)管VT的發(fā)射極輸出鋸齒波，...

[1]單結(jié)管即單結(jié)晶體管，又稱為雙基極二極管，是一種具有一個(gè)PN結(jié)和兩個(gè)歐姆電極的負(fù)阻半導(dǎo)體器件。常見的有陶瓷封裝和金屬殼封裝的單結(jié)晶體管。[2]單結(jié)晶體管可分為N型基極單結(jié)管和P型基極單結(jié)管兩大類。單結(jié)晶體管的文字符號(hào)為“VT”，圖形符號(hào)如圖所示。[3]單結(jié)晶體管的主要參數(shù)有：①分壓比η，指單結(jié)晶體管發(fā)射極E至基極B1間的電壓（不包括PN結(jié)管壓降）在兩基極間電壓中所占的比例。②峰點(diǎn)電壓UP，是指單結(jié)晶體管剛開始導(dǎo)通時(shí)的發(fā)射極E與基極B1的電壓，其所對(duì)應(yīng)的發(fā)射極電流叫做峰點(diǎn)電流IP。③谷點(diǎn)電壓UV，是指單結(jié)晶體管由負(fù)阻區(qū)開始進(jìn)入飽和區(qū)時(shí)的發(fā)射極E與基極B1間的電壓，其所對(duì)應(yīng)的發(fā)射極電流...

但是在設(shè)定電流限值時(shí)必須要根據(jù)電動(dòng)機(jī)的初始轉(zhuǎn)矩來設(shè)定，否則設(shè)置過小會(huì)起動(dòng)失敗或燒壞電機(jī)。此種起動(dòng)方式起動(dòng)時(shí)間相對(duì)較長。圖3限流起動(dòng)4、突跳起動(dòng)這種起動(dòng)方式主要應(yīng)用在負(fù)載相對(duì)較重的工作環(huán)境下。在轉(zhuǎn)矩控制的基礎(chǔ)下，在起動(dòng)的瞬間采用一個(gè)突跳轉(zhuǎn)矩用來克服負(fù)載的靜轉(zhuǎn)矩，然后轉(zhuǎn)矩在逐漸上升，直至電動(dòng)機(jī)到達(dá)正常工作狀態(tài)。這種起動(dòng)方式的優(yōu)點(diǎn)是可以縮短起動(dòng)時(shí)間，起動(dòng)較重的負(fù)載，但在起動(dòng)的時(shí)候會(huì)對(duì)電網(wǎng)產(chǎn)生一定的沖擊，影響同一電網(wǎng)下其他負(fù)荷的工作。圖4突跳起動(dòng)5、軟停車軟停車的實(shí)際上就相當(dāng)于相反軟起動(dòng)過程，主要作用是消除了系統(tǒng)的反慣性沖擊，對(duì)于泵類負(fù)載來講就是克服了“水錘”效應(yīng)。其主要過程是在電動(dòng)機(jī)實(shí)行軟停...

晶閘管智能模塊電流規(guī)格的選取方法 考慮到晶閘管智能模塊產(chǎn)品一般都是非正弦電流，存在導(dǎo)通角的問題并且負(fù)載電流有一定的波動(dòng)性和不穩(wěn)定因素，且晶閘管芯片抗電流沖擊能力較差，在選取模塊電流規(guī)格時(shí)需要留出一定余量。推薦選擇方法可按照以下公式計(jì)算： I>K×I負(fù)載×U較大∕U實(shí)際 K ：安全系數(shù)，阻性負(fù)載K= 1.5，感性負(fù)載K= 2； I負(fù)載：負(fù)載流過的較大電流； U實(shí)際：負(fù)載上的較大電壓； U較大：模塊能輸出的較大電壓；（三相整流模塊為輸入電壓的1.35倍，單相整流模塊為輸入電壓的0.9倍，其余規(guī)格均為1.0倍）； I：需要選擇模塊的較大電流,模塊標(biāo)稱的電...

晶閘管智能模塊的散熱要求 模塊散熱條件的好壞直接關(guān)系到產(chǎn)品的使用壽命和短時(shí)過載能力，溫度越低模塊的輸出電流越大，所以在使用中一定要配備散熱器和風(fēng)機(jī)，建議采用帶有過熱保護(hù)功能的產(chǎn)品，有水冷散熱條件的優(yōu)先選擇水冷散熱。我們經(jīng)過嚴(yán)格測算，確定了不同型號(hào)的產(chǎn)品所應(yīng)該配備的散熱器型號(hào)，推薦采用廠家配套的散熱器和風(fēng)機(jī)，用戶自備時(shí)按以下原則選取： 1、軸流風(fēng)機(jī)的風(fēng)速應(yīng)大于6m/s ； 2、一定要能保證模塊正常工作時(shí)散熱底板溫度不大于 80℃； 3、模塊負(fù)載較輕時(shí)，可減小散熱器的大小或采用自然冷卻； 4、采用自然方式冷卻時(shí)散熱器周圍的空氣能實(shí)現(xiàn)對(duì)流并適當(dāng)增大散熱器面積； ...

以具有自關(guān)斷能力，使用方便，是理想的高壓、大電流開關(guān)器件。GTO的容量及使用壽命均超過巨型晶體管（GTR），只是工作頻紡比GTR低。目前，GTO已達(dá)到3000A、4500V的容量。大功率可關(guān)斷晶閘管已用于斬波調(diào)速、變頻調(diào)速、逆變電源等領(lǐng)域，顯示出強(qiáng)大的生命力?？申P(guān)斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件，其結(jié)構(gòu)及等效電路和普通晶閘管相同，因此圖1*繪出GTO典型產(chǎn)品的外形及符號(hào)。大功率GTO大都制成模塊形式。盡管GTO與SCR的觸發(fā)導(dǎo)通原理相同，但二者的關(guān)斷原理及關(guān)斷方式截然不同。這是由于普通晶閘管在導(dǎo)通之后即外于深度飽和狀態(tài)，而GTO在導(dǎo)通后只能達(dá)到臨界飽和，所以GTO門極上加負(fù)向觸發(fā)信號(hào)...

晶閘管智能模塊的選擇 晶閘管智能模塊是電加熱爐控制裝置中**關(guān)鍵的功率器件，整機(jī)裝置是否工作可靠與正確選擇智能可控硅調(diào)壓模塊的額定電壓、額定電流等參數(shù)有很大關(guān)系，選型的原則是考慮工作可靠性，即電流、電壓必須留有足夠余量。一般加熱爐額定電壓為380V，選擇工作電壓為460V的晶閘管智能模塊，其他電壓的晶閘管智能模塊需要訂做。對(duì)晶閘管智能模塊電流的選擇，必須考慮加熱爐爐絲（或加熱件）的額定工作電流及智能可控硅調(diào)壓模塊的比較大輸出電壓值，如果加熱絲為NTC或PTC特性的（即加熱絲額定電流隨溫度變化，開機(jī)時(shí)溫度很低，額定電流會(huì)很大或加熱到比較高溫度時(shí)，額定電流會(huì)很大或加熱到比較高溫度時(shí)，額定電...

[1]單結(jié)管即單結(jié)晶體管，又稱為雙基極二極管，是一種具有一個(gè)PN結(jié)和兩個(gè)歐姆電極的負(fù)阻半導(dǎo)體器件。常見的有陶瓷封裝和金屬殼封裝的單結(jié)晶體管。[2]單結(jié)晶體管可分為N型基極單結(jié)管和P型基極單結(jié)管兩大類。單結(jié)晶體管的文字符號(hào)為“VT”，圖形符號(hào)如圖所示。[3]單結(jié)晶體管的主要參數(shù)有：①分壓比η，指單結(jié)晶體管發(fā)射極E至基極B1間的電壓（不包括PN結(jié)管壓降）在兩基極間電壓中所占的比例。②峰點(diǎn)電壓UP，是指單結(jié)晶體管剛開始導(dǎo)通時(shí)的發(fā)射極E與基極B1的電壓，其所對(duì)應(yīng)的發(fā)射極電流叫做峰點(diǎn)電流IP。③谷點(diǎn)電壓UV，是指單結(jié)晶體管由負(fù)阻區(qū)開始進(jìn)入飽和區(qū)時(shí)的發(fā)射極E與基極B1間的電壓，其所對(duì)應(yīng)的發(fā)射極電流...

晶閘管智能模塊過流保護(hù)： 加熱爐在實(shí)際工作中因加熱絲溫度上升，會(huì)導(dǎo)致加熱絲變形，如果加熱絲沒有采取良好的固定措施，會(huì)慢慢變形直至兩處加熱絲挨到一塊，形成短路，短路后會(huì)使電流增大，電流過大后會(huì)超過模塊的額定電流，燒毀模塊，為了限制電流過大，必須采取過流保護(hù)措施，一般再模塊的輸入端分別串聯(lián)快速熔斷器來限制比較大電流，熔斷器額定電流值一般取負(fù)載的額定電流或略大于負(fù)載額定電流，必須保證小于晶閘管智能模塊的額定電流，快速熔斷器額定電流過大將起不到保護(hù)作用。 正高電氣不斷從事技術(shù)革新，改進(jìn)生產(chǎn)工藝，提高技術(shù)水平。聊城MTAC150晶閘管智能模塊組件 使C5上的電壓達(dá)到雙向觸發(fā)二極管的轉(zhuǎn)折電...

晶閘管智能模塊的選擇 晶閘管智能模塊是電加熱爐控制裝置中**關(guān)鍵的功率器件，整機(jī)裝置是否工作可靠與正確選擇智能可控硅調(diào)壓模塊的額定電壓、額定電流等參數(shù)有很大關(guān)系，選型的原則是考慮工作可靠性，即電流、電壓必須留有足夠余量。一般加熱爐額定電壓為380V，選擇工作電壓為460V的晶閘管智能模塊，其他電壓的晶閘管智能模塊需要訂做。對(duì)晶閘管智能模塊電流的選擇，必須考慮加熱爐爐絲（或加熱件）的額定工作電流及智能可控硅調(diào)壓模塊的比較大輸出電壓值，如果加熱絲為NTC或PTC特性的（即加熱絲額定電流隨溫度變化，開機(jī)時(shí)溫度很低，額定電流會(huì)很大或加熱到比較高溫度時(shí)，額定電流會(huì)很大或加熱到比較高溫度時(shí)，額定電...

使得VD1~VD4所組成的橋路不通，作為負(fù)載的燈泡中無電流流過，燈泡不亮。以下是一款簡單的光敏電阻延時(shí)節(jié)電開關(guān)電路圖，它是由三個(gè)接線端子［1］、［2］、［3］，三端低壓直流電源［4］，延時(shí)電路由（W↓〔1〕、R↓〔1〕、C↓〔1〕構(gòu)成），脈沖電路（由R↓〔2〕、BG↓〔1〕構(gòu)成），無觸點(diǎn)開關(guān)電路（由SCR↓〔1〕、R↓〔2〕、D↓〔1〕、SCR↓〔2〕構(gòu)成。它具有電路簡單、成本低、體積小、布線簡單、使用方便、經(jīng)久耐用、節(jié)電顯著、用電設(shè)備壽命長的特點(diǎn)。光敏電阻光控?zé)綦娐穲D（三）：基于光敏電阻的亮度自動(dòng)調(diào)節(jié)臺(tái)燈電路圖本方案介紹的自動(dòng)調(diào)光臺(tái)燈能根據(jù)周圍環(huán)境亮度強(qiáng)弱自動(dòng)調(diào)整臺(tái)燈發(fā)光量。當(dāng)環(huán)境亮...

2）要準(zhǔn)確測量GTO的關(guān)斷增益βoff，必須有**測試設(shè)備。但在業(yè)余條件下可用上述方法進(jìn)行估測。由于測試條件不同，測量結(jié)果*供參考，或作為相對(duì)比較的依據(jù)。逆導(dǎo)晶閘管RCT(Reverse-ConductingThyristir)亦稱反向?qū)ňчl管。其特點(diǎn)是在晶閘管的陽極與陰極之間反向并聯(lián)一只二極管，使陽極與陰極的發(fā)射結(jié)均呈短路狀態(tài)。由于這種特殊電路結(jié)構(gòu)，使之具有耐高壓、耐高溫、關(guān)斷時(shí)間短、通態(tài)電壓低等優(yōu)良性能。例如，逆導(dǎo)晶閘管的關(guān)斷時(shí)間*幾微秒，工作頻率達(dá)幾十千赫，優(yōu)于快速晶閘管（FSCR）。該器件適用于開關(guān)電源、UPS不間斷電源中，一只RCT即可代替晶閘管和續(xù)流二極管各一只，不僅使用...

IC1D及其周圍電路構(gòu)成壓控時(shí)鐘，其輸出信號(hào)的周期隨調(diào)節(jié)器的輸出電壓VK而線性變化。壓控時(shí)鐘信號(hào)輸入到IC6的11P，作為數(shù)字觸發(fā)的時(shí)鐘CL0K0。數(shù)字觸發(fā)的特征是用計(jì)數(shù)（時(shí)鐘脈沖）的辦法來實(shí)現(xiàn)移相，6路整流移相觸發(fā)脈沖均由IC6產(chǎn)生，IC2C、IC2D及其周圍電路組成定輸出脈寬電路。6路整流移相觸發(fā)脈沖經(jīng)IC5晶體管陳列放大后，驅(qū)動(dòng)整流脈沖變壓器輸出，這里脈沖變壓器采用的是反激工作方式。共設(shè)有2個(gè)調(diào)節(jié)器：中頻電壓/電流調(diào)節(jié)器、逆變角調(diào)節(jié)器。其中電壓/電流調(diào)節(jié)器（IC3C），是常規(guī)的PI調(diào)節(jié)器，在啟動(dòng)和運(yùn)行的整個(gè)階段，該環(huán)始終參與工作；逆變角調(diào)節(jié)器（IC3B）用于使逆變橋能在某一θ角下...

逆變橋進(jìn)入工作狀態(tài)，開始起振，若不起振，表現(xiàn)為它激信號(hào)反復(fù)作掃頻動(dòng)作，可調(diào)節(jié)中頻電壓互感器的相位，即把中頻電壓互感器20V繞組的輸出線對(duì)調(diào)一下。若把中頻電壓互感器20V繞組的輸出線對(duì)調(diào)后，仍然起動(dòng)不起來。此時(shí)應(yīng)確認(rèn)一下槽路的諧振頻率是否正確，可以用電容/電感表測量一下電熱電容器的電容量及感應(yīng)器的電感量，計(jì)算出槽路的諧振頻率，當(dāng)槽路的諧振頻率處在比較高它激頻率的，起動(dòng)應(yīng)該是很容易的。再著就是檢查一下逆變晶閘管是否有損壞的。（W3W4）逆變起振后，可做整定逆變引前然的工作，把DIP開關(guān)均打在OFF位置，用示波器觀察電壓互感器100V繞組的波形，調(diào)節(jié)主控板上W4微調(diào)電位器，使逆變換相引前角在...

晶閘管智能模塊工作原理 晶閘管智能模塊用于電加熱控制柜內(nèi)，通過溫控儀表的溫度傳感器來采集爐內(nèi)溫度，然后由恒溫儀表來控制智能可控硅調(diào)壓模塊的輸出電壓，形成一個(gè)溫度閉環(huán)系統(tǒng)，來保持爐內(nèi)溫度恒定。 晶閘管智能模塊過壓保護(hù)： 晶閘管智能模塊工作時(shí)由導(dǎo)通到截止時(shí)或因雷擊及其他原因都會(huì)產(chǎn)生能量較大，持續(xù)時(shí)間較長的過電壓，此電壓直接作用與晶閘管上會(huì)使晶閘管超過額定電壓而擊穿，為了保護(hù)晶閘管，常采用壓敏電阻吸收與阻容吸收的方法來吸收過電壓，有效避免晶閘管被擊穿。 正高電氣以精良的產(chǎn)品品質(zhì)和優(yōu)先的售后服務(wù)，全過程滿足客戶的***需求。MTAC480晶閘管智能模塊批發(fā) ...

過流保護(hù)如果想得到較安全的過流保護(hù)，建議用戶優(yōu)先使用內(nèi)部帶過流保護(hù)功能的模塊。另外還可采用外接快速熔斷器、快速過電流繼電器、傳感器的方法?？焖偃蹟嗥魇?*簡單常用的方法，介紹如下：（1）快速熔斷器的選擇：①、熔斷器的額定電壓應(yīng)大于模塊輸入端電壓；②、熔斷器的額定電流應(yīng)為模塊標(biāo)稱輸入電流的，按照計(jì)算值選擇相同電流或稍大一點(diǎn)的熔斷器。模塊輸入、輸出電流的換算關(guān)系參考本本博客有關(guān)文章。用戶也可根據(jù)經(jīng)驗(yàn)和試驗(yàn)自行確定熔斷器的額定電流。（2）接線方法：快速熔斷器接在模塊的輸入端，負(fù)載接輸出端。2、過壓保護(hù)晶閘管承受過電壓的能力較差，當(dāng)元件承受的反向電壓超過其反向擊穿電壓時(shí)，即使時(shí)間很短，也會(huì)造成元...

限流作用的強(qiáng)弱調(diào)節(jié)使靜止的。無接觸的。非機(jī)械式的，這就為微電子技術(shù)打開了大門。所以，在工作原理上磁控軟起動(dòng)和晶閘管軟起動(dòng)是完全相同的。說磁飽和軟起動(dòng)能實(shí)現(xiàn)軟停止，能夠具有晶閘管軟起動(dòng)所具有的幾乎全部功能，其原因概出于此。高壓磁飽和電抗器在原理和結(jié)構(gòu)上與低壓（380V）磁飽和電抗器沒有本質(zhì)的區(qū)別，只是在某些方面需要采取一些特殊的處理罷了。磁飽和電抗器具有，這使磁控軟起動(dòng)的快速性比晶閘管慢一個(gè)數(shù)量級(jí)。對(duì)于電動(dòng)機(jī)系統(tǒng)的大慣性來說，磁控軟起動(dòng)的慣性是不足為慮的。有人說磁控軟起動(dòng)不產(chǎn)生高次諧波，這是錯(cuò)誤的。只要飽和。就一定會(huì)有非線性，就一定會(huì)引起高次諧波，只是磁飽和電抗器產(chǎn)生的高次諧波會(huì)比工作于...

晶閘管(可控硅)兩端為什么并聯(lián)電阻和電容在實(shí)際晶閘管(可控硅)電路中，常在其兩端并聯(lián)RC串聯(lián)網(wǎng)絡(luò)，該網(wǎng)絡(luò)常稱為RC阻容吸收電路。我們知道，晶閘管(可控硅)有一個(gè)重要特性參數(shù)－斷態(tài)電壓臨界上升率dlv/dlt。它表明晶閘管(可控硅)在額定結(jié)溫和門極斷路條件下，使晶閘管(可控硅)從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)的比較低電壓上升率。若電壓上升率過大，超過了晶閘管(可控硅)的電壓上升率的值，則會(huì)在無門極信號(hào)的情況下開通。即使此時(shí)加于晶閘管(可控硅)的正向電壓低于其陽極峰值電壓，也可能發(fā)生這種情況。因?yàn)榫чl管(可控硅)可以看作是由三個(gè)PN結(jié)組成。在晶閘管(可控硅)處于阻斷狀態(tài)下，因各層相距很近，其J2結(jié)結(jié)面相當(dāng)于...

限流作用的強(qiáng)弱調(diào)節(jié)使靜止的。無接觸的。非機(jī)械式的，這就為微電子技術(shù)打開了大門。所以，在工作原理上磁控軟起動(dòng)和晶閘管軟起動(dòng)是完全相同的。說磁飽和軟起動(dòng)能實(shí)現(xiàn)軟停止，能夠具有晶閘管軟起動(dòng)所具有的幾乎全部功能，其原因概出于此。高壓磁飽和電抗器在原理和結(jié)構(gòu)上與低壓（380V）磁飽和電抗器沒有本質(zhì)的區(qū)別，只是在某些方面需要采取一些特殊的處理罷了。磁飽和電抗器具有，這使磁控軟起動(dòng)的快速性比晶閘管慢一個(gè)數(shù)量級(jí)。對(duì)于電動(dòng)機(jī)系統(tǒng)的大慣性來說，磁控軟起動(dòng)的慣性是不足為慮的。有人說磁控軟起動(dòng)不產(chǎn)生高次諧波，這是錯(cuò)誤的。只要飽和。就一定會(huì)有非線性，就一定會(huì)引起高次諧波，只是磁飽和電抗器產(chǎn)生的高次諧波會(huì)比工作于...

雙向晶閘管看起來與單向晶閘管的外形差不多，也有三個(gè)電極，它的主要工作特性是什么呢？雙向晶閘管相當(dāng)于兩個(gè)單向晶閘管的反向并聯(lián)，但只有一個(gè)控制極。這樣，雙向晶閘管在正、反兩個(gè)方向上都能夠控制導(dǎo)電，而單向晶閘管卻是一種可控的單方向?qū)щ娖骷?。給雙向晶閘管的控制極加正的或負(fù)的觸發(fā)脈沖，都能使管子觸發(fā)導(dǎo)通。這樣，觸發(fā)電路的設(shè)計(jì)就具有很大的靈活性，可以采用多種不同的觸發(fā)方式。此外，雙向晶閘管的兩個(gè)主電極不再分為陽極和陰極，而是稱為電極T1和第二電極T2。雙向晶閘管在電路中不能用作可控整流元件，主要用來進(jìn)行交流調(diào)壓、交流開關(guān)、可逆直流調(diào)速等等。雙向晶閘管觸發(fā)電路中，使用了雙向觸發(fā)二極管，我們過去沒有聽...