m需為偶數(shù)。第二金屬結(jié)構(gòu)淀積于多晶硅層外側(cè)的兩端，以便于引出溫度傳感器的輸出端子。在本實施例中，第三金屬層為金屬鋁層。上述熱電偶傳感結(jié)構(gòu)，利用兩不同類型的半導(dǎo)體兩端的溫度不同時，會在半導(dǎo)體內(nèi)部產(chǎn)生溫差電動勢，不同類型的半導(dǎo)體其溫差電動勢不同。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經(jīng)營范圍包括：一般經(jīng)營項目是：電子產(chǎn)品及其配件的技術(shù)開發(fā)與銷售；國內(nèi)貿(mào)易等。本公司主營推廣銷售AD（亞德諾）,LINEAR（凌特）以及TI、MAXIM、NXP等國際有名品牌集成電路。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于：汽車、通信、消費電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。將兩種半導(dǎo)體兩端連接形成閉...

一種溫度傳感器制備方法，包括：在硅片形成若干溝槽；熱退火使所述若干溝槽變形后相互連通形成一空腔，且所述硅片在所述空腔上方連接起來，將所述空腔封閉；氧化所述空腔上部的硅片得到氧化硅薄膜；在所述氧化硅薄膜上形成測溫單元，所述測溫單元用于感測環(huán)境溫度。上述溫度傳感器制備方法，先通過刻蝕在硅片上形成若干溝槽。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經(jīng)營范圍包括：一般經(jīng)營項目是：電子產(chǎn)品及其配件的技術(shù)開發(fā)與銷售；國內(nèi)貿(mào)易等。本公司主營推廣銷售AD（亞德諾）,LINEAR（凌特）以及TI、MAXIM、NXP等國際有名品牌集成電路。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于：汽車、通信、消費電子、工業(yè)控制、醫(yī)...

產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于：汽車、通信、消費電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。本公司一直秉承優(yōu)勢服務(wù)，誠信合作的原則，以現(xiàn)代化管理以及優(yōu)勢的渠道價格、良好的信譽與廣大客戶建立了長期友好的合作關(guān)系，為廣大廠商和市場客戶提供優(yōu)勢的產(chǎn)品服務(wù)。步驟s：熱退火使所述若干溝槽變形后相互連通形成一空腔，且所述硅片在空腔上方連接起來，將所述空腔封閉。對開設(shè)有溝槽的硅片進(jìn)行適當(dāng)?shù)臒崽幚?，?dāng)硅片被加熱到一定溫度時，硅原子的振動能較大，導(dǎo)致原子的移動能加強(qiáng)，硅原子會發(fā)生遷移。由于硅片上開設(shè)有溝槽。且溝槽側(cè)壁的間距較小，當(dāng)硅原子遷移運動達(dá)到一定程度時，硅原子會進(jìn)入溝槽內(nèi)，硅片內(nèi)部的溝槽會發(fā)生形變，溝槽上...

溫度傳感器通過該測溫單元感知溫度后形成電信號并輸出。在一實施例中，測溫單元為一熱電阻傳感結(jié)構(gòu)，其具體形成過程為：步驟s：在氧化硅薄膜上淀積一層金屬層，金屬層為金屬鉑層，金屬鉑層呈連續(xù)弓字形結(jié)構(gòu)。參考圖所示，在氧化硅薄膜上淀積一層金屬層，該金屬層可為金屬鉑層，即熱電阻傳感結(jié)構(gòu)選用鉑熱電阻。在另一實施例中，也可選用其他電阻溫度系數(shù)較高的材料如鎳、鐵等。為減小溫度傳感器的尺寸，在小尺寸的基底上增大鉑熱電阻的接觸面積，將鉑熱電阻做成連續(xù)弓字形結(jié)構(gòu)(如圖所示)。步驟s：在所述金屬鉑層外側(cè)兩端各淀積一層第二金屬層，用于引出所述溫度傳感器的輸出端子。繼續(xù)參見圖和圖，在金屬鉑層外側(cè)兩端淀積一層第二金屬...

步驟s：熱退火使所述若干溝槽變形后相互連通形成一空腔，且所述硅片在空腔上方連接起來，將所述空腔封閉。對開設(shè)有溝槽的硅片進(jìn)行適當(dāng)?shù)臒崽幚?，?dāng)硅片被加熱到一定溫度時，硅原子的振動能較大，導(dǎo)致原子的移動能加強(qiáng)，硅原子會發(fā)生遷移。由于硅片上開設(shè)有溝槽，且溝槽側(cè)壁的間距較小，當(dāng)硅原子遷移運動達(dá)到一定程度時，硅原子會進(jìn)入溝槽內(nèi)，硅片內(nèi)部的溝槽會發(fā)生形變，溝槽上部被硅封閉，若干溝槽中間部位相互連通，形成一空腔(如圖b所示)。即空腔處于硅片的中間，空腔的上部和下部均具有硅結(jié)構(gòu)，上下硅結(jié)構(gòu)被空腔隔離開。在一實施例中，熱退火的溫度可為℃。改變溝槽的間距，可以得到不同形態(tài)的空腔，且間距越大，所需的退火溫度就...

并在鈍化層上對應(yīng)所述溫度傳感器引出輸出端子處設(shè)有通孔。因上述熱電阻傳感器中上層有金屬結(jié)構(gòu)如金屬鋁和金屬鉑，對于直接暴露在空氣中時容易氧化的金屬層，其上還形成一層鈍化層，可對金屬層進(jìn)行保護(hù)。同時，需要在對應(yīng)溫度傳感器引出端子處開設(shè)通孔，通過通孔可引出輸出端子。在本實施例中，是在兩端的金屬鋁上方的鈍化層開設(shè)通孔。鈍化層可為氧化硅層或氮化硅層，也可為疊設(shè)的氧化硅層和氮化硅層。在一實施例中，測溫單元為一熱電偶傳感結(jié)構(gòu)，其具體形成過程為：步驟s：在所述氧化硅薄膜上淀積一層多晶硅層，所述多晶硅層包括并排且間隔設(shè)置的n型多晶硅條和p型多晶硅條。如圖和圖所示，在氧化硅薄膜上淀積一層多晶硅層，該多晶硅層...

步驟s：熱退火使所述若干溝槽變形后相互連通形成一空腔，且所述硅片在空腔上方連接起來，將所述空腔封閉。對開設(shè)有溝槽的硅片進(jìn)行適當(dāng)?shù)臒崽幚恚?dāng)硅片被加熱到一定溫度時，硅原子的振動能較大，導(dǎo)致原子的移動能加強(qiáng)，硅原子會發(fā)生遷移。由于硅片上開設(shè)有溝槽，且溝槽側(cè)壁的間距較小，當(dāng)硅原子遷移運動達(dá)到一定程度時，硅原子會進(jìn)入溝槽內(nèi)，硅片內(nèi)部的溝槽會發(fā)生形變，溝槽上部被硅封閉，若干溝槽中間部位相互連通，形成一空腔(如圖b所示)。即空腔處于硅片的中間，空腔的上部和下部均具有硅結(jié)構(gòu)，上下硅結(jié)構(gòu)被空腔隔離開。在一實施例中，熱退火的溫度可為℃。改變溝槽的間距，可以得到不同形態(tài)的空腔，且間距越大，所需的退火溫度就...

可以將溫度傳感器兩輸出端子作為冷端且保持冷端溫度恒定，將串聯(lián)的多晶硅層作為熱端感測實際環(huán)境溫度，當(dāng)環(huán)境溫度發(fā)生變化時，冷端和熱端的溫差發(fā)生變化，因此冷端的電勢會發(fā)生變化，與顯示儀表連接后，顯示儀表會顯示熱電偶受當(dāng)前環(huán)境溫度影響得到的電勢所對應(yīng)的熱端溫度，即當(dāng)前環(huán)境溫度。通常，形成測溫單元還包括鈍化步驟，即，步驟s：在金屬層上形成鈍化層，并在鈍化層上對應(yīng)溫度傳感器引出輸出端子處設(shè)有通孔。因上述熱電偶傳感器中上層有金屬結(jié)構(gòu)如金屬鋁層，對于直接暴露在空氣中時容易氧化的金屬層，其上還形成一層鈍化層，可對金屬結(jié)構(gòu)進(jìn)行保護(hù)。同時，需要在對應(yīng)溫度傳感器引出端子處開設(shè)通孔，通過通孔可引出輸出端子。在本...

使溫度傳感器性能更加穩(wěn)定。還涉及一種溫度傳感器，包括：基底，基底包括硅片和在硅片上形成的氧化硅薄膜，硅片和氧化硅薄膜之間形成有空腔；和測溫單元，測溫單元形成于所述空腔上方的氧化硅薄膜上，所述測溫單元用于感測環(huán)境溫度。如圖c所示，基底包括硅片和氧化硅薄膜，硅片和氧化硅薄膜之間形成有空腔。測溫單元是溫度傳感器的工作單元，溫度傳感器通過該測溫單元感知溫度后形成電信號并輸出，在本方案中，測溫單元形成于氧化硅薄膜上且位于空腔上方。在一實施例中，測溫單元為一熱電阻傳感結(jié)構(gòu)，包括：金屬層，金屬層為金屬鉑層，金屬鉑層呈連續(xù)弓字形結(jié)構(gòu)；和第二金屬層，位于金屬鉑層外側(cè)兩端，用于引出溫度傳感器的輸出端子。如...

使溫度傳感器性能更加穩(wěn)定。還涉及一種溫度傳感器，包括：基底，基底包括硅片和在硅片上形成的氧化硅薄膜，硅片和氧化硅薄膜之間形成有空腔；和測溫單元，測溫單元形成于所述空腔上方的氧化硅薄膜上，所述測溫單元用于感測環(huán)境溫度。如圖c所示，基底包括硅片和氧化硅薄膜，硅片和氧化硅薄膜之間形成有空腔。測溫單元是溫度傳感器的工作單元，溫度傳感器通過該測溫單元感知溫度后形成電信號并輸出，在本方案中，測溫單元形成于氧化硅薄膜上且位于空腔上方。在一實施例中，測溫單元為一熱電阻傳感結(jié)構(gòu)，包括：金屬層，金屬層為金屬鉑層，金屬鉑層呈連續(xù)弓字形結(jié)構(gòu)；和第二金屬層，位于金屬鉑層外側(cè)兩端，用于引出溫度傳感器的輸出端子。如...

測溫單元形成于空腔上方的氧化硅薄膜后得到的溫度傳感器性能較好。在其中一個實施例中，所述測溫單元包括：金屬層，所述金屬層為金屬鉑層，所述金屬鉑層呈連續(xù)弓字形結(jié)構(gòu)；和第二金屬層，位于所述金屬鉑層外側(cè)兩端，用于引出所述溫度傳感器的輸出端子。在其中一個實施例中，所述測溫單元包括：多晶硅層，包括并排且間隔設(shè)置的n型多晶硅條和p型多晶硅條；和第三金屬層，所述第三金屬層包括位于相鄰多晶硅條之間的金屬結(jié)構(gòu)，所述n型多晶硅條和p型多晶硅條通過所述金屬結(jié)構(gòu)串聯(lián)，所述第三金屬層還包括位于所述多晶硅層外側(cè)兩端的第二金屬結(jié)構(gòu)，用于引出所述溫度傳感器的輸出端子。附圖說明圖為一實施例中溫度傳感器制備方法的方法流程圖...

再在高溫環(huán)境下進(jìn)行退火，由于高溫環(huán)境下硅原子會發(fā)生遷移，硅原子發(fā)生遷移后硅片內(nèi)部的結(jié)構(gòu)會發(fā)生改變，之前的若干溝槽會相互連通以在硅片內(nèi)部形成一空腔結(jié)構(gòu)。氧化空腔上部的硅片部分可以得到所需的氧化硅薄膜，然后在氧化硅薄膜上淀積測溫材料形成測溫單元，測溫單元用于感測環(huán)境溫度，從而得到溫度傳感器。通過本方案得到的溫度傳感器，其基底包含一空腔以及位于空腔上部的氧化硅薄膜和位于空腔下部的硅，即氧化硅薄膜和硅通過空腔隔開，基底下部的硅不會影響上部氧化硅的隔熱效果，因此無需通過刻蝕工藝將基底下部的硅刻蝕掉，從而縮短產(chǎn)品制備的時間，且節(jié)約了成本。在其中一個實施例中，所述溝槽的寬度范圍為μm～μm，所述溝槽...

顯示儀表會顯示熱電偶受當(dāng)前環(huán)境溫度影響得到的電勢所對應(yīng)的熱端溫度，即當(dāng)前環(huán)境溫度。因上述熱電偶傳感器中上層有金屬結(jié)構(gòu)，對于直接暴露在空氣中時容易氧化的金屬層，其上還需形成有一層鈍化層，可對金屬結(jié)構(gòu)進(jìn)行保護(hù)。同時，需要在對應(yīng)溫度傳感器引出端子處開設(shè)有通孔，通過通孔可引出輸出端子。在本實施例中，是在外側(cè)多晶硅端部的金屬鋁上方的鈍化層開設(shè)有通孔。鈍化層可為氧化硅層或氮化硅層，也可為疊設(shè)的氧化硅層和氮化硅層。上述溫度傳感器，測溫單元設(shè)于氧化硅薄膜上，氧化硅薄膜具有較低的導(dǎo)熱率，因此不會影響測溫單元的測溫效果。且氧化硅薄膜與硅之間形成有空腔，空腔下方的硅不會影響空腔上方的氧化硅的隔離效果。深圳市...

產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于：汽車、通信、消費電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。步驟s：在多晶硅層上淀積第三金屬層，第三金屬層包括位于相鄰多晶硅條之間的金屬結(jié)構(gòu)，n型多晶硅條和p型多晶硅條通過金屬結(jié)構(gòu)串聯(lián)，第三金屬層還包括位于多晶硅層外側(cè)兩端的第二金屬結(jié)構(gòu)，用于引出溫度傳感器的輸出端子。繼續(xù)參見圖和圖，在多晶硅層上淀積第三金屬層，第三金屬層包括金屬結(jié)構(gòu)和第二金屬結(jié)構(gòu)。金屬結(jié)構(gòu)位于相鄰多晶硅條之間以連接該多晶硅條，具體為位于相鄰多晶硅條端部位置，所有n型多晶硅條和p型多晶硅條通過該金屬結(jié)構(gòu)形成一串聯(lián)結(jié)構(gòu)，因此，當(dāng)具有m個多晶硅條時，需要m-個金屬結(jié)構(gòu)使多晶硅條串聯(lián)起來。一個n型多晶硅...

再在高溫環(huán)境下進(jìn)行退火，由于高溫環(huán)境下硅原子會發(fā)生遷移，硅原子發(fā)生遷移后硅片內(nèi)部的結(jié)構(gòu)會發(fā)生改變，之前的若干溝槽會相互連通以在硅片內(nèi)部形成一空腔結(jié)構(gòu)。氧化空腔上部的硅片部分可以得到所需的氧化硅薄膜，然后在氧化硅薄膜上淀積測溫材料形成測溫單元，測溫單元用于感測環(huán)境溫度，從而得到溫度傳感器。通過本方案得到的溫度傳感器，其基底包含一空腔以及位于空腔上部的氧化硅薄膜和位于空腔下部的硅，即氧化硅薄膜和硅通過空腔隔開，基底下部的硅不會影響上部氧化硅的隔熱效果，因此無需通過刻蝕工藝將基底下部的硅刻蝕掉，從而縮短產(chǎn)品制備的時間，且節(jié)約了成本。在其中一個實施例中，所述溝槽的寬度范圍為μm～1μm，所述溝...

且所述硅片在空腔上方連接起來，將所述空腔封閉。對開設(shè)有溝槽的硅片進(jìn)行適當(dāng)?shù)臒崽幚恚?dāng)硅片被加熱到一定溫度時，硅原子的振動能較大，導(dǎo)致原子的移動能加強(qiáng)，硅原子會發(fā)生遷移。由于硅片上開設(shè)有溝槽，且溝槽側(cè)壁的間距較小，當(dāng)硅原子遷移運動達(dá)到一定程度時，硅原子會進(jìn)入溝槽內(nèi)，硅片內(nèi)部的溝槽會發(fā)生形變，溝槽上部被硅封閉，若干溝槽中間部位相互連通，形成一空腔(如圖b所示)。即空腔處于硅片的中間，空腔的上部和下部均具有硅結(jié)構(gòu)，上下硅結(jié)構(gòu)被空腔隔離開。在一實施例中，熱退火的溫度可為℃。改變溝槽的間距，可以得到不同形態(tài)的空腔，且間距越大，所需的退火溫度就越高，但是退火的持續(xù)時間不超過min。在本實施例中，溝...

本文所使用的所有的技術(shù)和科學(xué)術(shù)語與屬于的技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員通常理解的含義相同。本文中在的說明書中所使用的術(shù)語只是為了描述具體的實施例的目的，不是旨在于限制。本文所使用的術(shù)語“及/或”包括一個或多個相關(guān)的所列項目的任意的和所有的組合。本申請?zhí)峁┮环N溫度傳感器的制備方法，如圖所示，其步驟包括：步驟s：在硅片上形成若干溝槽。結(jié)合圖a所示，獲取一硅晶片，從硅片上方垂直向下開設(shè)若干并列的溝槽形成溝槽陣列。在一實施例中，先在硅片上形成具有陣列圖案的光刻膠層，再以光刻膠作為掩膜版對硅片進(jìn)行刻蝕形成若干溝槽。在本實施例中，刻蝕可為常規(guī)的干法刻蝕，具體為深度離子刻蝕。干法刻蝕具有更高的刻蝕精度和更好的各...

再在高溫環(huán)境下進(jìn)行退火，由于高溫環(huán)境下硅原子會發(fā)生遷移，硅原子發(fā)生遷移后硅片內(nèi)部的結(jié)構(gòu)會發(fā)生改變，之前的若干溝槽會相互連通以在硅片內(nèi)部形成一空腔結(jié)構(gòu)。氧化空腔上部的硅片部分可以得到所需的氧化硅薄膜，然后在氧化硅薄膜上淀積測溫材料形成測溫單元，測溫單元用于感測環(huán)境溫度，從而得到溫度傳感器。通過本方案得到的溫度傳感器，其基底包含一空腔以及位于空腔上部的氧化硅薄膜和位于空腔下部的硅，即氧化硅薄膜和硅通過空腔隔開，基底下部的硅不會影響上部氧化硅的隔熱效果，因此無需通過刻蝕工藝將基底下部的硅刻蝕掉，從而縮短產(chǎn)品制備的時間，且節(jié)約了成本。在其中一個實施例中，所述溝槽的寬度范圍為μm～1μm，所述溝...

基底包括硅片和在硅片上形成的氧化硅薄膜，硅片和氧化硅薄膜之間形成有空腔；和測溫單元，測溫單元形成于所述空腔上方的氧化硅薄膜上，所述測溫單元用于感測環(huán)境溫度。如圖c所示，基底包括硅片和氧化硅薄膜，硅片和氧化硅薄膜之間形成有空腔。測溫單元是溫度傳感器的工作單元，溫度傳感器通過該測溫單元感知溫度后形成電信號并輸出，在本方案中，測溫單元形成于氧化硅薄膜上且位于空腔上方。在一實施例中，測溫單元為一熱電阻傳感結(jié)構(gòu)，包括：金屬層，金屬層為金屬鉑層，金屬鉑層呈連續(xù)弓字形結(jié)構(gòu)；和第二金屬層，位于金屬鉑層外側(cè)兩端，用于引出溫度傳感器的輸出端子。如圖和圖所示，氧化硅薄膜上淀積有一層金屬層，該金屬層為金屬鉑層...

本申請?zhí)峁┮环N溫度傳感器的制備方法，如圖所示，其步驟包括：步驟s：在硅片上形成若干溝槽。結(jié)合圖a所示，獲取一硅晶片，從硅片上方垂直向下開設(shè)若干并列的溝槽形成溝槽陣列。在一實施例中，先在硅片上形成具有陣列圖案的光刻膠層，再以光刻膠作為掩膜版對硅片進(jìn)行刻蝕形成若干溝槽。在本實施例中，刻蝕可為常規(guī)的干法刻蝕，具體為深度離子刻蝕。干法刻蝕具有更高的刻蝕精度和更好的各向異性性能，其精度可達(dá)亞微米級別，通過干法刻蝕，可以得到形態(tài)較好的溝槽，尤其是溝槽尺寸較小時利用干法刻蝕效果更佳。可通過調(diào)節(jié)掩膜板圖案和控制刻蝕參數(shù)得到不同形態(tài)的溝槽，其中，溝槽的寬度可為～μm，溝槽的深度可為～μm，相鄰溝槽之間的...

一種溫度傳感器制備方法，包括：在硅片形成若干溝槽；熱退火使所述若干溝槽變形后相互連通形成一空腔，且所述硅片在所述空腔上方連接起來，將所述空腔封閉；氧化所述空腔上部的硅片得到氧化硅薄膜；在所述氧化硅薄膜上形成測溫單元，所述測溫單元用于感測環(huán)境溫度。上述溫度傳感器制備方法，先通過刻蝕在硅片上形成若干溝槽。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經(jīng)營范圍包括：一般經(jīng)營項目是：電子產(chǎn)品及其配件的技術(shù)開發(fā)與銷售；國內(nèi)貿(mào)易等。本公司主營推廣銷售AD（亞德諾）,LINEAR（凌特）以及TI、MAXIM、NXP等國際有名品牌集成電路。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于：汽車、通信、消費電子、工業(yè)控制、醫(yī)...

再在高溫環(huán)境下進(jìn)行退火，由于高溫環(huán)境下硅原子會發(fā)生遷移，硅原子發(fā)生遷移后硅片內(nèi)部的結(jié)構(gòu)會發(fā)生改變，之前的若干溝槽會相互連通以在硅片內(nèi)部形成一空腔結(jié)構(gòu)。氧化空腔上部的硅片部分可以得到所需的氧化硅薄膜，然后在氧化硅薄膜上淀積測溫材料形成測溫單元，測溫單元用于感測環(huán)境溫度，從而得到溫度傳感器。通過本方案得到的溫度傳感器，其基底包含一空腔以及位于空腔上部的氧化硅薄膜和位于空腔下部的硅，即氧化硅薄膜和硅通過空腔隔開，基底下部的硅不會影響上部氧化硅的隔熱效果，因此無需通過刻蝕工藝將基底下部的硅刻蝕掉，從而縮短產(chǎn)品制備的時間，且節(jié)約了成本。在其中一個實施例中，所述溝槽的寬度范圍為μm～μm，所述溝槽...

圖為另一實施例中溫度傳感器側(cè)視圖；圖為與圖對應(yīng)的溫度傳感器俯視圖。具體實施方式為了便于理解本發(fā)明，下面將參照相關(guān)附圖對本發(fā)明進(jìn)行更的描述。附圖中給出了本發(fā)明的優(yōu)先實施例。但是，本發(fā)明可以以許多不同的形式來實現(xiàn)，并不限于本文所描述的實施例。相反地。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經(jīng)營范圍包括：一般經(jīng)營項目是：電子產(chǎn)品及其配件的技術(shù)開發(fā)與銷售；國內(nèi)貿(mào)易等。本公司主營推廣銷售AD（亞德諾）,LINEAR（凌特）以及TI、MAXIM、NXP等國際有名品牌集成電路。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于：汽車、通信、消費電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。提供這些實施例的目的是...

即溫度傳感器的輸出導(dǎo)線與鋁層連接以通過鋁層與金屬鉑層連接。上述鉑熱電阻傳感器，利用金屬鉑在溫度變化時自身電阻值也會隨著溫度改變的特性來測量溫度，溫度傳感器的輸出端子與顯示儀表連接，顯示儀表會顯示受溫度影響得到的鉑電阻對應(yīng)的溫度值。在一實施例中，因上述熱電阻傳感器中上層有金屬結(jié)構(gòu)如金屬鋁和金屬鉑，對于直接暴露在空氣中時容易氧化的金屬層，其上還形成有一層鈍化層，可對金屬層進(jìn)行保護(hù)。同時，需要在對應(yīng)溫度傳感器引出端子處開設(shè)有通孔，通過通孔可引出輸出端子。在本實施例中，是在兩端的金屬鋁上方的鈍化層開設(shè)有通孔。鈍化層可為氧化硅層或氮化硅層，也可為疊設(shè)的氧化硅層和氮化硅層。在一實施例中，測溫單元為...

p型多晶硅可為在多晶硅內(nèi)部摻雜ⅲ族元素形成導(dǎo)電類型為p型的多晶硅，且其內(nèi)部摻雜均勻。n型多晶硅條和p型多晶硅條形狀相同，在本方案中，n型多晶硅條和p型多晶硅條為長條型，多晶硅條平行設(shè)置，具有相同的間距。步驟s135：在多晶硅層上淀積第三金屬層，第三金屬層包括位于相鄰多晶硅條之間的金屬結(jié)構(gòu)，n型多晶硅條和p型多晶硅條通過金屬結(jié)構(gòu)串聯(lián)，第三金屬層還包括位于多晶硅層外側(cè)兩端的第二金屬結(jié)構(gòu)，用于引出溫度傳感器的輸出端子。繼續(xù)參見圖5和圖6，在多晶硅層50上淀積第三金屬層60，第三金屬層60包括金屬結(jié)構(gòu)61和第二金屬結(jié)構(gòu)62。金屬結(jié)構(gòu)61位于相鄰多晶硅條之間以連接該多晶硅條，具體為位于相鄰多晶硅...

在另一實施例中，也可選用其他電阻溫度系數(shù)較高的材料如鎳、鐵等。為減小溫度傳感器的尺寸，在小尺寸的基底上增大鉑熱電阻的接觸面積，鉑熱電阻呈連續(xù)弓字形結(jié)構(gòu)(如圖4所示)。金屬鉑層30外側(cè)兩端淀積有一層第二金屬層40，該第二金屬層40可為金屬鋁層，用于從金屬鋁處引出該溫度傳感器的輸出端子，即溫度傳感器的輸出導(dǎo)線與鋁層連接以通過鋁層與金屬鉑層連接。上述鉑熱電阻傳感器，利用金屬鉑在溫度變化時自身電阻值也會隨著溫度改變的特性來測量溫度，溫度傳感器的輸出端子與顯示儀表連接，顯示儀表會顯示受溫度影響得到的鉑電阻對應(yīng)的溫度值。在一實施例中，因上述熱電阻傳感器中上層有金屬結(jié)構(gòu)如金屬鋁和金屬鉑，對于直接暴露...

圖為另一實施例中溫度傳感器側(cè)視圖；圖為與圖對應(yīng)的溫度傳感器俯視圖。具體實施方式為了便于理解本發(fā)明，下面將參照相關(guān)附圖對本發(fā)明進(jìn)行更的描述。附圖中給出了本發(fā)明的優(yōu)先實施例。但是，本發(fā)明可以以許多不同的形式來實現(xiàn)，并不限于本文所描述的實施例。相反地。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經(jīng)營范圍包括：一般經(jīng)營項目是：電子產(chǎn)品及其配件的技術(shù)開發(fā)與銷售；國內(nèi)貿(mào)易等。本公司主營推廣銷售AD（亞德諾）,LINEAR（凌特）以及TI、MAXIM、NXP等國際有名品牌集成電路。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于：汽車、通信、消費電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。提供這些實施例的目的是...

在所述氧化硅薄膜上形成測溫單元具體為：在所述氧化硅薄膜上淀積一層多晶硅層，所述多晶硅層包括并排且間隔設(shè)置的n型多晶硅條和p型多晶硅條；在所述多晶硅上淀積第三金屬層，所述第三金屬層包括位于相鄰多晶硅條之間的金屬結(jié)構(gòu)，所述n型多晶硅條和p型多晶硅條通過所述金屬結(jié)構(gòu)串聯(lián)，所述第三金屬層還包括位于所述多晶硅層外側(cè)兩端的第二金屬結(jié)構(gòu)，用于引出所述溫度傳感器的輸出端子。在其中一個實施例中，所述制備方法還包括：在所述金屬層上形成鈍化層，并在所述鈍化層上對應(yīng)所述溫度傳感器引出輸出端子處設(shè)有通孔。本發(fā)明還公開了一種溫度傳感器，包括：基底，所述基底包括硅片和在所述硅片上形成的氧化硅薄膜，所述硅片與所述氧化...

其具體形成過程為：步驟s：在所述氧化硅薄膜上淀積一層多晶硅層，所述多晶硅層包括并排且間隔設(shè)置的n型多晶硅條和p型多晶硅條。如圖和圖所示，在氧化硅薄膜上淀積一層多晶硅層，該多晶硅層包括并排且間隔設(shè)置的n型多晶硅條和p型多晶硅條。n型多晶硅可為在多晶硅內(nèi)部摻雜ⅴ族元素形成導(dǎo)電類型為n型的多晶硅，且其內(nèi)部摻雜均勻。p型多晶硅可為在多晶硅內(nèi)部摻雜ⅲ族元素形成導(dǎo)電類型為p型的多晶硅，且其內(nèi)部摻雜均勻。n型多晶硅條和p型多晶硅條形狀相同，在本方案中。n型多晶硅條和p型多晶硅條為長條型，多晶硅條平行設(shè)置，具有相同的間距。步驟s：在多晶硅層上淀積第三金屬層，第三金屬層包括位于相鄰多晶硅條之間的金屬結(jié)構(gòu)...

可以時刻提醒你所居住環(huán)境或者辦公室的溫度、濕度、空氣質(zhì)量、何時需要睡覺、何時需要通風(fēng)換氣，是不是非常的科學(xué)又貼心？這款名叫CubeSensors的傳感器便可以實現(xiàn)以上功能。自動門遙控器是什么自動門遙控器優(yōu)點自動門遙控器（AutodoorRemoteController）是利用無線電信號對遠(yuǎn)方的各種機(jī)構(gòu)進(jìn)行控制的遙控設(shè)備。這些信號被遠(yuǎn)方的接收設(shè)備接收后，可以指令或驅(qū)動其它各種相應(yīng)的機(jī)械或者電子設(shè)備，去完成各種操作，如閉合電路、移動手柄、開動電機(jī)，之后再由這些機(jī)械進(jìn)行需要的操作。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經(jīng)營范圍包括：一般經(jīng)營項目是：電子產(chǎn)品及其配件的技術(shù)開...