晶圓閘閥手動(dòng)閥

微泰高壓閘閥可以應(yīng)用于多種設(shè)備，如蒸發(fā)、濺射、金剛石生長(zhǎng)、PECV、PVD集群、卷對(duì)卷、涂層、蝕刻、擴(kuò)散和CVD等。它具有陶瓷球機(jī)構(gòu)產(chǎn)生的低顆粒和易于維護(hù)等特點(diǎn)，可替代VAT閘閥。該閥門(mén)的規(guī)格包括手動(dòng)或氣動(dòng)驅(qū)動(dòng)方式、1.5英寸至14英寸的法蘭尺寸、CF法蘭類(lèi)型、焊接波紋管連接方式、氟橡膠O型圈/Kalrez O型環(huán)/EPDM閥門(mén)密封、氟橡膠O型圈閥蓋密封、≤2秒響應(yīng)時(shí)間、1.5?至6?的操作壓力范圍為1×10-10 mbar至1400 mbar，8?至14?的操作壓力范圍為1×10-10 mbar至1200 mbar、≤30 mbar的開(kāi)始時(shí)壓差、≤1400 mbar的6?以下閘門(mén)差動(dòng)壓力和≤1200 mbar的8?至14?閘門(mén)差動(dòng)壓力、<1×10 -10 Mbar/秒的泄漏率、250,000次維護(hù)前可用次數(shù)、閥體溫度≤200°、機(jī)構(gòu)溫度≤80°C、烤爐溫度≤150°C、閥體不銹鋼304或316L和驅(qū)動(dòng)器鋁6061陽(yáng)極氧化、任意安裝位置和4至7 bar的N2操作壓力。此外，微泰高壓閘閥已在中國(guó)臺(tái)灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來(lái)西亞的英菲尼亞半導(dǎo)體、日本Micron、三星半導(dǎo)體和其他設(shè)備上得到應(yīng)用。如果您需要了解更多關(guān)于微泰高壓閘閥的信息，請(qǐng)聯(lián)系上海安宇泰環(huán)保科技有限公司。非金屬材料高壓閘閥有陶瓷閥門(mén)、玻璃閥門(mén)、塑料閥門(mén)。晶圓閘閥手動(dòng)閥

微泰，高壓閘閥應(yīng)用于? Evaporation（蒸發(fā)）? Sputtering（濺射）? Diamond growth by MW-PACVD（通過(guò)MW-PACVD生長(zhǎng)金剛石）? PECV? PVD? Coating（涂層）? Etch（蝕刻）? Diffusion（擴(kuò)散）?CVD（化學(xué)氣相沉積）等設(shè)備上。可替代VAT閘閥。其特點(diǎn)是*陶瓷球機(jī)構(gòu)產(chǎn)生的低顆粒*使用維修配件工具包易于維護(hù)*應(yīng)用:隔離泵。高壓閘閥規(guī)格如下：驅(qū)動(dòng)方式：手動(dòng)或氣動(dòng)、法蘭尺寸：1.5英寸~ 14英寸、法蘭類(lèi)型：CF、連接方式：焊接波紋管、閥門(mén)密封：氟橡膠O型圈/Kalrez O型環(huán)/EPDM、閥蓋密封：氟橡膠O型圈、響應(yīng)時(shí)間：≤ 2 sec、操作壓力范圍：1.5? ~ 6? : 1×10-10 mbar to 1400 mbar，8? ~ 14? : 1×10-10 mbar to 1200 mbar 、開(kāi)始時(shí)的壓差：≤ 30 mbar、閘門(mén)的差動(dòng)壓力：1.5? ~ 6? : ≤ 1400 mbar / 8? ~ 14? ≤ 1200 mbar、泄漏率：< 1×10 -10 Mbar/秒、維護(hù)前可用次數(shù)：250,000次、閥體溫度≤ 200 °、機(jī)構(gòu)溫度≤ 80 °C、烤爐溫度≤ 150 °C、材料：閥體(不銹鋼304或316L)/驅(qū)動(dòng)器(鋁6061陽(yáng)極氧化)、安裝位置：任意、操作壓力(N2)：4 ~ 7 bar。有中國(guó)臺(tái)灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來(lái)西亞的英菲尼亞半導(dǎo)體、日本Micron、三星半導(dǎo)體和其它的設(shè)備使用業(yè)績(jī)，上海安宇泰環(huán)?？萍加邢薰尽Ｊ謩?dòng)閘閥TRANSFER VALVE真空閘閥廣泛應(yīng)用于各個(gè)行業(yè)，包括半導(dǎo)體制造、研發(fā)、分析類(lèi)儀器和真空鍍膜。

微泰主要產(chǎn)品有1、-手動(dòng)鎖定閥：操作鎖定按鈕關(guān)閉正在抽吸中的切斷閥門(mén)切斷現(xiàn)象的源頭：2、特殊閥門(mén)：全金屬配件構(gòu)成，由電磁閥+傳感器+D-Sub+角閥組成；3、三位閥：半開(kāi)功能的壓力控制閥。氣動(dòng)閘閥：?產(chǎn)品范圍：1.5~30英寸?高壓/超高壓都可用?維護(hù)前可用次數(shù)：25萬(wàn)次?響應(yīng)時(shí)間：0.2秒~3秒；手動(dòng)（鎖定）閘閥?產(chǎn)品范圍：1.5~12英寸?高壓/超高壓都可用?維護(hù)前可用次數(shù)：25萬(wàn)次；專(zhuān)門(mén)用閘閥：產(chǎn)品范圍：1.5~12英寸?高壓/超高壓都可用?維護(hù)前可用次數(shù)：25萬(wàn)次，響應(yīng)時(shí)間：0.2秒客戶(hù)指定的法蘭，可安裝角閥；三位閘閥：產(chǎn)品范圍：2.5~12英寸?高壓/超高壓都可用?維護(hù)前可用次數(shù)：20萬(wàn)次?響應(yīng)時(shí)間：0.2秒~3秒；有中國(guó)臺(tái)灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來(lái)西亞的英菲尼亞半導(dǎo)體、日本Micron、三星半導(dǎo)體和其它的設(shè)備使用業(yè)績(jī)，可替代HVA閘閥、VAT閘閥。上海安宇泰環(huán)?？萍加邢薰尽?/p>

微泰半導(dǎo)體主加工設(shè)備腔內(nèi)精確壓力控制的閘閥，控制系統(tǒng)閘閥，控制閘閥、控制系統(tǒng)插板閥、控制系統(tǒng)閘閥具有可隔離的閘閥，以滑動(dòng)方式操作，可以在高真空環(huán)境中實(shí)現(xiàn)精確的壓力控制。如半導(dǎo)體等高真空工藝應(yīng)用。控制系統(tǒng)閘閥是自動(dòng)控制到用戶(hù)指定的值，通過(guò)控制器和步進(jìn)電機(jī)保持一致的真空壓力。微泰半導(dǎo)體閘閥被廣泛應(yīng)用于 Evaporation（蒸發(fā)）、Sputtering（濺射）、Diamond growth by MW-PACVD（通過(guò) MW-PACVD 生長(zhǎng)金剛石）、PECV、PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對(duì)卷）、Coating（涂層）、Etch（蝕刻）、Diffusion（擴(kuò)散）、CVD（化學(xué)氣相沉積）等設(shè)備上，可替代 HVA 閘閥、VA T閘閥。有中國(guó)臺(tái)灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來(lái)西亞的英菲尼亞半導(dǎo)體、日本Micron、三星半導(dǎo)體和其它的設(shè)備使用業(yè)績(jī)。該閘閥由上海安宇泰環(huán)?？萍加邢薰咎峁?。微泰半導(dǎo)體主加工設(shè)備腔內(nèi)精確壓力控制的閘閥，三重防護(hù)閘閥應(yīng)用于? Evaporation（蒸發(fā)）等設(shè)備。

微泰半導(dǎo)體閘閥具有獨(dú)特的三重保護(hù)保護(hù)環(huán)機(jī)能：采用鋁質(zhì)材料，減輕重量的同時(shí)提高保護(hù)環(huán)內(nèi)部粗糙度，有效防止工程副產(chǎn)物的堆積黏附；通過(guò)提升保護(hù)環(huán)內(nèi)部流速設(shè)計(jì)，且保護(hù)環(huán)逐步收窄，進(jìn)一步提升流速，防止粉塵黏附；采用三元系 O 型圈，確保保護(hù)環(huán)驅(qū)動(dòng)穩(wěn)定，可保證 30 萬(wàn)次驅(qū)動(dòng)。該閘閥被廣泛應(yīng)用于 Evaporation（蒸發(fā)）、Sputtering（濺射）、Diamond growth by MW-PACVD（通過(guò) MW-PACVD 生長(zhǎng)金剛石）、PECV、PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對(duì)卷）、Coating（涂層）、Etch（蝕刻）、Diffusion（擴(kuò)散）、CVD（化學(xué)氣相沉積）等設(shè)備上，能夠替代 HVA 閘閥、VAT 閘閥。此閘閥由上海安宇泰環(huán)?？萍加邢薰咎峁??？刂葡到y(tǒng)閘閥?？刂葡到y(tǒng)閘閥具有可隔離的閘閥，以滑動(dòng)方式操作，可以在高真空環(huán)境中實(shí)現(xiàn)精確的壓力控制。手動(dòng)閘閥TRANSFER VALVE

為了避免在顆粒敏感應(yīng)用中產(chǎn)生顆粒，滑動(dòng)閘門(mén)機(jī)構(gòu)的設(shè)計(jì)旨在避免閥殼處的摩擦。晶圓閘閥手動(dòng)閥

微泰半導(dǎo)體主加工設(shè)備腔內(nèi)精確壓力控制的閘閥，應(yīng)用于? Evaporation（蒸發(fā)）? Sputtering（濺射）? Diamond growth by MW-PACVD（通過(guò)MW-PACVD生長(zhǎng)金剛石）? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對(duì)卷）? Coating（涂層）? Etch（蝕刻）? Diffusion（擴(kuò)散）?CVD（化學(xué)氣相沉積）等設(shè)備上。這節(jié)介紹加熱閘閥、加熱式閘閥護(hù)套、加熱器插入式閥門(mén)。帶加熱器閘閥，加熱器插入閘閥：產(chǎn)品范圍：2~12英寸?高壓/超高壓都可用?維護(hù)前可用次數(shù)：20萬(wàn)次?響應(yīng)時(shí)間：0.2秒~3秒；客戶(hù)指定法蘭，加熱溫度：450℃；蝶形閥；蝶閥：產(chǎn)品范圍：DN40、DN50隔離?泄漏率：1.0E-9mbar·l/秒；有中國(guó)臺(tái)灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來(lái)西亞的英菲尼亞半導(dǎo)體、日本Micron、三星半導(dǎo)體和其它的設(shè)備使用業(yè)績(jī)，可替代HVA閘閥、VAT閘閥。上海安宇泰環(huán)保科技有限公司晶圓閘閥手動(dòng)閥